国产芯片水平只能实现90纳米。
从芯片制造环节看,光刻机、蚀刻机、晶圆、光刻胶等设备和材料占比很大。其中光刻机设备,目前上海微电子是90纳米。高端的KrF和ArF光刻胶更是几乎依赖进口,其中ArF光刻胶几乎为零国产。因此,我国要生产高度国产化的芯片,目前90纳米是一个分界点。
这其中还不包含芯片设计使用的EDA设计软件和其它的电子化学气体材料。EDA软件被誉为“芯片设计上的明珠”,国产率不到2%。
90纳米芯片!相当于2004年的半导体工艺。2007年,苹果上市的第一代手机就是使用了90纳米的处理器。可以说,90纳米芯片瞬间让大家回到了15年前的科技生活。
当然,这样的结果只是一种极端的假设。我国半导体产业链,并不是这么差。有些环节、技术、设备已经达到国际水平。譬如芯片设计、人工智能、大数据、5G、蚀刻机。换言之,半导体基础把我国半导体的综合能力拉低了。
可以生产9nm的芯片。
22nm光刻机最高能生产7nm的芯片。22nm光刻机也就是duv光刻机,通过技术手段比如多次曝光可以制造出7nm芯片。最先利用duv光刻机制造出7nm芯片的是台积电和三星公司,也是目前全球可以做到7nm量产的两家公司。像英特尔和中芯国际也可以用22nm光刻机制造7nm芯片,不过良品率有待提高。
7纳米。
中国实现7纳米芯片封装技术。
芯片:又名为集成电路,是应用于智能手机到计算机的重要硬件。在过去,中国没有掌握芯片制造技术,高端制造业所需要的芯片依赖于进口。近日,中国半导体制造国际公司宣布,中国一家公司实现了7纳米芯片的制造和封装技术,国内企业芯片的国产进程将加快。这引起了多国羡慕,看来用不了多久,中国出品将走向世界。
中国现在能做14nm芯片。
14nm并不是停在实验室里面的研发,也不是投产,而是规模量产。此外90nm光刻机、5nm刻蚀机、12英寸大硅片、国产CPU、5G芯片等也实现突破。此次14nm虽然量产,但其实与国际水平还有着较大的差距,尤其是光刻机,我们还依旧依赖着国外的技术,光刻机大概率还是用ASML的。
光刻机的技术我们目前还难掌握,制程也没有国外3nm,5nm先进,但3nm虽先进,但3nm的成本过高,市场需求量也没那么大,所以就留给了我们弯道超车的机会,在我们不断加大研发和人才培养的现状下,相信未来我们定可以实现芯片自主。
手机芯片行业
在手机芯片行业,尤其是高性能芯片领域,依旧处于高通、联发科、海思、三星以及苹果五家争霸的局面,但同时具有手机终端制造能力和芯片研发能力的只有海思和三星,而高通和联发科则只提供解决方案,没有终端。
比较特殊的是苹果,其芯片自主设计但委托生产,同时完全自用。其中三星的Exynos芯片除用于自家高端手机外,只有魅族采用;而多年来,海思处理器一般都应用在华为的明星机型上面。
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