什么是MEMS 4步图解MEMS芯片制造/芯片剥离膜多少钱

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什么是MEMS?4步图解MEMS芯片制造

〖壹〗、MEMS传感器芯片是通过一系列复杂的工艺制造出来的，主要包括以下步骤：基础材料选择与准备：硅材料：MEMS传感器芯片的基础材料通常是硅，因为它具有良好的机械和电学性能。SOI晶圆：在某些情况下，会使用绝缘体上硅晶圆，以提高传感器的性能和可靠性。

UV膜与蓝膜特性简介

蓝膜特性： 成本较低：相比UV膜，蓝膜的成本更低。 粘性受温度影响：蓝膜的粘性度会随着温度的变化而变化，可能在高温或低温环境下产生粘性波动。 易产生残胶：蓝膜在使用过程中容易产生残胶，需要特别注意清理。 适用大芯片：蓝膜常用于大芯片或面积较大的芯片的减薄划切，以及直接进行后封装工艺的芯片。

UV膜与蓝膜均具备粘性，其粘性程度通过粘性剥离度表示，通常以N/20 mm或N/25 mm为单位。UV膜是将特殊配方的涂料涂布于PET薄膜基材表面，以阻隔紫外光及短波长可见光，具有3层结构，基层材质为聚乙烯氯化物，中间为粘性层，与粘性层相邻的是覆层（Release film）。

包覆速度慢：蓝膜包覆过程相对繁琐，影响了生产效率。粘接强度不高：蓝膜与底材的粘接强度有限，易出现破损、褶皱、划痕、空鼓等问题，增加了漏电风险。难以实现轻量化：蓝膜本身具有一定的重量，不利于动力电池的轻量化发展。

UV膜有不同黏性的可以选择，小芯片使用较多，但是成本较高，而且需新增UV照射设备，寿命也较短；蓝膜普通尺寸的芯片使用较多，粘度适中，但是在小芯片上还是会显得粘度不足，导致划片飞片。曾经尝试过0.3*0.3的芯片使用蓝膜，边缘就有非常多的飞片，这种情况就是得用UV膜。

lift-off(剥离工艺)

〖壹〗、lift-off（剥离工艺）是用于制作电极的一种工艺。Lift-Off工艺的原理是在衬底基板上形成一个光刻后的光刻胶层，然后在这个图案层上使用诸如电子束蒸发或溅射等工艺沉积金属。随后，在去除光致抗蚀剂（光刻胶）的同时，将胶膜上的金属一起剥离干净，从而在基片上只保留原刻出图形的金属。

〖贰〗、lift-off（剥离工艺）是光刻技术中用于制作电极的一种重要工艺。其原理是在衬底基板上形成一个光刻后的光刻胶层，然后在这个图案层上使用诸如电子束蒸发或溅射等工艺沉积金属。随后，在去除光致抗蚀剂（光刻胶）的同时，将胶膜上的金属一起剥离干净，从而在基片上只保留原刻出图形的金属。

〖叁〗、光刻胶的厚度对Lift-off工艺至关重要。通常要求光刻胶厚度与被剥离金属厚度的比例大于等于3。过厚的光刻胶可能影响分辨率，不适合特别厚的金属剥离。光刻胶的形态，如底切与顶切，影响工艺成功与否。

〖肆〗、概念：剥离工艺（lift-off）是在衬底上用光刻工艺获得图案化的光刻胶结构或者金属等掩膜，利用镀膜工艺在掩膜上镀上目标涂层，再利用去胶液（又称剥离液）溶解光刻胶或者机械去除金属硬掩膜的方式获得与图案一致的目标图形结构。

〖伍〗、在MEMS制造工艺中，剥离（Lift-off）是一种关键技术。首先，工艺流程包括在基底材料上施加一层光刻胶，并通过光刻技术精确地在需要金属覆盖的区域涂覆。接着，金属薄膜在光刻胶的保护下在这些区域沉积，而未被光刻胶覆盖的部分则直接附着在基底上。