中芯国际和台积电差距(中芯国际与台积电、三星造芯的差距只差一台“光刻机”吗)

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• 1、中芯国际和台积电差距、中芯国际与台积电、三星造芯的差距只差一台“光刻机”吗

很显然中芯国际和台积电不仅仅是差一台光刻机！

1、先来看看中芯国际当前的制程

我们先来看看中芯当前芯片工艺制程的情况吧！

中芯国际14nm工艺2019年Q4已经量产了，前期产能每月3000片左右，2020年将开始产能爬坡，年底将会实现每月15000片。现阶段已经在为华为代工14nm制程的芯片，比如这2天传言的麒麟710A。

中芯12nm的制程在2019年已经实现的客户导入阶段，同时N+1制程也已经进入客户导入验证阶段，预计2021年将实现量产。从现有业内的预估来看，N+1制程也就是7nm工艺，但并非是高端的7nm工艺，助于低功耗版的工艺。同时中芯也已在研制N+2制程，从公布的性能参数来看就是7nm的高性能版。

用简单的话语来说，中芯国际目前量产制程为14nm，已经研发出了N+1的7nm低端工艺，同时高性能7nm工艺在研制中。

2、再来看看台积电和三星的情况

这两家的工艺制程我觉得没必要多说什么，7nm EUV早在2年前就已经量产，5nm制程台积电今年Q2也开始要量产，不过因为疫情关系或有延缓，同时在2019年已经在研发2nm制程，预计2024年能量产。

其实对于代工厂商来说，芯片制程的领先只是其次，更重要的是客户。现阶段全球手机厂商都将芯片代工交给台积电和三星，苹果、华为、高通、AMD、联发科等等，这两家在全球市场中排名第一和第二，两者加起来占了全球近6成的市场份额。

3、中芯和台积电、三星的差距甚大

从芯片制程上来说，中芯这2年的进步的确很大，短短几年时间已经达到了7nm制程，明年就能量产，和头部的台积电、三星的差距进一步缩小到3~4年。但是对中芯来说还有更现实的问题，就是如何获取客户，没有大量的订单就无法大规模量产降低成本，更无法获得 件上就落后于台积电和三星。

共同点

三家公司除了有处在同一行业、同样的商业模式两点共同点外，还因为一个人有了另外一个共同点：现任中芯国际CEO梁孟松先后在这三家公司任职。

2009年梁孟松因为差别待遇的原因从台积电离职，在韩国一大学任职两年后于2011年加入了三星。因为专利判决的原因，梁孟松无法在三星继续工作，于2017年加入中芯国际并成为该公司CEO。

梁孟松拥有极高的技术天赋，其参与技术研发的半导体技术专利就有181件，在台积电时期被誉为创始人张忠谋的左右手。加入三星后，以一己之力帮助三星在14nm技术节点上超越了台积电。在加入中芯国际后，仅仅用了300天的时间就让中芯国际从28nm就跨越到了14nm。在没有EUV的条件下，其主导的n+1和n+2工艺在现有光刻机设备条件下，可以让中芯国际制造的芯片达到等同于7nm工艺的性能。

总结：虽然现阶段中芯国际与台积电和三星的差距是全方位的，但这样的现实并不妨碍中芯国际成长为世界上最顶级的芯片代工企业：现在只有台积电、三星和中芯国际具备14nm及以下制程芯片的制造能力，其它厂商已经完全放弃了14nm以下芯片的市场。相信在技术天才梁孟松的带领下，和国内大量订单的支持下，中芯国际一定会拥有一个美好的未来！

光刻机是制程芯片的关键设备。中芯国际与台积电、三星(造芯)虽都从事芯片生产代工业务，但三者之间的差距不仅是一台“光刻机”这么简单。

在制程芯片过程中、工艺节点是一个反映集成电路技术工艺水平最直接的参数。除EUV和DUV采用的紫外光源波长不同造成的区别外，光源的计量控制、透镜曝光的补偿参数等都是提升节点的重要因素。

一、芯片制程工艺、配套的技术和生产链存有不足。

中芯国际目前可制程14nm工艺芯片、並正在攻克良率和抓紧研发7nm生产工艺。而台积电已能为苹果A14仿生芯片、海思麒麟9000、高通骁龙875芯片进行5nm制程的量产代工。並已准备3nm工艺芯片投资研发，英特尔将成为其首位3nm芯片的代加工客户。而3nm工艺芯片将在2021年试产、2022年量产、2023年达到月产10万片晶圆的产能，继续拉大与其它代工厂的差距。

即使是现在台积电的5nm工艺，比较7nm工艺也在功耗上降低了30%、性能提升了15%。

三星(造芯)是韩国的一家同时做芯片代工和芯片的企业。其CPU也是依据ARM主体架构设计，拥有7nm、5nm芯片工艺完整的制程产业链，除自给自足外还能为其它厂商代为加工。其生产的5nm工艺相比较7nm工艺功耗降低了20%，性能提升了10%。

由此可见，中芯国际除缺少EUV7nm光刻机外，在光刻机使用技术和工艺上也是有差距的。

光刻机是芯片制造的关键设备，制造技术难度最高。但高端芯片制程还需蚀刻机、透镜加工、薄膜生产设备、抛光机和清洁剂、离子注入设备、扩散炉等设备配套运用。在精密控制、光源计量、透镜工艺、曝光补偿参数调整、材料筛选等方面，台积电和三星有较为成熟、完整的代工生产链和技术。而中芯国际这方面有着除光刻机外而与台积电、三星三者之间有一定的差距。

二、中芯国际与台积电、三星(造芯)在人才、技术积淀和储备、在芯片代工的市场份额、营收上也有较大差距。

台积电为世界第一的独立芯片代加工企业，能从荷兰ASML拿到60%份额顶尖的极紫外光EUV是很大优势。华为、苹果、高通、英特尔、AMD等都是台积电大客户，产能占全球芯片市场的54.2%，2020年二季度营收达3107亿美元、增加28.92%，净利润1209亿美元，增加81.04%，堪称全球第一晶圆代工厂。

三星虽同时做芯片代工和芯片业务，但起步较早。1983年12月已成功开发64KDRAM(动态随机存储器)VLSI芯片，是曾经的半导体产品的领导者，现在是除台积电外生产5nm芯片的最大代工厂。营收达300多亿美元、占全球市场份额15.9%。

中芯国际没有顶端EUV光刻机、同时也缺少高端芯片制程的人才和技术积淀，所以市场份额是台积电的5%、排名世界第五，客户也多为国内一些厂商。

因此，中芯国际与台积电、三星(造芯)的差距不仅是一台光刻机，在制程工艺和技术设备、人才、市场等多方面存有不足。要成为世界一流的高端芯片制造企业，还有很长的路要走。

您好，很高兴解 。

中芯国际是少数可以代表中国科技的“重器”企业之一，不过与国际芯片巨头相比，中芯国际仍位居中间梯队的晶圆代工阵营。

全球芯片领域阵营划分

第一梯队就是拥有先进制程的台积电、Inter、Samsung的超级阵营，中间梯队是有仍处于摸索自主芯片道路的中芯国际、Global Foundried等，第三梯队主要由华虹半导体、力晶等组成。

中芯国际和第一梯队的差距

中芯国际在自主道路上摸索长达18年之久，但还是没有挤进第一梯队，为什么 因为我国芯片设计、制造、封装的产业链的技术水平仍旧是短板，能否自强，需要众多领域内的企业共同努力，突破。当前中芯国际在14nm、7nm等工艺制程上的突破尚需时日，题主所说只差一台“光刻机”这个说法太笼统。中芯国际与他们在制程营收上存在明显的滞后，目前150/180nm是中芯国际的主要营收，28nm以下营收比例较低，而台积电各制程营收比例相对稳定，每2-3年就有新一代制程实现量产，说明台积电对产品生命周期把控能力较强，良品率和产能控制也做得相当好。研发费用上也存在明显的差异，中芯国际的研发费用远低于台积电。

总结

中芯国际，在制程上明显落后第一梯队，营收结构单一，制程更新速度比第一梯队要慢，研发费用上也比第一梯队要少。差距不仅仅是光刻机，还有研发管理，成本投入，产能，良品率等诸多方面的差距。国产芯片要追上第一梯队，难度很高，需要付出很高的代价，需要的是长期艰苦奋斗。

以上，感谢您的阅读。

大家好，我是数据恢复者宁波小哥，我现在根据我的观点解 :

根据中芯国际官网透露，2019年第三季度已经成功量产了14nm finfet,提前完成了目标，目前的良品率也已经到95％，12nm工艺已经开始客户导入，下一代工艺的研发也已经稳步开展。这个消息给人振奋人心，但其实我国芯片的制造产业与国际上的先进水平依然有很大的差距。

在7-28nm的先进制造技术中，我国大陆的企业处于第二梯队，差距非常明显。

在全球的芯片制造领域，目前居于领先的还是台积电和三星。它们已经投产全球最先进的7nmEUV工艺，这领先了中芯国际的工艺两代，而且由于台积电 三星它们在芯片制造工艺的领先性，包括HUAWEI海思和全球智能手机等的高端产品芯片均由台积电 三星它们的先进工艺制造，效率更高，性能更好。

现在第一梯队是台积电和三星，台积电在2018年就进入了7nm,2019年进入了7nmEUV, 今年讲进入5nm,三星在2019年实现了7nm,

第二梯队的中芯国际，联电，格芯都还在14nm,差距是非常明显的。

总结看，中芯国际的芯片制造水平与国际先进工艺的台积电和三星，差距还比较大，这其中一方面原因是芯片制造当中的关键设备光刻机受制于人，但这个不是唯一的原因。

感谢您的阅读！

技术是重心，光刻机是助力！

拿台积电来说，已经准备试产3nm工艺制程，台积电原本计划在6月试产，投资了近1.5万亿台币，约500亿美元。而三星更是在1月份已经公布，成功开发了3nm制程。

在5nm工艺领域，台积电将开始进行5nm制程工艺芯片的量产工作。可以说台积电一直在技术工艺中不断的提升，这种提升确实有助于台积电的发展。

这里插个很重要的东西，实际上台积电的张忠谋之前和中芯国际的创始人张汝京是曾经德州仪器的同事，最早的时候，远近闻名的“世大半导体”由张忠谋和张汝京创办，最终却被张忠谋给收购，而张汝京在自己毫不知情的情况下被董事会卖掉，气愤之下，在上海成立了一家新的晶圆代工厂，就是中芯国际。

实际上，如果说技术层面，我并不觉得张汝京比张忠谋差，虽然之后因为专利问题，中芯国际支付了不小的罚款。

我们再说光刻机，中国光刻机发展难，其实一方面是因为技术的钳制，让我们的光刻机发展受到限制；另外一方面确实是因为ASML在发展中将台积电，三星等等都容纳为自己的股东，间接让它能够使用最先进技术。

中芯国际确实缺乏光刻机，我觉得还有在专利技术方面缺乏，在中芯国际和台积电的知识产权的判决中，中芯国际的败诉，以及后续张汝京的辞职，再加上张汝京本身和张忠谋共事，因此一些专利方面可能会存在共用，这可能是一些方面不及台积电的原因。

因此，中芯国际在某些方面不足，应该是多样性的，不能够说是一种。

目前来讲，在芯片制造行业，中国的领头羊是中芯国际，排在它前面的就是台积电和三星，不过三星不是一家单纯晶圆代工厂，因此在芯片代工领域，最高端的玩家就中芯国际和台积电两家而已。

目前台积电和三星是世界上唯二的两家实现7nm制程芯片制造的厂商，无一例外的都采用了荷兰阿斯麦公司(ASML)的极紫外光刻（Extreme Ultra-violet），即我们常说的EUV光刻机。中芯国际自己研发了N+1、N+1技术，不需要EUV的情况下实现了接近7nm制程的水平，是一个很大的进步，但是比起台积电和三星来讲，除了光刻机以外，还有不小差距。

技术积累上，中芯国际还有差距

一直以来，中芯国际都是追赶者的角度，如果不是2017年10月份梁孟松的加入，中芯国际是绝无可能实现接近7nm制程工艺的N+1技术的。在梁孟松加入之前，中芯国际一直处于困兽状态，14纳米FinFET制程迟迟无法商用，良品率不到5%，梁孟松加入后，中芯国际就像坐上了火箭，短时间内即实现了14纳米FinFET制程的95%良品率。随后，梁孟松又带领团队继续研发了接近7nm制程的N+1和N+2技术，预计2020年底可以商用。

芯片制造是个技术密集型行业，尽管有了突破，中芯国际在技术积累上仍然落后台积电和三星一大截，前二者早就实现了7nm制程芯片的量产，据推算，台积电在8月份会实现5nm制程的量产，2nm也已经在积极研究中；自从美国的芯片代工龙头格罗方德宣布退出14nm以下代工市场以后，其市场份额被三星吃去大部分，去年6月份三星宣布5nm制程工艺已经可用。

因此，中芯国际虽然攻破了性能接近7nm制程的N+1技术，但是已经落后三星和台积电3年时间，另外两家已经实现了5nm制程工艺，相当于领先中芯国际1.5代-2代，所以中芯国际未来的路还很长。

未来发展上，中芯国际处于不利地位

虽然中芯国际的N+1、N+2技术不需要ASML的EUV，但是后续5nm、2nm的研究仍然避不开，与台积电和三星不同的是，中芯国际购买EUV之路一直受到美国的干扰，本来荷兰那边已经同意发货，关键适合又被美国卡住，所以如果后续获取不到EUV，中芯国际的下一代芯片制造工艺梦恐怕要破碎。

另外一点是人才问题，自从中芯国际挖来了梁孟松之后，其研究进展突飞猛进，国内有不少晶圆代工厂商都虎视眈眈。此外，台积电和三星有大量的专利授权，形成了比较厚的专业壁垒，中芯国际与台积电进行的两次诉讼都以失利告终，目前台积电拥有中芯国际10%的股份，所以恐怕台积电会一直压着中芯国际一头。

综上，由于起步晚、积累少的原因，中芯国际相对三星和台积电都有很大差距，技术水平相差1.5代到两代，市场份额的差距有10倍之巨，再加上购买到荷兰ASML的EUV存在很大变数，所以未来中芯国际还有很长的路要走。

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