做光刻胶的上市公司是:永太科技。
简介:
CF光刻胶有望首家国产化,将受益于下游液晶面板厂商为降低成本而主动进行的进口替代。永太科技公司2014年1月股东会通过了非公开发行股票预案,募集资金投向之一为1500吨平板显示彩色滤光膜材料产业化项目,现与下游客户进行合作能够更清晰把握市场需求,加快量产进度。CF光刻胶是主流生产CF工艺所需的主要原材料,目前生产被外资所垄断,公司量产后将受益于国内下游液晶面板厂商为降低成本而主动进行的进口替代。目前市场容量约1.5万吨,进口CF光刻胶为75美元/kg,毛利率高达70%,未来公司凭借价格优势将会逐渐占据更多市场。
原有业务经过多年客户导入,有望爆发。公司原有业务经过多年发展后技术更成熟,分析师预计单晶产品有望突破;农药中间体也在经历客户培育期后有望爆发。公司有机氟技术突出,形成了芳香族含氟产品的完整生产链,所生产医药中间体下游用于心血管类、糖尿病类、精神类和抗病毒类等药物。拟募投的30亿片出口制剂基地产品也多围绕公司技术强项,为原有业务向下游的拓展。
一、晶瑞股份
核心逻辑:进口替代助力业绩增长,国产光刻胶核心标的。
晶瑞股份是国内技术领先的微电子化学品龙头,产品包括超净高纯试剂、光刻胶、功能性材料、锂电池粘结剂等。
二、上海新阳
核心逻辑:半导体业务驱动21Q1经营业绩高增长,购买光刻机布局高端光刻胶项目。
上海新阳为拓展业务范围及产品应用领域,投资设立控股子公司上海芯刻微材料技术有限责任公司进行193nm(ArF)干法光刻胶研发及产业化项目。
三、南大光电
核心逻辑:ArF光刻胶认证通过,国产材料持续推进。
南大光电主要从事先进前驱体材料、电子特气、光刻胶及配套材料三类半导体材料产品生产、研发和销售。公司设立光刻胶事业部,并成立了全资子公司“宁波南大光电材料有限公司”,全力推进“ArF光刻胶开发和产业化项目”的落地实施
四、扬帆新材
公司是全球光引发剂重要供应商,公司主要的光引发剂品种众多,其中部分产品可以用于光刻胶生产领域。
众所周知,光刻机在芯片的生产过程中起着举足轻重的作用。只要拥有一台EUV光刻机,芯片制造企业就可以研制出更加先进的芯片工艺。除了光刻机之外,光刻胶等半导体材料对于芯片的光刻环节发挥了重要作用。南大光电公司自主研发的ArF光刻胶产品已经通过认证,打破了日本企业的垄断局面,成功获得第一个国产光刻胶订单。
被日德占据的光刻胶市场,南大光电正在打破垄断局面。或许大部分人都不知道光刻胶是什么,就好比版画刻印过程需要使用的油墨。由此不难看出,光刻胶的质量与芯片的良品率息息相关。
然而,全球的光刻胶市场被日本、德国等国家企业占据了80%以上的份额,特别是日本的“化学三大巨头”,包括JSR、TOK、信越,而且三大巨头还是世界上唯一可以供应EUV光刻胶的企业。在国外企业的垄断之下,国产半导体企业只能通过进口光刻胶实现生产。因此,南大光电公司实现国产光刻胶的强势崛起,可以推动光刻胶产业的发展。
国产光刻胶打破日本企业的垄断,面临的两个难点。在高端光刻胶市场上,日本企业更是出于高度垄断的地位。由于我国高度依赖进口的光刻胶,无论是研发技术还是市场规模,国产企业与国际巨头都存在明显的差距。在重重限制之下,国产光刻胶打破日本企业的垄断局面主要有两个难点。
其一:光刻胶产业的门槛越来越高,不仅需要投入大量的资金和技术,而且需要一批专业人才。值得一提的是,光刻胶对一致性和稳定性的要求十分严格。只要光刻胶的质量出现问题,就会带来严重的损失。除此之外,光刻胶必须符合差异化应用需求,按照不同客户和应用场景等需求进行调节。由此可见,光刻胶的细分种类复杂多样,根本无法实现标准化、模块化。
其二:由于光刻胶的验证周期较长,所以下游客户不会随意更换光刻胶制造厂商。在这种情况下,国产光刻胶难以打破当下的发展格局。
当然,这种情况不能说明国产光刻机无望打破传统。随着技术的积累,如今的南大光电公司已经发布了两条光刻胶生产线,ArF光刻胶正在广泛展开客户的验证任务,进一步扩大商用规模。在此期间,南大光电不仅发布了许多被国外企业垄断的中间体材料,而且发现了许多决定光刻胶性能的重要数据,推动了国产光刻胶的生产、制造等环节。为了研制出更加完美的光刻胶,南大光电投入了大量资金和人力。在我国半导体材料行业上,南大光电的研发支出增速与营收总额的占比已经处于前列。
国产光刻胶不会“被卡脖子”,日企垄断局面被打破。令人意想不到的是,南大光电仅仅用了一年时间,193nm ArF光刻胶研发项目就通过了使用认证,并且得到了第一份光刻胶订单,目前正在小批量销售。
由此可见,我国已经在光刻胶行业上打破了日本企业的垄断,并且开启了一条全新的发展道路。根据当前的测试结果进行分析,南大光电旗下的ArF光刻胶性能与日本企业研制的光刻胶产品基本处于同等水平,已经实现了ArF光刻胶的本土化和国产化,并且成为我国最先进的光刻胶产品,成功打破了长期被日本企业垄断的局面。
在南大光电举行的业绩说明大会上,南大光电对外披露:公司自主研制的ArF光刻胶产品与产业化项目建设了25吨光刻胶生产线。与此同时,南大光电已经在光刻机、原材料和生产设备方面进行布局。由于光刻胶的主要原材料是我国自主研发的,并且联合我国企业共同研制了生产设备,所以不会出现“被卡脖子”的风险。
光刻胶是芯片生产环节的重要材料,主要应用于光刻工艺。如果没有光刻胶,那么光刻机只是一堆价格昂贵的废铜烂铁。
因此,实现光刻胶的国产替代迫在眉睫。成功打破日本企业的垄断,南大光电自主研制的光刻胶产品目前正在验证,在未来发展有望得到更多的光刻胶订单。当下的南大光电公司已经成为国产光刻胶替代的企业巨头,在南大光电等国产企业的积极奋斗之下,相信我国能够在高端光刻胶市场上取得重大突破。对此,你有什么独到的见解呢?
近日,半导体领域迎来重磅消息,南大光电的ArF光刻胶取得突破,国产光刻胶终于来了!
南大光电光刻胶突破
早在5月30日,南大光电就已经发布公告称,公司自主研发的ArF光刻胶产品通过客户认证,具备55nm工艺要求。
7月2日,有报道称,南大光电的ArF光刻胶产品目前已经拿到了小批量订单。
这都在表明,国产光刻胶终于不再受制于人,而是实现国产化了。
芯片在制造过程中,除了硅这种主要材料之外,一些辅助材料也至关重要,其中有一种名为光刻胶的材料,在芯片制造过程中必不可少,然而,这个材料却长期被日本垄断,中国也在这方面一直被卡脖子。
而最近传出的一个消息,对我国半导体的发展非常不利,日本对中国供应的光刻胶出现了“断供”的现象。美国召开G7峰会后,日本宣布光刻胶断供中国,日本信越化学等光刻胶企业开始限制供应ArF光刻胶产品。
断供光刻胶,对半导体行业的人而言并不陌生,2019年日韩贸易冲突白热化,日本就断供了光刻胶,导致当时全球最大的芯片厂商三星陷入了困境之中。
虽然韩国积极向日本低头求和并开展自救,但芯片生产依然受到巨大影响,间接推动了2020年的芯片短缺。
巧妇难为无米之炊,没有了光刻胶,对于中国的晶圆厂而言是巨大的打击,芯片生产将被迫停止!
好在,光刻胶的国产化进程并不慢,日企断供短短半年时间,南大光电就已经将国产光刻胶投入市场中了。
南大光电,成立于2000年12月,是以南京大学国家863计划研究成果作为技术支持的中国高纯金属有机化合物MO源的产业化基地。
1986年,863计划启动,在高济宇院士的支持和指导下,学者孙祥祯牵头进行MO源的技术攻关。MO源是一种禁运物资,更是生产化合物半导体的源头材料,对我国国防安全、高 科技 民族工业有重要意义。
历经重重困难,孙祥祯带领的课题组终于研制出了纯度大于5.5N的多个品种的MO源,全面向国内近20家研究单位供货,缓解了我国对MO源的急求。
这项工艺不仅促进了国防工业的发展,更为国内化合物半导体材料的发展奠定了原始的基础。
孙祥祯退休后,带领年轻人创立了南大光电,注册资本3770万元,生产拥有自主知识产权的高纯金属有机化合物,是国内唯一实现MO源产业化的企业,公司的技术主要来源便是南京大学863计划中的项目。
公司主要产品有三甲基镓,三甲基铟,三甲基铝,二茂镁等十几种MO源,在产品的合成、纯化、分析、封装、储运及安全操作等方面已达到国际先进水平,产品远销日本、韩国、欧洲市场,并占有大陆70%的市场份额。
作为国内唯一将半导体光学原材料实现量产的企业,南大光电对于光刻胶可以说十分熟悉,也是最有可能突破光刻胶技术的企业。
中国半导体在崛起
光刻胶到底是做什么用的呢?
芯片生产过程中,需要用光学材料将数以万计的电路刻在小小的7nm的芯片上,而这种辅助的光学材料,就是光刻胶。
在光刻胶领域,材料主要分为四种,分别为g线、i线、KrF、ArF光刻胶,半导体工艺越高,光刻机的精度越高,照射的光线频率越高,波长越短。
光刻胶的分辨率会随着光线频率的改变而不断变化,基本的演进路线是:g线(436nm) i线(365nm) KrF(248nm) ArF(193nm) F2(157nm) EUV(
其中,ArF光刻胶的制造难度是最高的,这也是14nm/7nm芯片制造过程中不可或缺的原材料。
芯片的工艺也分等级,平板电脑、 汽车 芯片等工艺水平并不高,这各等级的芯片中国已经实现了从光刻机到芯片的完全自主化生产。真正困难的在于7nm的芯片,也就是华为遭到断供的手机芯片。
这种工艺的手机芯片,不仅需要荷兰ASML先进的EVU光刻机来生产,更需要高端的光刻胶作为辅助材料,以及大量的芯片原材料,才能成功生产出华为手机所需要的芯片。
光刻机被美国和荷兰的公司垄断,现在EVU光刻机对中国处于断供状态,中芯国际花了12亿购买的EVU光刻机至今仍未到货;
芯片原材料,虽然国内已有部分原材料实现自主生产,但是硅片、光掩模、电子特气、抛光材料、溅射靶材、光刻胶以及湿电子化学品这其中原材料完全依赖进口。
在全球光刻胶市场,日本东京应化,JSR,住友化学,信越化学等企业,掌握了全球半导体光刻胶市场的90%左右份额,几乎是垄断的状态。
方正证券的报告显示,中国大陆企业在全球光刻胶领域占有率不到13%,在半导体光刻胶领域更是不足5%,完全被日本卡了脖子!
但是,进入2021年以后,中国半导体行业国产化的趋势越来越强!
首先是光刻机领域,上海微电子已经实现28nm光刻机的量产,预计2022年可以交付,这款光刻机的性能与荷兰ASML的DVU光刻机相似,可以生产14nm制程工艺的芯片。
另外,美国虽然断供了最先进的EVU光刻机,但是制程工艺相对较低的DVU光刻机却没有断供,而荷兰ASML也明确表态过,EVU光刻机也可以用于7nm工艺芯片,英特尔的10nm工艺、台积电第一个7nm芯片,都是用DVU光刻机实现。
这意味着,2022年,现有的光刻机技术或许能够提前量产华为所需的7nm芯片,打破美国封锁。
而生产7nm工艺芯片所需要的ArF光刻胶,在7月2日就已经有国外企业向南大光电订购了,这意味着半导体光刻胶原材料也实现了自主化。
另外,南大光电,容大感光、上海新阳等国内企业,也在持续研发高端光刻胶,争取在现有技术上进一步突破,追上日本的光刻胶技术。
剩下的6种完全依赖进口的原材料,国内的企业肯定也已经发现了商机,正在朝着国产化转变;最关键的两项技术突破后,中国实现手机芯片国产化的日子也就不远了。
空谈误国、实干兴邦,中国的半导体行业,正在默默地奋力追赶,一如这次南大光电突然给市场来个惊喜一样,未来还将会看到更多的一鸣惊人的突破。
中国半导体,正在以惊人的速度崛起!
作者 | 金莱
芯片是横在国民科技企业脖子上的一把刀,要么从外国的手中抢过来,要么自己也造出来和他们对拼。随着华为事情的发酵,国民越发明白在芯片制造上我们多么软弱无力,为此举国上下都卯足了劲儿突破这一难关。最近南大光电传来消息,他们突破了光刻胶这一芯片制造的核心技术。
目前,南大光电已经正式对外界宣布,他们建设完成了国内首条ArF光刻胶生产线,并已经投入生产,这种ARF光刻胶可用于7nm极其以上的芯片制造,意味着我国在7nm芯片制造上,再次突破了一个垄断。
此前我国的光刻胶主要是通过日本进口,并且日本的高端光刻胶产业几乎被美国的对冲资金控制,等同于美国垄断了光刻胶行业。7nm光刻胶产业布局并进入量产,这将对中芯国际的晶圆代工摆脱美国控制提供有力的帮助,实现高端芯片国产化的梦想又更近了一步。
大家都知道,芯片制造上,集成线路是最多的零部件,而在大规模集成电路的制造过程中,有两种方法可以将将他们按照一定的路线和布局安装到有限的芯片面板上,这两种方法就是光刻技术和刻蚀技术,这两种技术是精细线路图形加工中最重要的工艺,越是成熟、高端的工艺,造出的芯片则越小。
现在已经从7nm过度到了5nm的时代,而仅光刻和蚀刻这一道工序,就占了芯片制造时间的一半左右,足见得两道工艺的重要性。这当中光刻工艺要实现就离不开光刻胶,目前市面上有4种类型的光刻胶,其中的主流就是ARF光刻胶,占光刻胶市场份额的40%左右。
光刻胶技术壁垒高,其中最重要的光阻材料,其核心技术被日本和美国把持,几乎垄断了95%以上的核心技术,在企业市场这一块儿也基本只有美日韩三家的市场。
南大光电能通过自主研究,将arf光刻胶突破到7nm-28nm这个水准,已经是个相当不可思议的奇迹了。ARF光刻胶的突破,意味着我国的7nm光刻技术将得到飞跃式成长,只要有了光刻机,造7nm的芯片,几乎就没了问题。
国家自从布局光刻机研究、芯片晶圆代工以后,基本上每个月都在出自己的成绩,足以见得我国的芯片行业已经进入了一个高速发展的时期。
加上几个月前荷兰ASML宣布向我国出售DUV光刻机,以及中芯国际成熟的7nm晶圆代工技艺,就目前的情况来说,我国自主生产7nm的芯片是没问题的。
唯一的问题就在于中芯国际的技术并非全国产化,依然受到美国限制,当然我们也有理由相信我们能做出一套属于自己完整的晶圆代工技艺。
且目前美国已经松了口,很多国际芯片巨头已经恢复了对我国的正常贸易往来,经济全球化的时代谁也离不开谁,不过这一次的松口,将会给我国的芯片发展带来长足的缓冲期,甚至还能像他们学习,获得一些知识,这个窗口期对于国内芯片企业来说,简直就是春天到了。
芯片行业的好消息还有很多,比如华为在自建自己的芯片晶圆代工厂、国家发现更先进的芯片晶圆碳基晶圆,比主流的硅基晶圆强上千倍、百倍;我国突破即使封锁,实现5G射频芯片的设计与生产,此前这项技术全世界只有美国才有;三星与VIVO合作,并且VIVO首发了三星的5nm芯片;小米在美国高通公司有15%的股份,……总之这一切都向着好的方向发展,一切安好,一切向好。
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