国产最新光刻机2022上市了吗知乎（光刻机唯一上市公司2020）

我国芯片2022前半年自给率28纳米光刻机量产没有

近日，有传言称，全国产28纳米产线已经量产，为华为代工的芯片也已经流片成功, 这可能吗？

中芯国际有28纳米生产线，都基本都是美国或者其它国家的半导体生产设备，这肯定受制于人，所以，纯国产的28纳米生产线当然好，其中最重要的是光刻机。

按照上述传言的说法，那就是中国研发成功了28纳米光刻机。实际当然不是如此。中国光刻机技术最强的上海微电子，目前只研发出90纳米的光刻机，一直想研发制造28纳米芯片的光刻机，预计2021年会交货，但最起码2022年才能在芯片厂达成量产。即便如此，上海微电子的这个光刻机技术也不能完全“去美”化。

但为何会有中国研发成功28纳米光刻机的传言呢？是因为最近有另外一个传言，即中国最大电子企业集团公司之一、中国电科推出了28纳米离子注入机，名称像是针对28纳米生产的，但离子注入机和光刻机还不是一回事。

决定芯片良品率高低的因素有很多，最重要的光刻机，而光刻机的一个环节又是离子注入环节。而在离子注入环节中担任“总指挥”的是离子注入机。

离子注入机在芯片制造过程中主要负责对芯片进行电离子改造，按照预定方式改变材料的电性能。在光刻机对芯片进行曝光生产前，离子注入机对硅片进行不同元素掺杂，能够提高芯片的集成度、良品率和寿命。简单来说，离子注入机在芯片制程中起到了优化硅片、提高芯片性能的作用。

我国以前在离子注入机技术方面也很差，这就对光刻机的研发有很大制约，所以，搞定了28纳米离子注入机技术，对研发28纳米光刻机有利，但不能等同于光刻机。

一个光刻机最起码几万个零部件，据悉，离子注入机技术只占光刻机技术的3%左右。

国产破冰芯片制程，2022年底实现。麒麟芯片有救了

2021年6月23日，中国电子信息产业发展研究院。电子信息研究院所所长温晓君，在接受采访时表示。我国将在2022年底完成14纳米,制程的功坚。完成14纳米制成芯片的量产。

某些国家意识到自己，无法阻拦我国的芯片制成的发展。ASML近期提高了，自家中端光刻机的售价。有意思的是，ASML对自家的中低端光刻机降价。又对自家的中端光刻机提价，其意图不言而喻。

事实上。我国的确在2020年，实现了28纳米制程的突破。如今有关14纳米制程的预测。也得到了温晓君的确定。种种迹象表明，国产14纳米芯片真的要来了。首先我们要弄明白，目前半导体市场的趋势。

虽然是比起7纳米制程，14纳米制程比较落后。目前来说，28纳米芯片依旧是主流。14纳米及14纳米，以上制成的半导体芯片。占据整个半导体市场的70%，毕竟智能 汽车 ，智能家居等中低端半导体，这种芯片，占据了大部分的芯片市场。其实28纳米，14纳米的芯片，这些芯片都大多用于。 汽车 和智能家具上。其实这些芯片用于，智能 汽车 和家具上，没有必要用那么。高端的芯片。因为这些芯片，技术成熟不容易出现问题，所以现在的智能家居和 汽车 ，还是用14纳米和28纳米的芯片。28纳米制程也被业界称为黄金线制程，因为这个芯片比较成熟和稳定。

据了解大多数的，中低端5级芯片。其实采用的工艺大多是，14纳米，12纳米。12纳米与14纳米之间的差距并不大。类似于台积电的5纳米，与4纳米之间的区别，只是在工艺上晶体管。排序上做了优化。12纳米是14纳米制成的改进版，设备并未做出太大的改变。也就是说华为的5G,麒麟中低端处理芯片。有望在明年实现量产。目前我们在14纳米制程上,已经攻克了大多数的难题。都实现了从无到有的突破，并且投入了供应链使用。我国实现了全面量产，光刻胶抛光剂等上百种材料，也进入了批量销售。海思现在有个封装专利，两个芯片叠加可以实现7纳米的效果，虽然说我们与国外的,先进半导体制程，还是距离比较大，但是路是一步一步走的。在不远的将来我们一定会赶超上去的，希望我国的半导体产业越来越好。

关于光刻机的消息在哪看

在台积电、三星、格芯等多家半导体企业的努力下，美国芯片禁令的相关限制被逐步打破，老美对华为的禁令也被解除。可让人没想到的是，老美似乎还没有真正放松对半导体设备供应商 ASML的限制。据路透社报道，在今年5月底，美国商务部就宣布已经开始对 ASML停止出口 EUV光刻机所需的材料和技术进行审查。

国产光刻机最新进展2022(中国芯片制造最新消息)(图1)

随后 ASML发布了一则公告称：为了应对美国相关限制法规的变化，公司已经开发出了一种新型 EUV光刻机，正在为实现5nm工艺制造而努力工作。 美国此举无异于让老美芯片禁令再次踩了红线。

一、ASML的现状

ASML的技术在全球范围内处于领先地位，其光刻机更是可以实现7 nm、5 nm工艺制程。据相关媒体报道， ASML目前已经向中国客户交付了超过100台 EUV光刻机，总价值超过了25亿美元。而且在今年下半年，它还将向中国客户交付超过60台 EUV光刻机，预计总价值会达到28亿美元。

国产光刻机最新进展2022(中国芯片制造最新消息)(图2)

目前看来， ASML想要在5 nm制程上取得突破是不可能的事情了，想要实现7 nm制程突破也是不可能的事情。 不过根据消息称： ASML已经开发出了一种新型 EUV光刻机来应对美国对华为的芯片禁令的变化。而且根据其公司发布的公告显示：这种新型 EUV光刻机可能会在2022年推出，也就是说今年下半年 ASML就将完成它最终的制造环节！

国产光刻机最新进展2022(中国芯片制造最新消息)(图3)

根据资料显示： EUV光刻机的原理是在紫外线的照射下，使光敏材料中的感光分子发生化学反应，从而形成一种具有特定波长特征的光波。而在这个过程中所使用的光敏材料就是由荷兰的阿斯麦公司生产。而阿斯麦公司就是全球光刻机领域技术领先者，其能够生产出世界上最先进的光刻机。可以说，我们目前使用到这种ASML出品的 EUV刻线光刻设备就是为了能够超越 ASML，超越全世界所有国家和地区对于我们技术水准提高后所能做出的贡献。

国产光刻机最新进展2022(中国芯片制造最新消息)(图4)

而且根据资料显示：荷兰阿斯麦公司也已经在中国建立了一个生产工厂，将能够生产出 EUV光刻机用于未来5 nm制程上制造手机或者电脑等电子产品。而这对于我们来说是非常重要的一件事情。

二、为什么要放弃台积电

ASML的 CEO也曾表示过，台积电在先进制程上处于领先地位。所以 ASML才会在芯片领域对它展开合作，而台积电也不会让它失望。 但现在看来， ASML已经放弃了在先进制程上与台积电展开合作，因为这对于双方来说都是一件很痛苦的事情。

国产光刻机最新进展2022(中国芯片制造最新消息)(图5)

美国对华为的芯片禁令也会影响到 ASML以后对台积电的合作，所以它就只能选择放弃了。但也有网友表示ASML已经开发出了一种 EUV光刻机，如果 ASML能够成功地将这种 EUV光刻机制造出来的话，那么未来 EUV光刻机的市场也可以被 ASML所占领。如果 ASML能实现这种新型 EUV光刻机的话，那么这将会对世界芯片产业带来很大的影响。

三、美国的芯片禁令还会继续实施下去

对于老美的芯片禁令，中国是坚决反对而不会妥协的，但也不可能放弃。首先，我们必须承认：美国这一禁令对我国是有很大的危害的。在芯片方面，我国是有很强的实力突破 EUV光刻机，可这对于我国来说是不可能实现的。 就算能够实现，那成本也将达到天文数字。

国产光刻机最新进展2022(中国芯片制造最新消息)(图6)

而 EUV光刻机目前只有 ASML才能生产和提供。而且根据业内人士透露： ASML在光刻机方面有着几十年积累了大量先进技术与经验，即便是 EUV光刻机在其手中都有可能出现重大事故。所以说要想突破 EUV光刻机，至少需要十几年的时间才能实现并投入市场使用。但我国不可能坐以待毙，既然已经有了芯片制造方面的突破，那么我们就一定要打破美国所施加的芯片禁令。其次就是我国也一直在为实现芯片自给自足而努力奋斗着！

国产光刻机最新进展2022(中国芯片制造最新消息)(图7)

此前有消息称：我国正在研发自己的光刻机等半导体设备来打破老美对华为的半导体禁运限制。这件事我们已经听闻了很久，如今已经进入到实施阶段。就连中芯国际、华虹半导体等企业都在为实现量产而努力奋斗着！我们有理由相信：只要我国坚定地走下去，终有一天可以实现芯片国产化！可谁也没想到美国却一直在不断践踏我国的努力！

目前中国最先进的光刻机（国产28nm光刻机进展）

;     在新能源飞速发展和产品智能化的大背景下，高科技进入蓬勃发展阶段，所有高科技产品最不可或缺的核心部件就是芯片了。作为以智能手机为主要业务的

      华为

      ，对芯片的需求量更是巨大。

      大家都知道生产芯片最重要的器械就是

      光刻机

      ，但由于受到来自

      漂亮国

      的制约，“实体清单”规则被修改后，

      ASML

      因为生产光刻机的技术有一部分来自于漂亮国，受此影响，连带着芯片代工厂也无法为华为公司提供芯片代工服务。

      华为现在最先进的芯片是采用台积电5nm工艺制作的

      麒麟9000芯片

      ，但随着“限制令”的制约，

      麒麟9000

      芯片的库存正在一天一天减少，在无法获得5G芯片的情况下，华为只能采用

      高通

      的4G芯片，没有

      5G

      芯片的支持，华为的5G手机只能当成4G来用，也因此，华为的手机业务受到了重创。

      事实上，不仅是华为，我国其他高科技企业现在都处于“缺芯”状态。如果要解决“缺芯”难题，首先我们就要解决光刻机的自产自研问题。

中科院

      立功了

      为了实现我国高端光刻机的国产化，中科院长光所、上光所联合光电研究院在2009年，启动了“高NA浸没光学系统关键技术研究”，进行高端光刻机的攻坚。该项目于2017年在长春国科精密验收，曝光光学系统研发核心的骨干人员也在同年间转入长春国科精密继续钻研光刻机技术难题。

      在此之后，国望光学引入

      中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

      ，以及

      上海光学精密机械研究所

      推动国产光刻机核心部件生产。在2016年，国望光学研发出90nm节点的ArF投影光刻机曝光光学系统，之后将继续向28nm节点ArF浸没式光刻曝光学系统研发进攻。

      长春国科经济在2018年也传来好消息，攻克了高NA浸没光学系统的关键技术研究。这也是我国实现完全拥有自主知识产权的高端光刻机曝光光学系统的标志。这些成就的达成都离不开中科院的技术支持，可以说中科院立了大功了。

      为什么要花费那么大的精力去研发曝光光学系统呢?这对光刻机的制造很重要吗?这我们就要从光刻机的工作原理说起了。光刻机又叫掩模对准曝光机，它的工作原理简单地说类似于照片冲印的技术。

      光刻的过程就是在制作好的硅圆晶表面涂上一层光刻胶，然后通过紫外线或深紫外线透过

      掩膜

      版，把上面的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上，在

      光刻胶

      的覆盖下，这些被光线照射到的部分会被腐蚀掉，而没有被照射到的部分就会被保留下来，形成我们所需要的电路结构。所以曝光系统可以说是光刻机的核心组成之一。

国产光刻机正式传来好消息

      根据国望光学在发出的公示，

      投影光刻机曝光光学系统将应用于28nm芯片的批量生产当中。

      在这之前，我国只能制造出用于90nm制程的光刻机，但随着这两项技术的突破，我国对于28nm光刻机制程实现了突破性的进展。

      28nm芯片有着比90nm芯片更加优越的性能，用途也更加广泛，尤其是对于新能源产业，如新能源汽车或者智能家居产业填补了对于28nm芯片缺失的空缺。

      此外，根据媒体消息，上海微电子也做出披露，在2021到2022年将会交付出第一台28nm工艺的国产沉浸式光刻机。这表明我国完全能实现28nm芯片自由。拥有完整的知识产权和自主产业链，就无畏海外市场在芯片上对我们“卡脖子”了。

      虽然28nm芯片已经能满足大部分的生产需求，但是对于华为这些手机厂商和其他一些国产芯片来说，28nm的精度还是不够用的，接下来我国的下一步目标便是进行5nm制程光刻机的攻克，手机对于芯片的精度要求要更高，所以目前我国还是不能停下研发的脚步。

      虽然目前我国还没研发出5nm制程的光刻机，但已经可以制造出5nm制程的刻蚀机了，这对于我国芯片发展也是一个鼓励性的好消息。

      成果是喜人的，但如果拿来与世界上最先进的7nm制程光刻机比的话还是远远不够的，国产化光刻机的道路还要走很远。