国产光刻机进展迅速（国产光刻机进展迅速的原因）

国产光刻机新突破！美国发放2614亿补贴，理性分析：赶超才刚开始

值得说明的是，这已经是继六月份CHIPS法案（为五角大楼和其它政府运行机构的芯片制造项目提供最少120亿美元的资金）以来第二项针对半导体行业的资助，如果通过，将会像为美国芯片制造行业带来370亿美金（合计2614亿人民币）的补贴。

国产28纳米光刻机将量产，美国慌了

众所周知，美国在高 科技 行业有着几乎垄断的地位，此次针对芯片制造行业的巨额补贴一方面展现了美国政府对于高 科技 行业的重视，但更重要的一点是面对我国在芯片领域的不断进步有点慌张了，据悉，上海微电子于六月透露，将在明年或后年交付首台国产的28纳米工艺浸没式光刻机，此前国内的光刻机制造工艺还停留在90纳米。

光刻机的制造并非是一夕而成的，和国外相比，国内的光刻机技术起步较晚，又受到了西方国家相关技术的封锁，在研发的道路上只能摸着石头过河，甚至是芯片制造行业的权威人士，台积电创始人张忠谋也曾表示不看好大陆的芯片制造行业，此次上海微电子在光刻机制造上的重大突破，无疑是国内 科技 产业对于西方技术封锁的一次有力回击。

尖端技术的突破，离不开国家的帮助

作为目前最为精密的设备，光刻机的制造无疑是非常困难的，即便是在该领域内技术最为先进ASML公司，在制作光刻机的时候也需要德国的机械工艺、日本的复合材料、瑞典的工业机床技术以及美国提供的光源，在西方技术的封锁之下，国产光刻机更是寸步难行，面对如此困境，我国在2014年就以成立了国家集成电路产业投资基金，投资了多家半导体公司，在2018以及2019两年，我国对芯片业的投资金额也高达220亿元。

在国家的大力支持下，我国在芯片制造行业也有着许多新的进展，中微半导体的5纳米蚀刻机已经通过了台积电的验证，并将正式运用于今年5纳米芯片的发展，处于世界领先地位；还有制造芯片中的关键设备离子注入机也达到了国际先进水平，除此之外，还有南大光电的光刻胶打破了日本企业的垄断地位，都展现出了国产半导体技术蒸蒸日上的势头。

差距不容忽视，光刻机技术仍然落后

虽然上海微电子在国产光刻机制造商得到了突破，但是回归理性，我们还是不得不承认，28纳米的光刻机和荷兰ASML公司的5纳米光刻机仍然存在着巨大的差距，而且这种差距并非是一朝一夕就能够赶上的，以美国为首的西方国家对于我国的技术进步也必将采用更加严苛的技术封锁手段。

不只是光刻机，国内还有许多技术在不断的追赶着西方国家的脚步，我相信只要有足够的时间，技术的反超并非是完全没有可能的，那么你怎么看待国产光刻机的突破呢？一起来聊一下吧！

国产光刻机飞速发展，能摆脱ASML吗？

因为光刻机制造工艺不存在科学基础理论的限制，全部都是工程问题，而工程问题就是资源和时间投入够了，一定搞得出来。连航发我们都快搞出来了，光刻机为什么搞不出来？

反过来说，过去我们造不出来，原因不是我们不能造，根源是我们的产业政策：

过去我们的产业政策是与西方国家形成互补，继而形成政治互信，最后达成长期和平：这是我们过去的和平观。但问题是我们高看的西方人：原来他们无法接受我们与他们平起平坐，硬要和我们用实力说话，逼迫我们的产业和他们脱钩。

这样我们不得不在过去产业的空白处发力。

回答上面某些答主说的“高端人才”“流失”问题，我请你们反过来想一个问题，如果国内的产业尚不成气候，而且国家的产业政策不准备发力，而你作为这个产业的人才，你怎么选择？ 如果你想报效国家，正确的选择是什么？去大学和同僚们卷？去研究所和同事们卷？ 毫无疑问，正确的选择是去国外苟，去学习，等时机成熟，发力。

简单来说，中国产业人才的回国率，其实取决于，我们的产业独立程度有多高，以后回来的人只会越来越多，凡是回不来的，只有可能是中国不要的。

再说了，某些高校有留外传统，他们不去国外占领关键岗位，谁去收留大量去国外留学的中国学生？绝大多数出国留学的学生都回来了，总要有留下殿后的吧？

再说了，谁说高端人才毕业必须是清华大学毕业的，歼20研制总师就不是。

回来说说光刻机，光刻机不能急，原因是这是个产业集群，涉及到材料、精密制造和众多环节的工业配合，需要时间沉淀。

此外，这个节骨眼需要低调的。没消息，其实是好消息！

为什么我认为，航发比光刻机难搞。物理学上，流体力学理论方向基础科学理论瓶颈之一，而且是越是高温和高速，越麻烦。从设计、制造到最终应用，除了一点点试验，一点点积累，没有别的好办法，走不了捷径。而航发的研制就会撞到流体力学理论的瓶颈。

但光刻机的研制，据我所知，至少在精密光学与机械加工这方面，没有已知的理论瓶颈，而且我国的工业基础还不错。瓶颈反而在光刻部分，也就是说光刻机造出来，和光刻机好用完全是两回事。所以，光刻制造的真正瓶颈，不是制造这台机器，而是如何嵌入成熟的半导体制造体系。

b站上看过很多大佬谈国家产业规划，意见基本完全一致：

14五期间解决成熟工艺的材料和设备国产化问题，15五在去突进先进制程。

看样子，国家的决策者们头脑清醒，产业政策也很得当，如果还有那么强的执行力，你怀疑不会成功？

国内传来消息，清华大学科研成果再立功，光刻机之路一片坦途

相信很多人都知道，华为被芯片禁令限制了进一步的发展，但这个限制也仅仅是在制造端，而不是设计端。此前华为任正非就曾表示，所谓封锁也只是封锁了制造芯片的光刻机等设备，而并不能阻碍中国自主研发设计芯片的发展。这意味着，华为是有能力设计出全球最顶尖的芯片，而仅仅是受制于制造端。

杀不死我的必将使我更加强大，就在芯片禁令生效之后，华为内部甚至中国企业，纷纷都开始重新认识自主研发 科技 的重要性。将重要的 科技 掌握在自我手中，不用再受制于人，是每一个出海的中国企业必须面临的问题。与此同时，也开始投入重金在半导体 科技 领域。

这次卡脖子的光刻机技术，是重中之重。不过国外的各种公司却依然投来了鄙视的目光，认为光靠中国自主技术去研发，根本不可能设计出自研芯片。随着国外势力的这种冷嘲热讽，中国各高等院校开始加入了这一场反击战。

让技术的回归技术，光刻机在内部结构中，最主要的三个部件就是光源、光学镜头，以及双工件台系统了。

最近一段时间，年初开始进行光刻机研究的清华科研队伍，终于取得了新的突破。唐传祥带领的科研团队，通过新的验证方式，获得了一种新型加速粒子，命名为稳态微聚束。而它最重要的波长对应的波段，刚好是EUV光刻机所需要的核心光源技术。

这一消息被证实后，许多国外的光刻机设备工程师都不由地赞叹，该来的还是来了。这一步骤的完成，将预示着中国自造的光刻机研发成果，已经进入了新的里程碑。

这个消息也让很多关心中国光刻机进展的朋友们，大为惊讶。也发出了另一种赞叹的声音，有可能中国将在未来几年之内获得更快速的进展，包括了目前难以攻克的光刻机设备。不过来自国内的声音，清华大学科研的成功，预示着光刻机高精尖技术的加速，可能真的用不了几年就能收获更大的惊喜。

果不其然，据最新媒体的报道显示，清华科研团队参与的项目中，华卓精科研发的成果方面，本身产品的应用精度已经达到了世界先进水平，1.8nm的参数足以媲美当今先进的光刻机标准。

而我们知道，双工件是ASML这家机构最看重的技术。ASML不用多解释，作为世界最先进的 光刻机设备制造商，实力非常雄厚。这次清华团队的研究成果能够匹配ASML的1.8nm水平，就已经说明了我国的实力，毕竟连日本的尼康等公司，都没有能够做到1.8nm的水平。

这个结果足以打脸国外之前那些媒体，另外除了我国的高等院校参与之外。目前，中科院的高能辐射光源设备，也已经能够用0.1nm镀膜的参数，全力投入使用。

至此目前EUV光刻机所需的三大件均已完成里程碑的突破，这标志着量变终于引起了质变。国内的中科院教授同样发出这样的感叹，有这样的进度和人才储备，未来3年之内完成光刻机的初步模型，指日可待。

而国外ASML一直以来唱衰中国自研科学实力的做法，其实也很容易理解。一来是各国所处的角度不同，二来是很担心中国来冲击到它的世界光刻机的地位。

打铁还需自身硬，中国自研 科技 实力一步一步增强，也让竞争对手们胆寒。 科技 的博弈是未来的主旋律，不断增强人才储备和技术科研成果的更新，才能够不落后。核心技术就要掌握在自己手中，中国芯势必会走出一条自己的康庄大道。