2023年量产。
6月22日,中国电子信息产业发展研究所所长温晓军在接受采访时表示,国产14nm芯片明年年底可以的实现量产,国产芯片已经迎来了最好的时刻。
14nm生产线在半导体行业中非常关键,数据显示,14nm及以上制程可以满足目前70%半导体制造工艺要求。值得一提的是,我国自研台式电脑CPU就是基于14nm工艺。而且,相关部门为中国半导体产业制定的发展目标是2025年实现70%芯片自给自足。
光刻机特点
严格地说并没有所谓的几纳米几纳米光刻机,这种说法一般来说只是代表这种光刻机可以实现几纳米工艺。其实中高端光刻机主要分2种,DUV光刻机和EUV光刻机。
那么光源作为光刻机的核心部件之一,随着人类科技的不断进步,其波长也在不断缩小。从436nm、365nm的近紫外光,到248nm、193nm的深紫外光,也就是DUV光刻机使用的光源,发展到现在,最先进的EUV光刻机采用的已经是13.5nm极紫外光。
中国目前已经有了成熟的光刻机产品,只是说在技术水平上和光刻机的领头羊ASML差距比较大而已。
我国企业已经量产了90nm制程的光刻机虽说中国在中高端光刻机市场缺乏竞争力,但是在低端光刻机领域还是占据了相当大的市场。目前国内最好的光刻机企业是上海微电子,已经能够生产出来90nm制程的光刻机;据相关报道该企业的28nm制程的光刻机将于2021年正式量产,有生产出7nm芯片的能力。不过现在并没有成品曝光,相关的数据暂时还不能确定。现在的难点就是如何在中高端光刻机领域取得突破,如果一直只是在低端市场摸爬滚打,那么最后的收益相当有限。
光刻机技术落后其实是历史遗留问题其实在上世纪八十年代的时候中国光刻机技术处于世界领先水平,当时ASML还只是一个小公司,在众多企业中并不显眼。为什么中国的光刻机最终全面落后?主要有外企进入中国和不舍得花钱两个原因。在八十年代大量的外企进入中国,带来了众多成熟的产品和技术,芯片就是当时技术含量最高的商品之一。外企的芯片相较于国内的企业来说质量好价格也便宜,于是众多的企业纷纷开始直接购买外企的成品而放弃了自主研发。由于缺乏国内订单大量光刻机企业开始谋求转型,再加上当时国家也并没有进行相关扶持,最终在光刻机领域就慢慢的落后其他国家。
目前国内的研发环境并不算好毫无疑问光刻机算的上目前科技界最顶尖的技术之一,这种技术要完成赶超需要不断的和其他国家交流合作,从他们的产品中吸取经验和教训,进而才能在有限的时间内完成赶超。但是现在是什么情况呢?国外的企业在光刻机领域纷纷拒绝合作,我们只能选择闭门造车。只要美国不放松对国内光刻机企业的围追堵截,那么我们只能投入巨额的资金和技术慢慢追赶。不过ASML公司的产品已经和国内产品差距太大,短时间内没有任何追赶上的可能性。如果我们想要绕过现有的光刻机技术走出一条自研道路,那么需要的时间可能更久。从目前的形势上看,我们的光刻机如果想追上现在国际一流水准的话最起码都要十年以上,想要完成赶超更是天方夜谈。不过现在压力大也是好事,在强压的下的中国企业肯定会更有拼劲,说不定未来会创造奇迹呢?
近日,有传言称,全国产28纳米产线已经量产,为华为代工的芯片也已经流片成功, 这可能吗?
中芯国际有28纳米生产线,都基本都是美国或者其它国家的半导体生产设备,这肯定受制于人,所以,纯国产的28纳米生产线当然好,其中最重要的是光刻机。
按照上述传言的说法,那就是中国研发成功了28纳米光刻机。实际当然不是如此。中国光刻机技术最强的上海微电子,目前只研发出90纳米的光刻机,一直想研发制造28纳米芯片的光刻机,预计2021年会交货,但最起码2022年才能在芯片厂达成量产。即便如此,上海微电子的这个光刻机技术也不能完全“去美”化。
但为何会有中国研发成功28纳米光刻机的传言呢?是因为最近有另外一个传言,即中国最大电子企业集团公司之一、中国电科推出了28纳米离子注入机,名称像是针对28纳米生产的,但离子注入机和光刻机还不是一回事。
决定芯片良品率高低的因素有很多,最重要的光刻机,而光刻机的一个环节又是离子注入环节。而在离子注入环节中担任“总指挥”的是离子注入机。
离子注入机在芯片制造过程中主要负责对芯片进行电离子改造,按照预定方式改变材料的电性能。在光刻机对芯片进行曝光生产前,离子注入机对硅片进行不同元素掺杂,能够提高芯片的集成度、良品率和寿命。简单来说,离子注入机在芯片制程中起到了优化硅片、提高芯片性能的作用。
我国以前在离子注入机技术方面也很差,这就对光刻机的研发有很大制约,所以,搞定了28纳米离子注入机技术,对研发28纳米光刻机有利,但不能等同于光刻机。
一个光刻机最起码几万个零部件,据悉,离子注入机技术只占光刻机技术的3%左右。
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