芯片刻蚀液可以用稀硝酸代替吗（芯片刻蚀液可以用稀硝酸代替吗为什么）

各位大侠小弟在PCB板的蚀刻这一步时，最后有个过程叫酸洗，这个过程里面有硫酸吗？它不会腐蚀表面的铜吗？

答：从楼上回答的情况来看，你采用的是碱性蚀刻，蚀刻工序完成后有的用酸洗，有的用氨水洗，其实都问题不是太大。酸洗用的最多的就是硫酸，因为稀硫酸一个是经济，二个是不会腐蚀铜的表面。可能你不太了解，我说明一下，稀硫酸是不与铜直接反应的，而会与铜的氧化物反应，所以在线路板电镀的时候前处理用的微蚀（或粗化）液中除了硫酸还一定存在有氧化剂（一般用双氧水、过硫酸铵、过硫酸钠等）先把铜氧化，然后硫酸再把氧化层蚀掉。碱性蚀刻后用酸洗的目的是洗掉表面的氧化层，使线路板表面看起来外观好看，但是如果后面还有退锡的话，这道工序可有可无。 如果是镀铜镍的话,对镍表面有一定的腐蚀作用,去掉表面的氧化层.盐酸硝酸是对铜有腐蚀作用的。

想在不锈钢板和铜板里蚀刻一个图案，请问用什么化学品最好？需要注意什么？浓度又是多少？

1、用石蜡做表面覆盖；

2、雕刻你需要的花纹，此时石蜡会被刻刀带走，裸漏出金属表面；

3、使用稀硝酸进行腐蚀操作，不要用浓硝酸，会激烈反应喷溅伤人，浓度控制在30%到45%左右的稀硝酸即可；

4、准备好做馒头用的碱面，万一伤人或者低落地面、桌面，马上用这个覆盖，然后用大量水清洗即可。

实验室配制溶液能否用工业硝酸代替硝酸？

当然不能，实验室做实验元素必须很准确的。工业上的杂质太多。

硝酸酒精腐蚀可以刻蚀银嘛？

可以，硝酸能和银发生反应生成硝酸银。

稀硝酸和银反应的反应方程式

浓硝酸和银的反应方程式

个人推荐用稀硝酸，因为从方程式可以看出来，1mol稀硝酸比1mol浓硝酸消耗掉银含量多，而且稀硝酸不易挥发。

半导体光刻工艺之刻蚀——湿法腐蚀

在湿法腐蚀的过程中，通过使用特定的熔液与需要腐蚀的薄膜材料进行化学反应，进而除去没有被光刻胶覆盖区域的薄膜。

湿法腐蚀的优点是工艺简单，但是在湿法腐蚀中所进行的化学反应没有特定方向，所以会形成各向同性的腐蚀效果。各向同性是湿法腐蚀固有的特点，也可以说是湿法腐蚀的缺点。湿法腐蚀通常还会使位于光刻胶边缘下边的薄膜也被腐蚀，这也会使腐蚀后的线条宽度难以控制，选择合适的腐蚀速度，可以减小对光刻胶边缘下边薄膜的腐蚀。

在进行湿法腐蚀的过程中，熔液里的反应剂与被腐蚀薄膜的表面分子发生化学反应，生成各种反应产物。这些反应产物应该是气体，或者是能溶于腐蚀液中的物质。这样，这些反应产物就不会再沉积到被腐蚀的薄膜上。控制湿法腐蚀的主要参数包括：腐蚀溶液的浓度、腐蚀的时间、反应温度以及溶液的搅拌方式等。由于湿法腐蚀是通过化学反应实现的，所以腐蚀液的浓度越高，或者反应温度越高，薄膜被腐蚀的速率也就越快。此外，湿法腐蚀跌反应通常会伴有放热和放气。反应放热会造成局部反应温度的升高，使反应速度加快；反应速率加快又会加剧反应放热，使腐蚀反应处于不受控制的恶性循环中，其结果将导致腐蚀的图形不能满足要求。反应放气产生的气泡会隔绝局部的薄膜与腐蚀的接触，造成局部的反应停止，形成局部的缺陷。因此，在湿法腐蚀中需要进行搅拌。此外，适当的搅拌（例如使用超声波震荡），还可以在一定程度上减轻对光刻胶下方薄膜的腐蚀。

目前常用的湿法腐蚀的材料包括：Si，SiO2和Si2N4等，下面我们将对此进行简要讨论。

一、Si的湿法腐蚀

在湿法腐蚀Si的各种方法中，大多数都是采用强氧化剂对Si进行氧化，然后利用HF酸与SiO2反应来去除SiO2，从而达到对硅的腐蚀目的。最常用的腐蚀溶剂是硝酸与氢氟酸和水（或醋酸）的混合液，化学反应方程式为

Si+HNO3+6HF——H2SiF4+HNO2+H2O+H2

其中，反应生成的H2SiF4可溶于水。在腐蚀液中，水是作为稀释剂，但最好用醋酸（CH3COOH），因为醋酸可以抑制硝酸的分解，从而使硝酸的浓度维持在较高的水平。对于HF-HNO3混合的腐蚀液，当HF的浓度高而HNO3的浓度低时，Si膜腐蚀的速率由HNO3浓度决定（即Si的腐蚀速率基本上与HF浓度无关），因为这时有足量的HF去溶解反应中生成的SiO2.当HF的浓度低而HNO3浓度高时，Si腐蚀的速率取决于HF的浓度（即取决于HF溶解反应生成的SiO2的能力）。

对Si的湿法腐蚀还可以用KOH的水溶液与异丙醇（IPA）相混合来进行。对于金刚石或闪锌矿结构，（111）面的原子比（100）面排的更密，因而（111）面的腐蚀速度应该比（100）面的腐蚀速率小。 采用SiO2层作为掩膜对（100）晶向的硅表面进行腐蚀，可以得到V形的沟槽结构。如果SiO2上的图形窗口足够大，或者腐蚀的时间比较短，可以形成U形的沟槽。如果被腐蚀的是（110）晶向的硅片，则会形成基本为直壁的沟槽，沟槽的侧壁为（111）面。这样就可以利用腐蚀速率对晶体取向的依赖关系制得尺寸为亚微米的器件结构。不过，这种湿法腐蚀的方法大多采用在微机械元件的制造上，在传统的集成电路工艺中并不多见。

二、SiO2的湿法腐蚀

SiO2的湿法腐蚀可以使用氢氟酸（HF）作为腐蚀剂，其反应方程式为：

SiO2+6HF——SiF4+2H2O+H2

在上述的反应过程中，HF不断被消耗，因此反应速率随时间的增加而降低。为了避免这种现象的发生，通常在腐蚀液中加入一定的氟化氨作为缓冲剂（形成的腐蚀液称为BHF）。氟化氨分解反应产生HF，从而维持HF的浓度。NH4F分解反应方程式为

NH4F——NH3+HF

分解反应产生的NH3以气态被排除掉。

在集成电路工艺中，除了需要对热氧化和CVD等方式得到的SiO2进行腐蚀外，还需要对磷硅玻璃（简称PSG）和硼磷硅玻璃（简称BPSG）等进行腐蚀。因为这些二氧化硅层的组成成分并不完全相同，所以HF对这些SiO2的腐蚀速率也就不完全一样。基本上以热氧化方式生成的二氧化硅层的腐蚀速率最慢。

三、Si3N4的湿法腐蚀

Si3N4也是一种常用湿法腐蚀的材料。Si3N4可以使用加热的磷酸（130-150度的H3PO4）来进行腐蚀。磷酸对Si3N4的腐蚀速率通常大于对SiO2的腐蚀速率。

谁知道蚀刻用的溶液怎么配制，需要那几样产品。

铁蚀刻液配方：

硝酸 25%

三氯化铁45°Be 　 25%

水 50%

蚀刻温度：　30-50度

不锈钢蚀刻液配方：

1、浓盐酸 210克/升

浓硝酸 200克/升

冰醋酸 20克/升

氢氟酸 200克/升

磷酸氢二钠 12个结晶水 12克/升

水 358克/升

蚀刻温度： 30-50度

2、 浓盐酸 　 586毫升/升

浓硝酸 80.5毫升/升

氯化镍 9.6克/升

三氯化铁 344.5克/升

水 加水到一升。

蚀刻温度：24-60度

3、三氯化铁（45-48）°Be 65%

蚀刻温度：　30-50度

4、三氯化铁（30-42）°Be 　 67%

双氧水 16%

氢氟酸 17%

蚀刻温度：　30-50度

4、三氯化铁（40-45）°Be 　 65%

双氧水 10%

氢氟酸 25%

蚀刻温度：30-50度

注意：不锈钢材料的成份不同所采用的蚀刻液配方也应不同。

钛金板蚀刻液配方： 在腐蚀之前，先用氢氟酸或用氟化钠水溶液少量盐酸擦洗把表面钛金膜去掉，再用不锈钢腐蚀液蚀刻。

材料：500ml可乐瓶（根据刀具大小而定）、碳棒（一号干电池）、油性记号笔（日本进口的，要最粗的那种，黑色的）、36v电瓶车充电器、盐酸、钢针

刀友——刀文化主题论坛介绍了个好办法，你可以一试，主题论坛地址：

步骤：1、将刀具打磨到800目、盐酸稀释（20：80）

2、用油性记号笔将刀具全部涂满（要保护的部分），等干后再涂第二遍，至少四遍。。。

3、可乐瓶、碳棒、36v电瓶车充电器连接方法可看老贴、将稀释盐酸倒入容器

4、用钢针刻画出要腐蚀的图案

5、将刀具连接正极放入容器、通电电解，并不时搅动

时间：20~45分钟

结果：图案清晰、细致，深度根据腐蚀电解时间长短