在芯片界,光刻机是很多芯片制造公司争相抢购的机器,和一般机器不同的是,光刻机是专门用来制造芯片的。如果是用来生产5nm芯片的话,更是需要EUV光刻机。
台积电和三星希望购得更多的EUV光刻机,花钱都是小事,三星会长李在镕甚至亲自到荷兰ASML会见该公司高层,就是希望可以得到优先供货。可见光刻机有多么重要。
而我国中科院也宣布要入局光刻机,在光刻机的布局上,全力加速。可以预见的是,一旦中国生产出了纯国产光刻机,可以在一定程度上解决国内芯片供应问题。
为了实现这个目标,自然是需要大量光刻机投入到芯片制造产业中的,仅仅靠国外进口的话,别人未必有条件出售光刻机,而一劳永逸的办法就是自己生产制造。只不过想要实现EUV光刻机的生产能力,确实还有一段路要走了。
那么光刻机的布局要如何延续呢?一则消息传来,中科院再迎新技术突破,高端光刻机可能成为其次了。
中科院正式宣布,8英寸石墨烯单晶圆成功亮相,在尺寸和产品质量上都是处于国际领先地位的。中科院在石墨烯芯片材料上迎来了技术突破,什么是石墨烯,石墨烯芯片又是什么呢?
石墨烯作为一种新型材料,在多项领域都能实现很好的应用,具备优异的光学、电学和力学特性。世界各国在对石墨烯材料的研究中,都没能取得比我国更深入的进展,因为我们成功将8英寸石墨烯单晶圆亮相,将来可能用在芯片上。
大家都知道,传统的芯片都是硅基芯片,用硅作为芯片的材料,现有的一切技术,纳米制程,光刻机工艺都是针对硅基芯片展开的。
在一堆沙子中提取纯度为99.9999%的硅,最终制成单晶硅棒,再通过一系列的切割、蚀刻、曝光、光刻、封装等工艺,才能把硅基芯片制造出来。整个制造过程中对光刻机的依赖性是非常大的,没有光刻机,一颗芯片都造不出来。
而石墨烯芯片也被称为碳基芯片,性能是硅基芯片的十倍,而且不会过度依赖高端光刻机。可能以现有的国产光刻机水平,就能生产出性能不错的碳基芯片。
如果能够在石墨烯芯片 探索 上更进一步,完善碳基芯片的生产,那么芯片界或迎变局。这时候再看国内布局光刻机的进展,被视作可能是一个“幌子”,用碳基芯片替代高端光刻机的布局。
而石墨烯芯片的意义也是十分重大的。国际主流的芯片技术都是硅技术,我们想要赶上别人领先十几年的技术,一时半会不太可能。但如果能凭借石墨烯的碳基芯片,是不是就能实现换道超车。
这项意义可谓十分重大,而且在该领域上,各国都未能形成有效的芯片材料替代方案。随着我国8英寸石墨烯单晶圆的面世,或许未来能实现这一切,也未可知。
机会从来都是自找的,主动抓住机会,才能迎来变局,迎来机遇。
光刻机就目前市场局势而言,还是很重要。短期内相信国内的 科技 企业还会继续攻克光刻机技术,而长期的发展来看,石墨烯碳基芯片也能作为一种替代方案。
正所谓有备无患,技多不压身,多掌握一项核心技术,那么在该领域就有更大的话语权,主动权。不至于对方一条规则的发布,就要被卡脖子。
最好的情况是两手抓,把各项不足的地方都给补上,并形成自己的技术体系。这样才不会陷入被动。
你认为石墨烯芯片可行吗?
相信很多人都知道,华为被芯片禁令限制了进一步的发展,但这个限制也仅仅是在制造端,而不是设计端。此前华为任正非就曾表示,所谓封锁也只是封锁了制造芯片的光刻机等设备,而并不能阻碍中国自主研发设计芯片的发展。这意味着,华为是有能力设计出全球最顶尖的芯片,而仅仅是受制于制造端。
杀不死我的必将使我更加强大,就在芯片禁令生效之后,华为内部甚至中国企业,纷纷都开始重新认识自主研发 科技 的重要性。将重要的 科技 掌握在自我手中,不用再受制于人,是每一个出海的中国企业必须面临的问题。与此同时,也开始投入重金在半导体 科技 领域。
这次卡脖子的光刻机技术,是重中之重。不过国外的各种公司却依然投来了鄙视的目光,认为光靠中国自主技术去研发,根本不可能设计出自研芯片。随着国外势力的这种冷嘲热讽,中国各高等院校开始加入了这一场反击战。
让技术的回归技术,光刻机在内部结构中,最主要的三个部件就是光源、光学镜头,以及双工件台系统了。
最近一段时间,年初开始进行光刻机研究的清华科研队伍,终于取得了新的突破。唐传祥带领的科研团队,通过新的验证方式,获得了一种新型加速粒子,命名为稳态微聚束。而它最重要的波长对应的波段,刚好是EUV光刻机所需要的核心光源技术。
这一消息被证实后,许多国外的光刻机设备工程师都不由地赞叹,该来的还是来了。这一步骤的完成,将预示着中国自造的光刻机研发成果,已经进入了新的里程碑。
这个消息也让很多关心中国光刻机进展的朋友们,大为惊讶。也发出了另一种赞叹的声音,有可能中国将在未来几年之内获得更快速的进展,包括了目前难以攻克的光刻机设备。不过来自国内的声音,清华大学科研的成功,预示着光刻机高精尖技术的加速,可能真的用不了几年就能收获更大的惊喜。
果不其然,据最新媒体的报道显示,清华科研团队参与的项目中,华卓精科研发的成果方面,本身产品的应用精度已经达到了世界先进水平,1.8nm的参数足以媲美当今先进的光刻机标准。
而我们知道,双工件是ASML这家机构最看重的技术。ASML不用多解释,作为世界最先进的 光刻机设备制造商,实力非常雄厚。这次清华团队的研究成果能够匹配ASML的1.8nm水平,就已经说明了我国的实力,毕竟连日本的尼康等公司,都没有能够做到1.8nm的水平。
这个结果足以打脸国外之前那些媒体,另外除了我国的高等院校参与之外。目前,中科院的高能辐射光源设备,也已经能够用0.1nm镀膜的参数,全力投入使用。
至此目前EUV光刻机所需的三大件均已完成里程碑的突破,这标志着量变终于引起了质变。国内的中科院教授同样发出这样的感叹,有这样的进度和人才储备,未来3年之内完成光刻机的初步模型,指日可待。
而国外ASML一直以来唱衰中国自研科学实力的做法,其实也很容易理解。一来是各国所处的角度不同,二来是很担心中国来冲击到它的世界光刻机的地位。
打铁还需自身硬,中国自研 科技 实力一步一步增强,也让竞争对手们胆寒。 科技 的博弈是未来的主旋律,不断增强人才储备和技术科研成果的更新,才能够不落后。核心技术就要掌握在自己手中,中国芯势必会走出一条自己的康庄大道。
中国的光刻机现在达到22纳米。在上海微电子技术突破之前,我国国产光刻机还停留在只制造90nm芯片的阶段。这一次中国从90nm突破到22nm,意味着光刻机制造的一些关键核心领域实现了国产化。掌握核心技术的重要性不言而喻。突破关键区域后,高阶光刻机的RD速度只会越来越快。国产光刻机突破封锁,成功研发22nm光刻机。中国芯逐渐崛起。随着信息社会的快速发展,手机、电脑、电视等电子设备变得越来越“迷你”。从以前的“手机”到现在只有几个硬币厚的时尚手机,从老式的矮胖电视到现在的轻薄液晶电视,无一不离开集成电路的发展,也就是我们通常所说的“芯片”。自从1958年世界上第一块集成电路问世以来,体积越来越小,性能却越来越强。光刻机是半导体芯片制造行业的核心设备。以光刻机为代表的高端半导体设备支撑着集成电路产业的发展,芯片越来越小,集成电路越来越多,可以把终端做得小而精致。2002年,光刻机被列入国家863重大科技攻关计划,由科技部和上海市共同推动成立上海微电子设备有限公司(以下简称“SMEE”)。2008年,国家启动了“02”重大科技项目,持续攻关。经过十余年的研发,我国基本掌握了高端光刻机的集成技术,部分掌握了核心部件的制造技术,成为集光学、机械、电子等多学科前沿技术于一体的“智能制造行业的珠穆朗玛峰”。
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