光刻胶国产（光刻胶国产替代龙头）

打破垄断！国产光刻胶巨头拿下关键订单

芯片制造是基础核心，通过制造完成一系列的芯片产品运用，并且实现各大 科技 创新的突破。可是生产一颗芯片需要涉及到上千家供应商，几千个步骤环节。一台芯片制造设备的背后，需要用上各国顶级的技术。

外界只知道芯片制造需要用上光刻机设备，殊不知光刻胶也是至关重要的。通过光刻胶对硅膜片进行曝光，保护衬底表面，推动芯片制造的顺利进行。

而光刻胶最高的品质是ArF，是生产成熟，高端工艺芯片的必备材料。好消息是，国产光刻胶巨头南大光电正处于这一品质水准。

根据南大光电的互动平台消息显示，南大光电的ArF产品已经拿到了小批量订单。通过自主研发的ArF光刻胶可以覆盖90nm至14nm，甚至7nm制程的高端芯片制造环节也能实现运用。

所以能够确认，国产光刻胶巨头拿下了关键订单，在14nm、7nm范围内都能实现覆盖。

南大光电的ArF光刻胶已经通过了客户认证，并进入到生产线，拿到订单的关键阶段。这意味着国产光刻胶正在打破海外垄断，有望实现崛起。

中国在光刻胶市场在参与者一直是比较低的，国内很多晶圆厂都需要从日本进口光刻胶。尤其是在ArF光刻胶领域，日本信越化学有非常大的话语权。

当全球面临芯片紧缺危机时，信越化学无法向国内提供足够的光刻胶，因此宣布断供，等产能恢复再进行供应。

如此一来，对国外半导体制造行业将带来不可避免的影响。虽然是因产能不足而导致断供，但也让我们意识到掌握自主供应能力的重要性。否则对方只要断供，不管什么原因都会面临卡脖子。

还有日本其余的JSR、富士电子材料等巨头也长期占据光刻胶市场，日本曾向韩国断供光刻胶出口，结果韩国束手无策。只因日本在光刻胶产业达到了垄断地位。

然而随着南大光电实现自研ArF光刻胶的客户认证，拿到小批量订单，已经在一定程度上打破垄断了。接下来南大光电只需要不断提升产能，占据国内外光刻胶市场的重要地位，提升ArF光刻胶可覆盖范围和实际运用，就有望助力国产光刻胶实现崛起。

ArF光刻胶可实现成熟工艺至高端工艺制程的运用，目前南大光电实现了55nm成熟制程的良率测试，后续将瞄准14nm，7nm乃至更高端工艺的研发突破。

光刻胶只是芯片制造的其中一大产业链，核心市场，高端工艺技术一直把控在日本手中。还有其余的光刻机、芯片制程等设备技术需要从国外进口。虽然芯片是国产企业生产的，但设备技术却是国外的。

然而，国产芯片供应链正在补足，不仅能够由国产企业参与制造芯片，其背后光刻胶，光刻机等材料，设备供应链都能通过中国企业自研的技术来实现满足。

南大光电的ArF光刻胶已经取得显著成就，上海微电子也在努力攻克28nm，相信要不了几年就能实现国产28nm的交付。

而且业内判断国产28nm，14nm会在今年，明年底之前量产。实现量产的背后，其实就是一家家国产企业在补足供应链。将来不只是补足供应链，还能实现各大供应链实力的崛起。

南大光电实现了ArF光刻胶工艺的巨大进步，并成功获得关键订单，实现小批量出售。不只是南大光电，上海微电子也会实现28nm光刻机的交付，中芯国际若获得EUV光刻机，也能参与高端7nm的生产。

可以看出，国产芯片供应链的一个个短板正在补足，众多技术节点都已经有了突破。期待国产半导体早日崛起，彻底打破国外垄断。

对此，你有什么看法呢？

芯片突破的关键时刻，国产光刻胶成功破冰，粉碎日企垄断梦

其中，作为芯片光刻过程的关键耗材，半导体光刻胶供不应求、完全靠抢的现状更是备受热议。

众所周知， 光刻胶的质量和性能对于芯片光刻工艺有着重要的影响。这意味着，光刻胶的供应受限，将直接阻碍芯片发展。

对于我国而言， 光刻胶领域长期以来国外先进企业的工艺及参与，对外依存度高达90%。 在当下中国国产芯片突破的关键时刻，倘若因为光刻胶被卡脖子影响了整体芯片行业的进步，将对芯片国产化造成致命的打击。

好在，从目前中国光刻胶领域传来的种种好消息来看，国产光刻胶已经成功破冰。

据7月2日IT之家给出的消息： 南大光电的ArF 光刻胶产品目前已经拿到了小批量订单。

早在5月底，南大光电就已经发布公告表示：公司自主研发的ArF 光刻胶产品通过客户认证，具备55nm工艺要求。

此次南大光电ArF 光刻胶产品成功拿到订单， 意味着我国将打破用于精密工艺的ArF 光刻胶产品一直以来被外企垄断的局面。

今年2月中旬，由于地震等相关因素的影响，日本光刻胶企业信越化学一度停止向中国大陆多家晶圆厂断供光刻胶。

当下全球半导体光刻胶市场主要被日本、美国等企业垄断，中国能够批量生产KrF、ArF光刻胶的厂商屈指可数 。以至于当国外光刻胶企业涨价或断供之后，国内晶圆厂势必要面对光刻胶缺货的窘境。

随着南大光电等国内光刻胶龙头不断进行光刻胶领域的投资研发成功，并取得突出进展，如今已经粉碎了日本企业的垄断梦。

不过，中国要想真正将光刻胶技术垄断在自己手里，还要突破技术与市场两大壁垒。

作为一个劳动与技术高度密集的产业，光刻胶领域存在极高的技术壁垒 。目前80%的光刻胶专利都垄断在日本手中，中国想要实现突破仍需继续努力。

同时，有日本掌握了先进技术以及配套产业链，其当下几乎垄断了整个光刻胶市场。 对于中国光刻胶企业来说，即便能够研发出新技术，能否得到广泛应用还未可知。

由此看来，国产光刻胶想要实现真正意义上的破冰，任重而道远。

国产光刻胶成功突破，粉碎日本垄断梦

近日，半导体领域迎来重磅消息，南大光电的ArF光刻胶取得突破，国产光刻胶终于来了！

南大光电光刻胶突破

早在5月30日，南大光电就已经发布公告称，公司自主研发的ArF光刻胶产品通过客户认证，具备55nm工艺要求。

7月2日，有报道称，南大光电的ArF光刻胶产品目前已经拿到了小批量订单。

这都在表明，国产光刻胶终于不再受制于人，而是实现国产化了。

芯片在制造过程中，除了硅这种主要材料之外，一些辅助材料也至关重要，其中有一种名为光刻胶的材料，在芯片制造过程中必不可少，然而，这个材料却长期被日本垄断，中国也在这方面一直被卡脖子。

而最近传出的一个消息，对我国半导体的发展非常不利，日本对中国供应的光刻胶出现了“断供”的现象。美国召开G7峰会后，日本宣布光刻胶断供中国，日本信越化学等光刻胶企业开始限制供应ArF光刻胶产品。

断供光刻胶，对半导体行业的人而言并不陌生，2019年日韩贸易冲突白热化，日本就断供了光刻胶，导致当时全球最大的芯片厂商三星陷入了困境之中。

虽然韩国积极向日本低头求和并开展自救，但芯片生产依然受到巨大影响，间接推动了2020年的芯片短缺。

巧妇难为无米之炊，没有了光刻胶，对于中国的晶圆厂而言是巨大的打击，芯片生产将被迫停止！

好在，光刻胶的国产化进程并不慢，日企断供短短半年时间，南大光电就已经将国产光刻胶投入市场中了。

南大光电，成立于2000年12月，是以南京大学国家863计划研究成果作为技术支持的中国高纯金属有机化合物MO源的产业化基地。

1986年，863计划启动，在高济宇院士的支持和指导下，学者孙祥祯牵头进行MO源的技术攻关。MO源是一种禁运物资，更是生产化合物半导体的源头材料，对我国国防安全、高 科技 民族工业有重要意义。

历经重重困难，孙祥祯带领的课题组终于研制出了纯度大于5.5N的多个品种的MO源，全面向国内近20家研究单位供货，缓解了我国对MO源的急求。

这项工艺不仅促进了国防工业的发展，更为国内化合物半导体材料的发展奠定了原始的基础。

孙祥祯退休后，带领年轻人创立了南大光电，注册资本3770万元，生产拥有自主知识产权的高纯金属有机化合物，是国内唯一实现MO源产业化的企业，公司的技术主要来源便是南京大学863计划中的项目。

公司主要产品有三甲基镓，三甲基铟，三甲基铝，二茂镁等十几种MO源，在产品的合成、纯化、分析、封装、储运及安全操作等方面已达到国际先进水平，产品远销日本、韩国、欧洲市场，并占有大陆70%的市场份额。

作为国内唯一将半导体光学原材料实现量产的企业，南大光电对于光刻胶可以说十分熟悉，也是最有可能突破光刻胶技术的企业。

中国半导体在崛起

光刻胶到底是做什么用的呢？

芯片生产过程中，需要用光学材料将数以万计的电路刻在小小的7nm的芯片上，而这种辅助的光学材料，就是光刻胶。

在光刻胶领域，材料主要分为四种，分别为g线、i线、KrF、ArF光刻胶，半导体工艺越高，光刻机的精度越高，照射的光线频率越高，波长越短。

光刻胶的分辨率会随着光线频率的改变而不断变化，基本的演进路线是：g线（436nm） i线（365nm） KrF（248nm） ArF（193nm） F2（157nm） EUV（

其中，ArF光刻胶的制造难度是最高的，这也是14nm/7nm芯片制造过程中不可或缺的原材料。

芯片的工艺也分等级，平板电脑、 汽车 芯片等工艺水平并不高，这各等级的芯片中国已经实现了从光刻机到芯片的完全自主化生产。真正困难的在于7nm的芯片，也就是华为遭到断供的手机芯片。

这种工艺的手机芯片，不仅需要荷兰ASML先进的EVU光刻机来生产，更需要高端的光刻胶作为辅助材料，以及大量的芯片原材料，才能成功生产出华为手机所需要的芯片。

光刻机被美国和荷兰的公司垄断，现在EVU光刻机对中国处于断供状态，中芯国际花了12亿购买的EVU光刻机至今仍未到货；

芯片原材料，虽然国内已有部分原材料实现自主生产，但是硅片、光掩模、电子特气、抛光材料、溅射靶材、光刻胶以及湿电子化学品这其中原材料完全依赖进口。

在全球光刻胶市场，日本东京应化，JSR，住友化学，信越化学等企业，掌握了全球半导体光刻胶市场的90%左右份额，几乎是垄断的状态。

方正证券的报告显示，中国大陆企业在全球光刻胶领域占有率不到13%，在半导体光刻胶领域更是不足5%，完全被日本卡了脖子！

但是，进入2021年以后，中国半导体行业国产化的趋势越来越强！

首先是光刻机领域，上海微电子已经实现28nm光刻机的量产，预计2022年可以交付，这款光刻机的性能与荷兰ASML的DVU光刻机相似，可以生产14nm制程工艺的芯片。

另外，美国虽然断供了最先进的EVU光刻机，但是制程工艺相对较低的DVU光刻机却没有断供，而荷兰ASML也明确表态过，EVU光刻机也可以用于7nm工艺芯片，英特尔的10nm工艺、台积电第一个7nm芯片，都是用DVU光刻机实现。

这意味着，2022年，现有的光刻机技术或许能够提前量产华为所需的7nm芯片，打破美国封锁。

而生产7nm工艺芯片所需要的ArF光刻胶，在7月2日就已经有国外企业向南大光电订购了，这意味着半导体光刻胶原材料也实现了自主化。

另外，南大光电，容大感光、上海新阳等国内企业，也在持续研发高端光刻胶，争取在现有技术上进一步突破，追上日本的光刻胶技术。

剩下的6种完全依赖进口的原材料，国内的企业肯定也已经发现了商机，正在朝着国产化转变；最关键的两项技术突破后，中国实现手机芯片国产化的日子也就不远了。

空谈误国、实干兴邦，中国的半导体行业，正在默默地奋力追赶，一如这次南大光电突然给市场来个惊喜一样，未来还将会看到更多的一鸣惊人的突破。

中国半导体，正在以惊人的速度崛起！

作者 | 金莱