光刻机芯芯片工艺流程图（光刻机芯片图片）

芯片制造过程图解

芯片制造过程：光刻、刻蚀、薄膜(化学气相沉积或物理气相沉积）、掺杂（热扩散或离子注入）、化学机械平坦化CMP。

使用单晶硅晶圆（或III-V族，如砷化镓）用作基层，然后使用光刻、掺杂、CMP等技术制成MOSFET或BJT等组件，再利用薄膜和CMP技术制成导线，如此便完成芯片制作。

因产品性能需求及成本考量，导线可分为铝工艺（以溅镀为主）和铜工艺（以电镀为主参见Damascene）。主要的工艺技术可以分为以下几大类：黄光微影、刻蚀、扩散、薄膜、平坦化制成、金属化制成。

扩展资料

芯片具有体积小，重量轻，引出线和焊接点少，寿命长，可靠性高，性能好等优点，同时成本低，便于大规模生产。它不仅在工、民用电子设备如收录机、电视机、计算机等方面得到广泛的应用，同时在军事、通讯、遥控等方面也得到广泛的应用。

用芯片来装配电子设备，其装配密度比晶体管可提高几十倍至几千倍，设备的稳定工作时间也可大大提高。

参考资料来源：百度百科-集成电路

参考资料来源：百度百科-芯片

芯片制造工艺流程9个步骤

1、湿洗(用各种试剂保持硅晶圆表面没有杂质)。

2、光刻(用紫外线透过蒙版照射硅晶圆,被照到的地方就会容易被洗掉,没被照到的地方就保持原样.于是就可以在硅晶圆上面刻出想要的图案.注意,此时还没有加入杂质,依然是一个硅晶圆.)

3、离子注入(在硅晶圆不同的位置加入不同的杂质,不同杂质根据浓度/位置的不同就组成了场效应管.)

4.1、干蚀刻(之前用光刻出来的形状有许多其实不是我们需要的，而是为了离子注入而蚀刻的。现在就要用等离子体把他们洗掉，或者是一些第一步光刻先不需要刻出来的结构，这一步进行蚀刻).

4.2、湿蚀刻(进一步洗掉，但是用的是试剂，所以叫湿蚀刻)——以上步骤完成后,场效应管就已经被做出来啦，但是以上步骤一般都不止做一次,很可能需要反反复复的做，以达到要求。

光刻机怎么制作（最好提供图文）？

第一步：制作光刻掩膜版（Mask Reticle）

芯片设计师将CPU的功能、结构设计图绘制完毕之后，就可将这张包含了CPU功能模块、电路系统等物理结构的“地图”绘制在“印刷母板”上，供批量生产了。这一步骤就是制作光刻掩膜版。

光刻掩膜版：（又称光罩，简称掩膜版），是微纳加工技术常用的光刻工艺所使用的图形母版。由不透明的遮光薄膜在透明基板上形成掩膜图形结构，再通过曝光过程将图形信息转移到产品基片上。（*百度百科）

将设计好的半导体电路”地图“绘制在由玻璃、石英基片、铬层和光刻胶等构成的掩膜版上

光刻掩膜版的立体切片示意图

第二步：晶圆覆膜准备

从砂子到硅碇再到晶圆的制作过程点此查阅，这里不再赘述。将准备好的晶圆（Wafer）扔进光刻机之前，一般通过高温加热方式使其表面产生氧化膜，如使用二氧化硅（覆化）作为光导纤维，便于后续的光刻流程：

第三步：在晶圆上“光刻”电路流程

使用阿斯麦的“大杀器”，将紫外（或极紫外）光通过蔡司的镜片，照在前面准备好的集成电路掩膜版上，将设计师绘制好的“电路图”曝光（光刻）在晶圆上。（见动图）：

上述动图的工作切片层级关系如下：

光刻机照射到部分的光阻会发生相应变化，一般使用显影液将曝光部分祛除

而被光阻覆盖部分以外的氧化膜，则需要通过与气体反应祛除

通过上述显影液、特殊气体祛除无用光阻之后，通过在晶圆表面注入离子激活晶体管使之工作，进而完成半导体元件的全部建设。

做到这里可不算大功告成，这仅仅是错综复杂的集成电路大厦中，普通的一层“楼”而已。完整的集成电路系统中包含多层结构，晶体管、绝缘层、布线层等等：

搭建迷宫大厦一般的复杂集成电路，需要多层结构

因此，在完成一层光刻流程之后，需要把这一阶段制作好的晶圆用绝缘膜覆盖，然后重新涂上光阻，烧制下一层电路结构：

多次重复上述操作之后，芯片的多层结构搭建完毕（下图）：

如果上图看的不太明白，可以看看Intel的CPU芯片结构堆栈图：

当然，我们可以通过高倍显微镜来观察光刻机“烧制”多层晶圆的堆叠情况：

第四步：切蛋糕（晶圆切割）

使用光刻机烧制完毕的晶圆，包含多个芯片（Die），通过一系列检测之后，将健康的个体们切割出来：

从晶圆上将一个个“小方块”（芯片）切割出来

第五步：芯片封装

将切割后的芯片焊

芯片的制造流程详细

1.芯片的原料晶圆，晶圆的成分是硅，是用石英砂提炼出来的，晶圆是提纯后的硅元素(99.999%)。然后，一些纯硅被制成硅晶棒，成为应时半导体制造集成电路的材料。将它们切片是芯片制造特别需要的晶片。晶圆越薄，生产成本越低，但对工艺的要求越高。2.晶圆涂层晶圆涂层可以抗氧化和耐高温，它的材料是一种光刻胶。3.在晶圆光刻显影和蚀刻过程中，使用了对紫外光敏感的化学物质，即它们在暴露于紫外光时会软化。通过控制遮光板的位置可以获得芯片的形状。在硅片上涂覆光刻胶，使其在紫外光照射下溶解。4.掺杂杂质以将离子注入晶片中，从而产生相应的P和N半导体。具体来说，工艺是从硅片上的曝光区域开始，放入化学离子混合溶液中。这个过程将改变掺杂区域的传导模式，使得每个晶体管可以被打开、关闭或传送数据。5.晶片测试在上述过程之后，在晶片上形成格子状的晶粒。每个晶粒的电特性通过针测试来测试。6.封装:成品晶圆固定，引脚绑定，根据要求做出各种封装形式，这就是为什么同一个芯片核可以有不同的封装形式。如迪普、QFP、PLCC、QFN等。这主要是由用户的应用习惯、应用环境、市场形态等外部因素决定的。7.芯片制造的最后一道工序是测试，可分为通用测试和专用测试。前者是测试封装芯片在各种环境下的电特性，如功耗、运行速度、耐压等。