光刻机制程和芯片制程的区别（光刻机和制程的关系）

复刻机和光刻机的区别

简单一点解读，两种机器:

首先工艺不同:刻蚀机是将硅片上多余的部分腐蚀掉,光刻机是将图形刻到硅片上;

其次难度不同:光刻机的难度和精度大于刻蚀机。

蚀刻机和光刻机其实就是完全不同的两种设备。

不论从功能还是结构上来说都是天差地别，光刻机是整个芯片制造过程中最为

核心的设备，芯片的制程是由光刻机决定的，而不是蚀刻机。

刻蚀机就是在光刻完成以后才登场的设备，也是光刻完成以后最为重要的设备之一。刻蚀机最主要的作用就是按照光刻机已经标注好的线去做基础建设，把不需要的地方给清除掉，只留下光刻过程中

标注好的线路。

光刻机和芯片有什么关系，为什么没有光刻机就制造不了芯片？

光刻机是制造芯片的基础。

其实，大多数人认为，芯片技术是综合性水平较高的技术，而光刻机就把“尖刀”，刺在心口，芯片是命，光刻机是防护的存在。但是，我国因为光刻机的限制，对于我们来说，没有光刻机，就警惕芯片带来的危机。那么，制造芯片制造难吗？光刻机和芯片有什么关系，为什么没有光刻机就制造不了芯片？

一款芯片成型，应用到设备中，需要经过多个步骤：设计、制造和封装以及测试。设计和制造是芯片的精髓所在，说设计，熟知的高通，苹果等科技公司实都是术语设计类的公司。通过EDA设计，必须提到的是，这款软件是我们芯片的软肋。设计上，华为能够做到符合设计的需求，关键在制造层次。芯片制造的步骤，更易理解芯片制造的困难程度。

将晶圆提炼出来，提炼出来的单晶硅，做成硅锭，再切割成数个圆片，这就是成为晶圆的东西；在晶圆上涂抹光刻胶是制约我们发展的因素。光刻胶，来自于日本和美国两大国家，特别是高端，涂胶显影机只有日本能够制造出来；在晶圆上涂抹光刻胶，通过光刻机的光源，使胶水固化，按照设计好的线路图，没线路图，晶圆固化固化线路图。遗憾的是，美国光源以及德国镜头组成了ASML的光刻机；蚀刻，我国蚀刻发展迅速。需要溶解多余的涂层。光刻胶已经固化，必须知道不需要的涂层也已经消失的痕迹；进入蚀刻，溶解不需的涂层，留下光刻，形成凹槽。注入离子元素，改变导电特性。

芯片的步骤中，缺乏光刻机。包括EDA相关的设计软件；日本美国的光刻胶，涂胶显影机，光刻机，以及离子注入机都是关键所在。

对芯片设计者来说，14nm和7nm有什么区别？

首先从电路硬件设计与应用来说，我们在设计电路时选择芯片主要考虑芯片的性能与价格、可靠性与外形封装形式等几个方面，对于芯片内部的制造则考虑的很少。

对于14nm（纳米）和7nm（纳米）是从芯片的制造工艺方面来说明的，对于两者来说肯定是7nm（纳米）技术制造出来的芯片其性能更优越，在相同的面积中所集成的晶体管越多芯片的各种性能就越高，比如以处理器为例，用7nm（纳米）技术制作的CPU肯定比14nm（纳米）技术制作的CPU在晶体管数量方面、处理速度方面、功耗方面以及温升等方面都会高出一个数量级。所以用7nm（纳米）制程制作的芯片在各个方面会全面“碾压”14nm（纳米）制程的芯片。以上是用7nm（纳米）技术比14nm（纳米）技术从芯片的各种性能得到提升做出的对比。

另一方面14nm（纳米）和7nm（纳米）的芯片在设计方法和所用的技术上也是有区别的。在制作难度上肯定7nm（纳米）技术要比14nm（纳米）技术难度更大；在制作费用上两者的差距也是有着很大区别的。比如芯片制造的核心设备光刻机就是一个很大的投资，7nm（纳米）光刻机要比14nm（纳米）光刻机在价格上要贵出许多，再加上设计规则与技术的不同都会增加其成本。

芯片制程升级的技术难度。在体积不断缩小的芯片里要放十几亿个晶体管，并且要保持性能和功耗，需要技术支持、创新。制程从14nm到7nm，芯片速率、功耗、集成度要做出均衡。目前80%以上的芯片都是10nm以上制程，从14nm到7nm，跨越到10nm以下，越进一步，难度越大。7nm将是一个长期存在的制程，功耗、性能、面积、成本能获得很好的平衡，再到5nm、3nm，平衡难度更大。