国产光刻胶最新进展2021上市时间(国产光刻胶最新消息)

2022-12-05 5:28:03 股票 xialuotejs

2021年南大光电会怎样?南大光电在哪里上市?南大光电分红到账时间?

国家在大力扶持半导体行业,投资者也很看重这个行业,那么其中的南大光电股票的优势在哪里呢,值得我们投资吗,下面我来详细分析一下。正式研究南大光电前,这份半导体行业龙头股名单可供你们参考,戳开即可查阅:宝藏资料!半导体行业龙头股一栏表

一、从公司角度来看

公司介绍:江苏南大光电材料股份有限公司主要从事先进前驱体材料、电子特气、光刻胶及配套材料三类半导体材料产品生产、研发和销售,是MO源产业化生产的企业,也是全球主要的MO源生产商,其主要产品有MO源产品、高纯ALD/CVD前驱体、OLED材料等。南大光电依托企业自主创新平台,全面推进研发创新能力建设,自主研发的多个产品获得"高新技术产品认定证书"、"国家火炬计划项目证书"等荣誉。

简单的对南大光电进行介绍之后,下面将从优秀的地方开始分析,了解一下投资南大光电会不会亏。

亮点一:自主研发ArF光刻胶产品,加速公司光刻胶业务发展

公司成功自主研发出国内首支通过客户认证的ArF光刻胶产品,实现了国内ArF光刻胶从零到一的跨越,目前公司已完成两条光刻胶生产线的建设,光刻胶年产能将达25吨。近期,ArF光刻胶产品已获得小批量订单,光刻胶现在正逐步向国产化趋势发展,光刻胶业务将带动公司业绩迈入更高的境界。

亮点二:多维度布局半导体材料,技术优势明显

电子特气方面,新一代安全源、混气产品相继产业化,最新升级的超高纯砷烷产品品质在测试中已超过目前国际先进同行的技术水平,超高纯磷烷产品也踏进国际一流制程的芯片企业,公司氢类电子特气已跃居世界前列。MO源方面,公司通过提升MO源超纯化和超纯分析技术实现了在第三代半导体领域的新应用市场增长,高纯ALD/CVD前驱体产品也实现批量供货国内外先进半导体企业。出于文章字数着想,这篇研报包含了很多关于南大光电更深入的分析和潜在风险提示,点开便能看到:【深度研报】南大光电点评,建议收藏!

二、从行业角度看

十四五规划提到要对人工智能、量子信息、集成电路等项目进行扶持,这个无疑是利好。这几年,美国和其他国家一同对中国进行高科技封锁,不愿意让我们中国的设备和技术走向世界,美国的这种做法让国内市场对半导体技术国产化的需求增加了不止一点点,也侧面的让国内半导体全产业链的发展得到进步了。

光刻胶方面:在供给端中,由于受到晶圆厂扩产、疫情等多方面的干扰,光刻胶出现紧缺的局面。在需求端中,国内有不少家国内晶圆厂也在积极增加产量,国内光刻胶需求量要比生产量大很多,两者的差距还在连年上升,尤其在ArF、高端KrF等半导体光刻胶方面,光刻胶作为"卡脖子"产品对国产替代的需求越来越迫切。

总而言之,我国对于高科技产业之一的半导体行业很重视,南大光电作为行业的领军人物,发展的空间将非常大。但是文章具有一定的滞后性,如果想更准确地知道南大光电未来行情,直接点击链接,有专业的投顾帮你诊股,看一下南大光电估值到底是高估了还是低估了:【免费】测一测南大光电现在是高估还是低估?

应答时间:2021-11-06,最新业务变化以文中链接内展示的数据为准,请点击查看

国产光刻胶最新进展2021上市时间(国产光刻胶最新消息) 第1张

目前中国最先进的光刻机(国产28nm光刻机进展)

;     在新能源飞速发展和产品智能化的大背景下,高科技进入蓬勃发展阶段,所有高科技产品最不可或缺的核心部件就是芯片了。作为以智能手机为主要业务的

      华为

      ,对芯片的需求量更是巨大。

      大家都知道生产芯片最重要的器械就是

      光刻机

      ,但由于受到来自

      漂亮国

      的制约,“实体清单”规则被修改后,

      ASML

      因为生产光刻机的技术有一部分来自于漂亮国,受此影响,连带着芯片代工厂也无法为华为公司提供芯片代工服务。

      华为现在最先进的芯片是采用台积电5nm工艺制作的

      麒麟9000芯片

      ,但随着“限制令”的制约,

      麒麟9000

      芯片的库存正在一天一天减少,在无法获得5G芯片的情况下,华为只能采用

      高通

      的4G芯片,没有

      5G

      芯片的支持,华为的5G手机只能当成4G来用,也因此,华为的手机业务受到了重创。

      事实上,不仅是华为,我国其他高科技企业现在都处于“缺芯”状态。如果要解决“缺芯”难题,首先我们就要解决光刻机的自产自研问题。

中科院

      立功了

      为了实现我国高端光刻机的国产化,中科院长光所、上光所联合光电研究院在2009年,启动了“高NA浸没光学系统关键技术研究”,进行高端光刻机的攻坚。该项目于2017年在长春国科精密验收,曝光光学系统研发核心的骨干人员也在同年间转入长春国科精密继续钻研光刻机技术难题。

      在此之后,国望光学引入

      中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

      ,以及

      上海光学精密机械研究所

      推动国产光刻机核心部件生产。在2016年,国望光学研发出90nm节点的ArF投影光刻机曝光光学系统,之后将继续向28nm节点ArF浸没式光刻曝光学系统研发进攻。

      长春国科经济在2018年也传来好消息,攻克了高NA浸没光学系统的关键技术研究。这也是我国实现完全拥有自主知识产权的高端光刻机曝光光学系统的标志。这些成就的达成都离不开中科院的技术支持,可以说中科院立了大功了。

      为什么要花费那么大的精力去研发曝光光学系统呢?这对光刻机的制造很重要吗?这我们就要从光刻机的工作原理说起了。光刻机又叫掩模对准曝光机,它的工作原理简单地说类似于照片冲印的技术。

      光刻的过程就是在制作好的硅圆晶表面涂上一层光刻胶,然后通过紫外线或深紫外线透过

      掩膜

      版,把上面的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上,在

      光刻胶

      的覆盖下,这些被光线照射到的部分会被腐蚀掉,而没有被照射到的部分就会被保留下来,形成我们所需要的电路结构。所以曝光系统可以说是光刻机的核心组成之一。

国产光刻机正式传来好消息

      根据国望光学在发出的公示,

      投影光刻机曝光光学系统将应用于28nm芯片的批量生产当中。

      在这之前,我国只能制造出用于90nm制程的光刻机,但随着这两项技术的突破,我国对于28nm光刻机制程实现了突破性的进展。

      28nm芯片有着比90nm芯片更加优越的性能,用途也更加广泛,尤其是对于新能源产业,如新能源汽车或者智能家居产业填补了对于28nm芯片缺失的空缺。

      此外,根据媒体消息,上海微电子也做出披露,在2021到2022年将会交付出第一台28nm工艺的国产沉浸式光刻机。这表明我国完全能实现28nm芯片自由。拥有完整的知识产权和自主产业链,就无畏海外市场在芯片上对我们“卡脖子”了。

      虽然28nm芯片已经能满足大部分的生产需求,但是对于华为这些手机厂商和其他一些国产芯片来说,28nm的精度还是不够用的,接下来我国的下一步目标便是进行5nm制程光刻机的攻克,手机对于芯片的精度要求要更高,所以目前我国还是不能停下研发的脚步。

      虽然目前我国还没研发出5nm制程的光刻机,但已经可以制造出5nm制程的刻蚀机了,这对于我国芯片发展也是一个鼓励性的好消息。

      成果是喜人的,但如果拿来与世界上最先进的7nm制程光刻机比的话还是远远不够的,国产化光刻机的道路还要走很远。

国产光刻胶成功突破,粉碎日本垄断梦

近日,半导体领域迎来重磅消息,南大光电的ArF光刻胶取得突破,国产光刻胶终于来了!

南大光电光刻胶突破

早在5月30日,南大光电就已经发布公告称,公司自主研发的ArF光刻胶产品通过客户认证,具备55nm工艺要求。

7月2日,有报道称,南大光电的ArF光刻胶产品目前已经拿到了小批量订单。

这都在表明,国产光刻胶终于不再受制于人,而是实现国产化了。

芯片在制造过程中,除了硅这种主要材料之外,一些辅助材料也至关重要,其中有一种名为光刻胶的材料,在芯片制造过程中必不可少,然而,这个材料却长期被日本垄断,中国也在这方面一直被卡脖子。

而最近传出的一个消息,对我国半导体的发展非常不利,日本对中国供应的光刻胶出现了“断供”的现象。美国召开G7峰会后,日本宣布光刻胶断供中国,日本信越化学等光刻胶企业开始限制供应ArF光刻胶产品。

断供光刻胶,对半导体行业的人而言并不陌生,2019年日韩贸易冲突白热化,日本就断供了光刻胶,导致当时全球最大的芯片厂商三星陷入了困境之中。

虽然韩国积极向日本低头求和并开展自救,但芯片生产依然受到巨大影响,间接推动了2020年的芯片短缺。

巧妇难为无米之炊,没有了光刻胶,对于中国的晶圆厂而言是巨大的打击,芯片生产将被迫停止!

好在,光刻胶的国产化进程并不慢,日企断供短短半年时间,南大光电就已经将国产光刻胶投入市场中了。

南大光电,成立于2000年12月,是以南京大学国家863计划研究成果作为技术支持的中国高纯金属有机化合物MO源的产业化基地。

1986年,863计划启动,在高济宇院士的支持和指导下,学者孙祥祯牵头进行MO源的技术攻关。MO源是一种禁运物资,更是生产化合物半导体的源头材料,对我国国防安全、高 科技 民族工业有重要意义。

历经重重困难,孙祥祯带领的课题组终于研制出了纯度大于5.5N的多个品种的MO源,全面向国内近20家研究单位供货,缓解了我国对MO源的急求。

这项工艺不仅促进了国防工业的发展,更为国内化合物半导体材料的发展奠定了原始的基础。

孙祥祯退休后,带领年轻人创立了南大光电,注册资本3770万元,生产拥有自主知识产权的高纯金属有机化合物,是国内唯一实现MO源产业化的企业,公司的技术主要来源便是南京大学863计划中的项目。

公司主要产品有三甲基镓,三甲基铟,三甲基铝,二茂镁等十几种MO源,在产品的合成、纯化、分析、封装、储运及安全操作等方面已达到国际先进水平,产品远销日本、韩国、欧洲市场,并占有大陆70%的市场份额。

作为国内唯一将半导体光学原材料实现量产的企业,南大光电对于光刻胶可以说十分熟悉,也是最有可能突破光刻胶技术的企业。

中国半导体在崛起

光刻胶到底是做什么用的呢?

芯片生产过程中,需要用光学材料将数以万计的电路刻在小小的7nm的芯片上,而这种辅助的光学材料,就是光刻胶。

在光刻胶领域,材料主要分为四种,分别为g线、i线、KrF、ArF光刻胶,半导体工艺越高,光刻机的精度越高,照射的光线频率越高,波长越短。

光刻胶的分辨率会随着光线频率的改变而不断变化,基本的演进路线是:g线(436nm) i线(365nm) KrF(248nm) ArF(193nm) F2(157nm) EUV(

其中,ArF光刻胶的制造难度是最高的,这也是14nm/7nm芯片制造过程中不可或缺的原材料。

芯片的工艺也分等级,平板电脑、 汽车 芯片等工艺水平并不高,这各等级的芯片中国已经实现了从光刻机到芯片的完全自主化生产。真正困难的在于7nm的芯片,也就是华为遭到断供的手机芯片。

这种工艺的手机芯片,不仅需要荷兰ASML先进的EVU光刻机来生产,更需要高端的光刻胶作为辅助材料,以及大量的芯片原材料,才能成功生产出华为手机所需要的芯片。

光刻机被美国和荷兰的公司垄断,现在EVU光刻机对中国处于断供状态,中芯国际花了12亿购买的EVU光刻机至今仍未到货;

芯片原材料,虽然国内已有部分原材料实现自主生产,但是硅片、光掩模、电子特气、抛光材料、溅射靶材、光刻胶以及湿电子化学品这其中原材料完全依赖进口。

在全球光刻胶市场,日本东京应化,JSR,住友化学,信越化学等企业,掌握了全球半导体光刻胶市场的90%左右份额,几乎是垄断的状态。

方正证券的报告显示,中国大陆企业在全球光刻胶领域占有率不到13%,在半导体光刻胶领域更是不足5%,完全被日本卡了脖子!

但是,进入2021年以后,中国半导体行业国产化的趋势越来越强!

首先是光刻机领域,上海微电子已经实现28nm光刻机的量产,预计2022年可以交付,这款光刻机的性能与荷兰ASML的DVU光刻机相似,可以生产14nm制程工艺的芯片。

另外,美国虽然断供了最先进的EVU光刻机,但是制程工艺相对较低的DVU光刻机却没有断供,而荷兰ASML也明确表态过,EVU光刻机也可以用于7nm工艺芯片,英特尔的10nm工艺、台积电第一个7nm芯片,都是用DVU光刻机实现。

这意味着,2022年,现有的光刻机技术或许能够提前量产华为所需的7nm芯片,打破美国封锁。

而生产7nm工艺芯片所需要的ArF光刻胶,在7月2日就已经有国外企业向南大光电订购了,这意味着半导体光刻胶原材料也实现了自主化。

另外,南大光电,容大感光、上海新阳等国内企业,也在持续研发高端光刻胶,争取在现有技术上进一步突破,追上日本的光刻胶技术。

剩下的6种完全依赖进口的原材料,国内的企业肯定也已经发现了商机,正在朝着国产化转变;最关键的两项技术突破后,中国实现手机芯片国产化的日子也就不远了。

空谈误国、实干兴邦,中国的半导体行业,正在默默地奋力追赶,一如这次南大光电突然给市场来个惊喜一样,未来还将会看到更多的一鸣惊人的突破。

中国半导体,正在以惊人的速度崛起!

作者 | 金莱