国产光刻机最新进展2022年（国产光刻机什么时候突破）

2022-12-03 14:16:42 基金 xialuotejs

85|0条评论

中国光刻机现在达到了哪个水平？

中国光刻机现在达到了22纳米。在上海微电子技术取得突破之前，我国国产的光刻机一直停留在只能制造90nm制程的芯片。

这次我国直接从90nm突破到了22nm也就意味着我国在光刻机制造的一些关键核心领域上已经实现了国产化。而自己掌握核心技术有多重要自然不言而喻，在突破关键领域以后，更高阶的光刻机的研发速度只会越来越快。国产光刻机突破封锁，成功研制22nm光刻机，中国芯正在逐渐崛起。

高端的投影式光刻机可分为步进投影和扫描投影光刻机两种，分辨率通常七纳米至几微米之间，高端光刻机号称世界上最精密的仪器，世界上已有1.2亿美金一台的光刻机。高端光刻机堪称现代光学工业之花，其制造难度之大，全世界只有少数几家公司能够制造。

日本断供关键材料，国产芯片突围之路再添变数，这次该做个了断了

为了应对美国的芯片禁令，国内市场的那些被美系技术所垄断的设备、材料入手，展开了有针对性的破局行动。

在中科院、清北高校等顶尖科研机构以及华为等先进科技企业的团结努力下，被美企垄断的蚀刻机、离子注入机、薄膜生长材料、抛光清洗机等关键设备材料，先后被中微半导体、中国电科等国产企业突破。

就连ASML认为我们造不出的光刻机，也传来了好消息。

上海微电子自研的光刻设备已经来到了28nm精度，且完成了技术检测与认证，预计年底便可下线商用。继清华大学突破EUV光源技术之后，中科院旗下的上海“光机所”，也熟练掌握了可以有效提升光刻分辨率的OPC技术。

或许目前我们拥有的设备技术不如老美的好看好用，但用来应付垄断，却可以堪当大任。

随着国内市场“去美化”步伐的提速，万众瞩目的“中国芯”终于迎来了开花结果。

电子信息研究院温晓君已正式表态：国产28nm芯片将于今年实现量产，14nm芯片会在2022年进入国内市场。

在中低端领域逐渐站稳脚跟的国产芯片，接下来必然会快速地向高端领域进军，突破老美的封锁指日可待。

然而，谁曾想到，在这关键时刻，却又跳出来了个落井下石的小丑，给国产芯片一片光明的突围之路增添了未知的变数。

据外媒报道，日本方面做出断供我国市场高端光刻胶的决定，而它的越信化学公司，已经正式对外宣布，将不再计划向中企出手Krf光刻胶。

光刻胶是芯片制造不可或缺的材料，在该领域，日本越信化学公司一直是业内核心，占据了全球约90%的市场份额，全球除了它之外，也只有老美能勉强在高端光刻胶领域做到自给自足。

日本的突然断供，可谓是给了正在全力突围老美封锁的国产芯片一记闷棍。

不过换个角度来看，既然我们意在打造一条自主可控的半导体产业链，那么潜在的问题和对手能够早些浮出水面并不是一件坏事。这或将让我们重新审视破冰的方向，若不想再被“卡脖子”，仅仅是“去美化”还不够，实现“国产化”才是正确的路。

尤其是对于日本，历史的烙印永远无法抹去。除了光刻胶断供一事，近期索尼公司的辱华事件，更是值得所有人警醒。

笔者虽位卑，但未敢忘忧国。在无数国人高喊让索尼滚出中国的同时，包括光刻胶领域在内，我们也该跟它做个了断了！

令人振奋的是，国产企业没有让我们失望，继南大光电突破Krf光刻胶核心技术后，上海新阳则更进一步。

据公开资料显示，上海新阳已经完成了对高端光刻胶的开发，目前处于商用测试阶段。从布局规划来看，如果顺利的话，国产高端光刻胶于2022年便可实现小批量销售，2023年便可大规模量产。

在光刻胶的研发上，国产企业正在加速完成对日本企业的替代。

这样的好消息实在是解气。笔者个人认为，国内市场无论有求于谁，都坚决不能有求于日本。

国产半导体产业的图强和发展固然重要，但更重要的是，前辈们用血和肉捍卫的民族尊严坚决不容触碰。

国产光刻机最新进展2022年（国产光刻机什么时候突破）第1张

国产破冰芯制程！专家：2022年底实现14nm自主化，麒麟芯片有救了

据了解，14纳米及14纳米以上制程的半导体芯片可满足70%的市场需求。我国在2021年实现并初步完成了28纳米芯片的自主化生产。没过多久，业界便传来14纳米芯片将在2022年年底实现量产的消息。

我是柏柏说科技，资深半导体科技爱好者。本期为大家带来的是：国产半导体将在2022年年底实现14纳米芯片的自主化量产。

老规矩，开门见山。2021年6月23日，环球网消息。中国电子信息产业发展研究院，电子信息研究所所长温晓君在接受采访时表示：“ 我国将在2022年底完成14纳米制程的攻坚，完成14纳米制程芯片的量产 ”。

在这里穿插一点：或许是意识到自己无法阻拦我国芯片制程的发展，ASML近期提高了自家中端光刻机的售价。讽刺的是，ASML刚对自家的中低端光刻机降价，紧接着又对自家的中端光刻机提价，其意图不言而喻。

值得一提的是：结合我国近些年来对半导体行业的大力扶持，国产半导体厂商在芯片代工、集成电路领域中的突破。早先业界人士预测， 28纳米将是国产芯片代工行业的制程新起点，28纳米与14纳米制程预计在2021年、2022年实现。

事实上，我国的确在2021年实现了28纳米制程的突破，如今业界有关于14纳米制程的预测，也得到了温晓君的确定。种种迹象表明，国产14纳米芯片真的要来了。我国破冰14纳米制程，将给国产半导体行业带来哪些改观呢？

首先我们要弄明白目前半导体市场的趋势。虽说比起7纳米、5纳米制程，14纳米制程比较落后。但在硅基半导体市场中， 14纳米、28纳米制程依旧是主流。目前 14纳米及14纳米以上制程的半导体芯片，占据整个半导体市场的70%。毕竟智能汽车、智能家居等中低端半导体制程芯片占据了大部分的芯片市场。

即便不谈14纳米制程的半导体芯片，单是我国在今年掌握的28纳米制程芯片便占据了近半的芯片市场，28纳米制程也被业界称为“黄金线”制程。

据了解，目前大多数的中低端5G芯片，其采用的工艺大多都是14纳米、12纳米。补充一点，12纳米与14纳米之间的差距并不大，类似于台积电的5纳米与4纳米之间的区别，只是在工艺上，晶体管排序上做出了优化。即12纳米是14纳米制程的改进版，其设备并未做出太大改变。

也就是说，华为的5G麒麟中低端处理器芯片，有望在明年实现量产。尽管不能解决华为在高端制程领域中的“芯”疾，至少可以在一定程度上缓解华为在中低端消费者领域中的压力。不只是华为代表的智能手机领域，在PC端市场中，以龙芯、飞腾为代表的PC端市场，也会因此受益。

例如龙芯采用自研指令集架构“loong Arch”制成的龙芯3A5000处理器芯片，14纳米制程足够满足国内大多数PC端厂商的需求。而且不同于手机处理器这种高精密芯片，PC端芯片对于制程的要求要缓和一些。也就是说,，由14纳米、12纳米代工制成的PC端芯片，可以满足大多数的日常工作需要。

温晓君介绍，目前我们在14纳米制程上已经攻克了大多数的难题，刻蚀机、薄膜沉积等关键技术设备都实现了从无到有的突破，并已投入供应链使用。此外，有关封装集成技术方面的突破，我国实现了全面量产。光刻胶、抛光剂等上百种材料也进入了批量销售。以上成果可以助力我国摆脱国外技术限制，实现国产集成电路的全产业链覆盖。

我国成功攻坚14纳米项目，有助于我们更好地对抗国外半导体行业的打压。虽说我们与国外先进半导体制程之间的距离比较大，但路是一步一步走的。目前我们的主要任务是确保自己在半导体领域中不会被主流技术落下。因为在确保市场营收的基础上进军高端技术行业，显然是更好地选择。

拜登限制出口逼急荷兰，国产光刻机好消息频出，自主发展五年成型

在人类迈入高科技时代之后，芯片这个小小的元件地位水涨船高，小到一部手机，大到一个机器人，都需要芯片的支持才能正常工作，芯片水平的强弱直接影响着科技产业的兴衰。

这种元件虽然体积小，但内部结构复杂多变，其制作工艺、芯片设计都蕴含着极高的科技水准，没有系统的学习过这一领域的专业知识，想要涉足几乎不可能。除此之外想要制造出芯片，还有一个绕不过的难题，那就是光刻机。新来的朋友们记得点个关注，方便浏览往期视频和文章，又可接收最新消息。

一、拜登限制荷兰向中国出口光刻机

光刻机是制造芯片的核心装备，它采用的技术类似于照片冲印，能够把模板上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。虽然看起来光刻机的技术并不复杂，但因为性质特殊，对精度要求极高，其中所蕴含的科技水平之高，在世界范围内也仅有数家公司能够制造。

光刻机分为两种，分别是DUV光刻机和EUV光刻机。其中DUV代表着深紫外线，而EUV代表着极深紫外线，虽然仅有一字之差，但EUV光刻机在精度方面几乎碾压DUV光刻机.而光刻机精度越高，能够生产出的芯片纳米尺寸也就更小，功能也就更加强大。目前来说，世界上小于5纳米的芯片晶圆，只能通过EUV光刻机生产。

一台EUV光刻机，单单是组成零件便达到10万多颗，其中极紫外线光源生产自美国，机械部分来源于工作一丝不苟的德国，核心轴承产自瑞典，所用到的光学设备主要由日本提供，生产所用的阀门来自法国，而核心技术则掌握在荷兰的阿麦斯公司手中。

从中不难看出一台光刻机，集结了众多国家的最顶尖科技 .而它在价格方面也十分昂贵，通常在3,000万美元至5亿美元不等。并且，目前来说，世界上只有荷兰的阿麦斯公司可以制造EUV光刻机。

不过虽然光刻机具有极高的技术含量，但其本质也仅仅是一件商品，并不能同时拥有价值与使用价值，作为商品,被用来交易便是他的宿命。早在2018年4月，我国的中芯国际便向该公司下单了一台EUV光刻机，这台光刻机最终的成交价格已经达到1.2亿美元。但巧合的是，就在阿麦斯公司已经将这台光刻机组装完毕，马上就可以交货的关键时期，工厂内却突发火灾，至今原因不明。

不过在2021年7月18日，美国总统拜登对外宣称出于美国的国家安全考虑，要求荷兰限制向中国出售光刻机。抛开其他方面不谈，单单限制商品的流通这一点，便不符合人类社会发展的规律，属于倒行逆施的行为。但是，在美国下达禁令之后，荷兰迫于国际压力，不得已之下，扣留了对中国的出口许可。

这样的举动，无疑会让中国与荷兰的外交关系陷入较为紧张的局面，但是，透过现象看本质，此件事情主要还是因为这段时间中国在多领域，尤其是武器领域发展迅速，使得美国拥有了危机感，不得已之下，他们只能通过极端手段遏制打压中国科技产业，而荷兰只是受了胁迫而已，这件事情不会对中国与荷兰的关系产生较大影响。

早在特朗普当政时期，为了阻碍中国在高科技领域的进一步发展，便开始限制对中国的技术出口，我们所熟知的华为公司正是遇到了核心技术卡脖子的问题，才导致如今陷入无芯可用的尴尬局面。实际上以华为内部的研发团队，完全能够满足芯片的设计要求，但是设计出芯片之后，华为公司却没有与之相匹配的能力将其制造出来，这一问题归根结底，还是光刻机闹得。

二、好消息频出，国产光刻机核心问题有望解决

在拜登政府上台之后，一改特朗普执政时期的作风，在伊核问题、退群问题上，都和特朗普的执政方针完全不同，但令人没有想到的是，对于中国科技方面，拜登却选择了支持特朗普的政策，持续对我国相关企业进行打压。

在拜登入主白宫还不到一个月的时候，他便派出了国家安全顾问杰克沙利文前往荷兰进行交涉，其目的就是为了限制阿麦斯和中国的合作。除了正常的外交谈判之外，美国方面甚至对荷兰进行威胁，声称如果美国不给阿迈斯提供制造光刻机的零件，整个阿麦斯公司的设备就无法运转。除此之外，拜登甚至还想要控制比利时微电子研究中心，以此来阻止中国的发展，好在他的目的没有达成，不然实在的局面必定会更加紧张。

但是对于美国的所作所为，阿麦斯的首席执行官温宁克却做出预言，他表示出口管制固然在短期内会限制中国的发展，但从长远角度出发必定会起到反作用。

自强不息，一直是中华民族最宝贵的特质之一。在建国初期，我们一穷二白，面对西方的技术封锁，中华民族在探索之中砥砺前行，在原子弹、核潜艇、卫星等方面，中国比西方世界慢了不知道多少年，但我们却用自己的努力与汗水将这个是差距一点一点的缩短，甚至完成反超，这种力量与信念足以令世界人民震惊！如今我国在光刻机领域遭受的困境与当年如出一辙，先辈们能做到的事，今天的中国人同样能够做到。

从经济学角度出发，市场决定生产，中国拥有14亿人口，毫无疑问中国是全球最大的芯片应用市场，中国每年进口芯片的花费高达数千亿元，芯片行业的蓬勃发展，也代表着中国的光刻机市场，同样拥有广大的前景。虽说阿斯麦在光刻机领域的地位堪比垄断，失去了中国市场对阿麦斯来说也是一个巨大的打击。

并且严格意义上来说，中国早就已经突破了光刻机技术，只是现阶段我国研制的光刻机技术仅仅只达到了中高端水平，面对DUV及以下级别的光刻机我国具有一定的生产能力，但是在高精度光刻机领域，我国依旧是一片空白。不过，如今我国的最高学府，清华大学正在深入研究EUV光源问题，研究出的SSMB光源的潜在应用之一，便是作为为EUV光刻机的光源，一旦这一展望能够实现，便意味着我国有望解决自主研发光刻机之中最核心的光源问题。

除了在核心问题上取得突破外，这段时间国产光刻机制造领域更是好消息频出。前段时间上海微电子装备有限公司对外宣称，预计在2021年底或2022年初实现28纳米精度的光刻机的量产。在国际方面，中国也着眼于国际光刻机制造领域，在力争跟紧国际研究的同时，研究面向后摩尔时代的集成电路的颠覆性技术，简单的来说就是在现有技术的基础上着眼于未来，走出一条属于中国人自己的道路，力争弯道超车。

三、五年内国产光刻机产业有望发展成型

早在美国对中国实行技术封锁之时，便有专家进行预测，中国在5年内便能实现光刻机核心技术国产化，这预测如今看来，虽然有些难度，但也并非完全不可能实现。总的来看中国拥有全球最大的市场，在核心技术方面也不断取得突破，在5年内实现最顶端的光刻机技术完全国产化可能并不现实，但如果只是中高端机型实现大规模量产，这一点并不难做到。

我国在《中国制造2025》中明确要求，在2025年之前，我国必须完成20~14纳米工艺设备国产化率达到30%的目标，并实现沉浸式光刻机国产化。从这份计划中不难看出，中国已经加大了在光刻机领域的研发。而中国人一向言出必行，只要下达计划，完成只是时间问题。

目前来说，在工业领域用处最大的光刻机主要体现在10~50纳米，其中40~50纳米级别的芯片，在市场中占据的份额更是十分惊人，虽然在精密元件之中，需要用到10纳米以下精度的光刻机，但毕竟是少数。以目前的需求来看，我国在5年内满足国产光刻机的大部分需求并不成问题。

但只有彻底攻克核心技术，才能实现我国在手机芯片等领域不在受制于人的局面，这一局面一旦形成便代表着我国彻底打破了用芯难的魔咒，届时中国的核心科技产业必将能够更上一层楼。

多个环节惊人突破！国产芯片突围倒计时

香港万得通讯社报道，有数据显示，去年我们买了全球80%的芯片，国内依然是芯片最大的市场。中国芯片制造业要想实现突围，攻克“卡脖子”技术势在必行。近两年以来，除核心中企加大攻关、研发力度以外，中科院等顶尖科研机构也已“跑步”进场，宣布将把光刻机等列入其科研清单中。在中企和“国家队”共同发力的情况下，国产芯片多个环节惊人突破！实现芯片国产化的距离越来越近。

3月22日，中国电子科技集团有限公司官发方消息，中国电科旗下装备子集团日前已成功实现离子注入机全谱系产品国产化，可为全球芯片制造企业提供离子注入机一站式解决方案。

据悉，中国电科旗下装备子集团突破的产品包括：中束流、大束流、高能、特种应用及第三代半导体等离子注入机，工艺段覆盖至28nm，累计形成了413项核心发明专利。

2021年开始之后，中芯国际接连迎来了几个好消息。3月17日，中心扩建finfet该技术已经成功量产，第二代技术也正在风险是量产之中。所谓的fin fet机其实就是14纳米工艺改变的12纳米工艺，finfet第二代技术都是指n+1以及n+2制成工艺对标的是台积电的7纳米技术。行业人士猜测，如今正在进行风险试产的应该就是七纳米。毕竟七纳米是可以脱离EUV光刻机，进行多次曝光就可以生产制造出来的，而这一点台积电早就已经做了先例。前段时间，中芯国际与荷兰阿斯麦公司签订了一笔价值77亿的订单，其中就包括DUV光刻机，能够经过多次曝光，制造出7纳米芯片。

一旦中芯国际突破了七纳米工艺，就意味着中芯国际实际台积电以及三星之后第三家掌握这项技术的芯片代工企业。

此外，中芯国际拟于深圳扩建产能，生产28纳米及以上集成电路。3月17日，中芯国际公告，公司和深圳政府（透过深圳重投集团）拟以建议出资的方式经由中芯深圳进行项目发展和营运。依照计划，中芯深圳将开展项目的发展和营运，重点生产28纳米及以上的集成电路和提供技术服务，旨在实现最终每月约40000片12吋晶圆的产能，预期将于2022年开始生产。

据清华大学官网消息，2 月 25 日，清华大学工程物理系教授唐传祥研究组联合国外科研人员发布了一项重大科研成果。该成果基于SSMB（Steady-state microbunching，一种新型粒子加速器光源“稳态微聚束”）原理，能获得高功率、高重频、窄带宽的相干辐射，波长可覆盖从太赫兹到极紫外（EUV）波段，有望为光子科学研究提供广阔的新机遇。

大功率的EUV光源是EUV光刻机的核心基础。随着芯片工艺节点的不断缩小，预计对EUV光源功率的要求将不断提升，达到千瓦量级。基于SSMB的EUV光源有望实现大的平均功率，并具备向更短波长扩展的潜力，为大功率EUV光源的突破提供全新的解决思路。