中国光刻机差距到底有多大（中国光刻机现状和与其他国家的参数差距）

中国目前光刻机处于怎样的水平？你知道吗？

前些年华为缺芯事件闹得沸沸扬扬。如今华为自主研发芯片让国人为之自豪，但是又有一个问题难道不可以自己制造芯片吗？我们要知道制造芯片需要使用光刻机。但是纵观全球芯片公司，有这个技术和设备的只有三星公司了。它既可以自主研发又可以制造芯片，基本上垄断了行业芯片。但是反观中国目前的光刻机仍不能达到制作高端芯片的要求，技术还很落后。

一、如今国内光刻机能达到多少纳米的工艺制作？

查询官网可以知道，如今最先进的光刻机是600系列，光刻机最高的制作工艺可以达到90纳米。但是相比于荷兰ASML公司旗下的EUV光刻机，最高可以达到5纳米的工艺制作。而且即将推出3纳米工艺制作的芯片。但是据相关信息透露，预计我国第一台28纳米工艺的国产沉浸式光刻机即将交付。尽管国产光刻机仍与ASML的EUV光刻机还有很大的距离，虽然起步晚，但是国人的不断努力，仍会弯道超车。

二、国内公司可以自主购买EUV光刻机来解决这一现状吗？

答案是否定的。要知道华为缺芯事件就是美国从中作梗，更不可能让国内公司轻易购买到高端光刻机来自主造芯。尽管ASML公司也是通过在全球各地采购相应精良的零部件来组成最终的光刻机，但是任何零部件都无法避开美国的核心技术，所以美国为了达到控制中国发展，不会让中国轻而易举买到光刻机。

要制作出一台精良的光刻机，要做很多的攻坚，不仅要达到美国光源、德国镜头的高层面，还有许许多多的精密仪器。中国光刻机任重道远！在这些精密仪器的背后，同样也需要更多的人才、研究技术、时间投入、技术的积累同样也需要大量的资金。相信中国也会克服这一困难，从此不再受他国制约。

中国目前光刻机处于怎样的水平？为什么短时间内造不出来？

中国光刻机生产落后，关键还是能够买进更先进的机器。如果西方国家实施制裁，禁止中国从西方进口，用不了几年，光刻机的生产就是赶不上他们，也不会与他们有大差距。成立中国企业基金会，中国银行联盟基金会，给中国的各类装备研发生产企业以年百亿级别的资金支持，派出国家院士团队全力支持研发，不愁一年两年搞不出来。

光刻机是一台机器，你可以不断分解这台机器，一直到各独立原件，尤其那些关键是几个部件，你会发现，做这个部件，要列出一大堆工艺设备技术，如同一棵树散出无数枝条和树叶，叶脉你就不要纠结了，就完善这些树枝和树叶就能把一万人累死！

现在中芯可以做到28纳米，也是现在的主流机器，订单已经排期几年了，现在14纳米的也已经成功下线了，由于良品率太低，现在正在调试，明年肯定能批量生产了，然而这还不是我国最先进光刻，清华大学的双工台4nm光刻机早就完成了样机制造，现在也是在调试阶段，相信要不了多久就能听到好消息了。还有3nm的制程我们也参与研制，我们是主要出资方，看看这些谁能说我们未来不是光明的？

中国在光刻机制造方面是单干，荷兰阿斯麦光刻机是集中了很多发达国家的技术精华，也不是荷兰一个国家所能，所以中国能自主生产90纳米的光刻机，我认为中国很了不起了，中国加油！

作为中国人，感觉真的不容易，所以的高科技，都要自己发展，中国需要的核心零件西方国家就都会限制，唯有靠中国人自己，别无他法，虽然处境这么恶劣，我依然庆幸自己是中国人，我骄傲，若干年以后，世界上就会只剩下中国和外国啦，时间应该不会太久，加油自己，加油中国人。

目前我国能生产光刻机的企业有5家，最先进的是上海微电子装备有限公司，光刻机量产的芯片工艺是90纳米，目前正在向65纳米迈进，而国外最先进的是5纳米，正在向3纳米迈进，这中间差了整整9个台阶，按每个台阶4～5年的差距，尚需40年的追赶。

建议我们国家还是要坚持以经济发展为主，经济投入以基础设施、教育、高科技为首。别人有的我们一定要有并且还比别人更先进，别人没有的我们要真起有。别国的事情在没有对我国大的利益损失的情况下最好不管或少管。在保证国家安全情况下千万不要搞军备竞赛、更不要搞什么抗美援朝抗美援越。只要国民还忍耐25年，静心发展经济，我国国民产值达到年/50万亿(美元)，超过美、欧总产值，那我国家就是大哥大，到时我们国家想怎么样调控世界就是我们说了算。

术业有专攻，我们很多年前就开始了自研，花了大量钱和精力，但很多方面从基础教育等等都好像做不好这个，足球一样，西方高科技科技人员很淡定，很精致，他们个人综合素质也很好，很多人是在听着古典音乐时思考的，不一样思维模式。美国这种玩法不对。现在都是全球大分工大合作，而它是逆天行事，要逼中国的一个企业，要逼中国一个国家，从最基础的材料，从最基础的零件开始，做到包括高精密测量、高精度控制，以及各个高技术领域所有的事情，一个企业一个国家匹敌整个世界，超级大国如它自己也做不到，我们怎么做得到。这是赤裸裸的霸凌。中国应该强力反击，不惜付出任何代价。

光刻机的牛逼之处在于这家企业的匠心精神，经历了几代人的千锤百炼和技术上不断的沉淀，一步一步的形成今天的核心技术，不是一蹴而就，更不是砸钱砸出来的，一个基本的逻辑，如果砸钱可以，我们是不是能砸出个宇宙电梯？我们上百年的企业几乎空白，企业的平均寿命又是多少？

光刻机我没看过原理，但是难度也就说如何做出那么细的光，光敏胶跪求日本好了。那么细的光只有聚焦而成，而且考虑步进的问题，必须有大光学镜头配合光源和步进电机，步进电机可以跪求美国和日本，还有德国。有电机就得有传动啊，导轨啊，传动和导轨能做吧，不能做去上吊好了，我也救不了中国。砸钱是能够砸出高端光刻机的，事实并不是这样的，高端光刻机和高端航空发动机、高端极精密数控机床等，涉及的领域很多，设计、材料、加工、工艺、检测、标准等等，这些都是靠人才、靠研究、技术积累，靠时间的投入，当然也要大量的资金。

有人说的好：“钱不是万能的，但没有钱是万万不能的”，但是还有人说的一句话更有道理：“有钱能解决的问题都不是问题”，而芯片等领域恰恰是光有钱也不一定能解决问题的，否则为什么我们要花那么多钱钱去买，为什么华为宁可被罚了那么多钱也要美国的芯片，不会把这些钱投入自己造啊，关键是有钱也造不出啊！有些领域一不能逆向模仿，二不能弯道超车，三不是喊“口号”喊出来的，抓紧追赶才是正道。

中国只要不计成本，搞出高端光刻机是早晚的事，如果高端芯片也搞出来，自己的光刻机给自己的芯片厂商用，不用再进囗，国外芯片厂商卖不动芯片，自然不再买光刻机，逼迫荷兰光刻机厂商大亏损，甚至垮台，中国在世界就是真正的巨人了。赚钱就是自然的了。这事全世界只有中国能做。

中国光刻机处于什么水平

1.现在国内的光刻机能达到多少纳米的技术？

官网显示，目前最先进的光刻机是600系列，光刻机中最高的生产工艺可以达到90nm。然而，与荷兰ASML公司拥有的EUV掩模对准器相比，它可以通过高达5纳米的工艺制造。而且3nm工艺制作的芯片即将上市。不过根据相关信息，预计中国首款采用28nm工艺的国产浸没式光刻机即将交付。虽然国产光刻机和ASML的EUV光刻机差距还很大，虽然起步晚，但是中国人的不断努力还是会弯道超车的。

第二，国内公司能否自主采购EUV光刻机来解决这种情况？

答案是否定的，要知道华为缺芯是美国的阻碍，国内公司更不可能轻易买到高端光刻机自己制造芯。虽然ASML也是通过采购世界各地的优秀零件来补上最终的光刻机，但是没有任何零件可以避开美国的核心技术，所以美国不会为了控制中国的发展而轻易让中国购买光刻机。

做一个优秀的光刻机，要做很多艰苦的工作，不仅要达到美国光源和德国镜头的高水平，还要有很多精密的仪器。光刻机任重道远！这些精密仪器的背后，也需要更多的人才、研究技术、时间投入和技术积累，也需要大量的资金。我相信中国会克服这个困难，不再受其他国家的限制。

中国光刻机

中国光刻机历程

1964年中国科学院研制出65型接触式光刻机；1970年代，中国科学院开始研制计算机辅助光刻掩膜工艺；清华大学研制第四代分部式投影光刻机，并在1980年获得成功，光刻精度达到3微米，接近国际主流水平。而那时，光刻机巨头ASML还没诞生。

然而，中国在1980年代放弃电子工业，导致20年技术积累全部付诸东流。1994年武汉无线电元件三厂破产改制，卖副食品去了。

1965年中国科学院研制出65型接触式光刻机。

1970年代，中国科学院开始研制计算机辅助光刻掩模工艺。

1972年，武汉无线电元件三厂编写《光刻掩模版的制造》。

1977年，我国最早的光刻机GK-3型半自动光刻机诞生，这是一台接触式光刻机。

1978年，1445所在GK-3的基础上开发了GK-4，但还是没有摆脱接触式光刻机。

1980年，清华大学研制第四代分步式投影光刻机获得成功，光刻精度达到3微米，接近国际主流水平。

1981年，中国科学院半导体所研制成功JK-1型半自动接近式光刻机。

1982年，科学院109厂的KHA-75-1光刻机，这些光刻机在当时的水平均不低，最保守估计跟当时最先进的canon相比最多也就不到4年。

1985年，机电部45所研制出了分步光刻机样机，通过电子部技术鉴定，认为达到美国4800DSW的水平。这应当是中国第一台分步投影式光刻机，中国在分步光刻机上与国外的差距不超过7年。

但是很可惜，光刻机研发至此为止，中国开始大规模引进外资，有了＂造不如买”科技无国界的思想。光刻技术和产业化，停滞不前。放弃电子工业的自主攻关，诸如光刻机等科技计划被迫取消。

九十年代以来，光刻光源已被卡在193纳米无法进步长达20年，这个技术非常关键，这直接导致ASML如此强势的关键。直到二十一世纪，中国才刚刚开始启动193纳米ArF光刻机项目，足足落后ASML20多年。

中国的光刻机是什么水平？与世界先进还有多大差距？如何追赶？

中国光刻机距离世界先进水平，还有较大的差距。

第一，目前全球最先进的光刻机，已经实现5nm的目标。这是荷兰ASML实现的。

而ASML也不是自己一家就能够完成，而是国际合作才能实现的。其中，制造光源的设备来自美国公司；镜片，则是来源于德国的蔡司公司等。这也是全球技术的综合作用。

第二，中国进口最先进的光刻机，是7nm。

2018年，中芯国际向荷兰ASML公司定制了一台7nm工艺的EUV光刻机，当时预交了1.2亿美元的定金。请注意，当时这台机器还没有交付，而是下订单。

但国内市场上，其实已经有7nm光刻机。在2018年12月，SK海力士无锡工厂进口了中国首台7nm光刻机。海力士也是ASML的股东之一。

第三，目前国产最先进的光刻机，应该是22nm。

根据媒体报道，在2018年11月29日，国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收。该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制，光刻分辨力达到22纳米。

请注意该报道的标题：“重大突破，国产22纳米光刻机通过验收。”

也就是22nm的光刻机，已经是重大突破。

22nm的光刻机，关键部件已经基本上实现了国产化。“中科院光电所此次通过验收的表面等离子体超分辨光刻装备，打破了传统路线格局，形成一条全新的纳米光学光刻技术路线，具有完全自主知识产权。”

有关报道中的“全新的技术”，也就是中国科研工作者在关键部件完全国产化情况下，实现的这一次技术突破

中国和世界顶尖光刻机制造还有很大差距。

华为麒麟受制于人，中芯国际不堪大用，澎湃芯片久不见进展，虎愤芯片勉强能用。

实用更是有很远的路要走。

大家放平心态。