中国光刻机被谁耽误了（光刻机给中国了吗）

为什么我国造不出光刻机？

我国造不出光刻机，有以下三个原因：

1.因为我们的技术有限。为了阻止我们的技术发展，西方国家阻碍了一些技术进入中国。因此，这一限制将影响中国在光刻机的发展。

2.事实上，我们的许多组件的使用取决于国际市场，在这种情况下，我们很难获得国际市场的支持。

3.ASML的成功是因为其技术的局限性，更重要的是，它把一些企业当成了自己的股东，比如三星、台积电，英特尔等等。

所以在这种情况下，会发现光刻机在中国的发展并不是特别突出。正是因为光刻机的限制，中国在芯片领域的代工确实受到了很大的影响，华为不得不受到限制。因此，只有不断自主研究和开发属于我国的光刻机，才能打破这种束缚。

1965年我国就有了光刻机，为什么现在却大幅度落后？

我国从1965年起就已经有了光刻机，但之所以现在大幅度落后，可能是由于以下几个原因造成的：

在有了光刻机之后遭遇了国际间的冲突，导致我国的观客机发展受到阻碍。1965年，我国的第1台光刻机是从外国进口的，直到现在为止全国只有两个国家拥有光刻机的高科技手段。特别是荷兰的光刻机技术在全球是遥遥领先的，但由于荷兰受到美国的影响，并不愿意把光刻机的相关技术和设备出口给中国，导致中国的光刻机的技术研发和发展，大幅落后，经过了几十年的不断演变，也就造成了我国现在的光刻机的技术仍然没有达到成熟阶段。

很多光刻机的零件部位需要出口，本地没有生产。光刻机所要求的科技含量非常高，特别是一些零件部位需要完全依赖外国的出口，因为这些零件需要有专业的设计师和科技人员进行长时间的打磨和研发之后，才达到了光刻机零件的标准。从中国目前已有的相关技术来看，想要达到此项科技仍然需要一定的时间，因此从这一角度而言，也会出现大幅度的落后。

光刻机的印制必须清晰和准确，这一点我国的技术尚未达到。光刻机对镜头技术的要求很高，基本上达到了普通镜头的千万分之一，这就意味着芯片上的所有电路图除了依靠高科技手段之外，还需要有独特的光刻机研发技术，才可以使得芯片上的印制图案清晰准确。虽然我国也有部分的光刻机，但精确度没有外国出口的光刻机清晰度和准确度高，导致我国在后续的芯片研发和光刻机的发展中受到了很大的阻碍，在使用的过程中并没有体现出良好的性价比，种种因素就造成了我国的光刻机在全球都已经大幅的落后。

为什么唱衰中国光刻机制造，十年都造不出来的评论少了？

虽说中国的光刻机起步比不少国家都要早一些，但是由于各种原因现在已经全面落后于第一梯队。最近不少朋友发现尽管中国光刻机在短时间内没法取得突破，但是唱衰中国光刻机制造的负面声音确实少了很多。这到底是什么原因呢？我认为有如下三点。

很多朋友已经敢于直面差距其实很多人唱衰中国光刻机的发展并没有太多的恶意，更多的是有点“哀其不幸怒其不争”的感觉。他们希望我们的祖国越来越强大，各项技术都位居世界先进水平，这样他们才会感觉满足。当然这种情况不可能出现，尤其是在华为被美国在光刻机领域卡脖子后，他们更加希望祖国能在光刻机领域有所突破。不过在深入了解光刻机技术后，很多朋友也意识到中国肯定没法在短时间内完成赶超，于是在心中已经承认祖国在这个领域确实技不如人，自然在网上的戾气也就少了很多。

对中国未来光刻机发展充满信心况且中国的光刻机领域其实也没有那么差，虽说中高端光刻机市场基本上都被ASML把持着，但是中国企业在低端市场还是相当具有话语权的。虽说国产光刻机的最高精度只有90nm，但是据相关媒体透露中国光刻机领域的领头羊上海微电子预计在2021年交付精度达到28nm的产品，这无疑给不少朋友打了一针强心剂。再加上近几年国家也意识到我国在这个领域确实全面落后于其他国家，已经在政策和资金方面有所倾斜。虽说目前来看我国在光刻机领域和其他国家差距可能不止十年，但是我们还是可能慢慢赶上的。

碳基芯片有望绕过光刻机壁垒在今年6月初中科院院士、北京大学教授彭练矛和张志勇所率领的团队在国际权威学术杂志《科学》上刊登了一篇关于碳基芯片的文章，表示在新一代碳基芯片的研发上取得突破性进展。根据文章显示碳基芯片不止运行速度更快，并且更加节能，很可能是未来芯片发展的新方向。最关键的一点的这项技术并没有用到光刻机，这意味着如果碳基芯片真的能够上市的话，光刻机再也不能成为美国卡中国脖子的“利器”。不过这项技术短期内商用还存在不少的难题，还需要接下来取得更多的突破。不得不承认很多朋友现在更加理性，感觉承认不足，我觉得这是特别棒的一件事。中国在以前有太多项技术落后于其他国家，最后都被我们慢慢追赶了上来。只要我们憋着一股劲，终有一天别的国家有的我们全有，我们已经有的会发展的更好！

中国光刻机

中国光刻机历程

1964年中国科学院研制出65型接触式光刻机；1970年代，中国科学院开始研制计算机辅助光刻掩膜工艺；清华大学研制第四代分部式投影光刻机，并在1980年获得成功，光刻精度达到3微米，接近国际主流水平。而那时，光刻机巨头ASML还没诞生。

然而，中国在1980年代放弃电子工业，导致20年技术积累全部付诸东流。1994年武汉无线电元件三厂破产改制，卖副食品去了。

1965年中国科学院研制出65型接触式光刻机。

1970年代，中国科学院开始研制计算机辅助光刻掩模工艺。

1972年，武汉无线电元件三厂编写《光刻掩模版的制造》。

1977年，我国最早的光刻机GK-3型半自动光刻机诞生，这是一台接触式光刻机。

1978年，1445所在GK-3的基础上开发了GK-4，但还是没有摆脱接触式光刻机。

1980年，清华大学研制第四代分步式投影光刻机获得成功，光刻精度达到3微米，接近国际主流水平。

1981年，中国科学院半导体所研制成功JK-1型半自动接近式光刻机。

1982年，科学院109厂的KHA-75-1光刻机，这些光刻机在当时的水平均不低，最保守估计跟当时最先进的canon相比最多也就不到4年。

1985年，机电部45所研制出了分步光刻机样机，通过电子部技术鉴定，认为达到美国4800DSW的水平。这应当是中国第一台分步投影式光刻机，中国在分步光刻机上与国外的差距不超过7年。

但是很可惜，光刻机研发至此为止，中国开始大规模引进外资，有了＂造不如买”科技无国界的思想。光刻技术和产业化，停滞不前。放弃电子工业的自主攻关，诸如光刻机等科技计划被迫取消。

九十年代以来，光刻光源已被卡在193纳米无法进步长达20年，这个技术非常关键，这直接导致ASML如此强势的关键。直到二十一世纪，中国才刚刚开始启动193纳米ArF光刻机项目，足足落后ASML20多年。

1965年我国就有了光刻机，为何现在的发展却大幅度落后？

中国的光刻机之所以会走向落后，是因为经济发展因素、海外企业竞争力过强以及欧美国家对中国进行了技术封锁。

由于华为遭美国封杀之后，华为的芯片供应也出现了很多的问题，由于芯片的制造离不开光刻机，所以光刻机就成为了网友非常关注的东西，只不过令大家没有想到的是，中国曾在光刻机领域达到过世界先进水平。

一、经济发展的原因，导致中国在光刻机领域处于落后地位。

虽然中国当时在光刻机领域拥有着不错的技术水平，但是大部分企业在光刻机领域都无法赚得收入和利润，这导致很多企业逐渐放弃了光刻机的生产和研发，正是由于很多企业不看好光刻机的生产，所以才导致中国在光刻机领域出现了大幅度落后的情况。

二、国外企业的技术优势，使得中国的光刻机处于落后位置。

由于国外企业在光刻机领域，储备了大量的技术专利，这使得国外企业在进行光刻机生产研发时，总能够最大程度降低成本，由于国外生产的光刻机在价格上，远低于中国的国产光刻机，这使得很多芯片生产商都开始选择国外的光刻机，正是由于国外的光刻机生产企业展现出了极强的竞争力，这导致中国的光刻机领域受到了极大的冲击。

三、欧美国家对于中国的技术封锁，使得中国无法提升光刻机的技术。

虽然中国曾在光刻机领域取得了不小的优势，但是如果一直无法和国际接轨的话，那么中国在光刻机领域，也不可能取得太大的进步，再加上欧美国家对中国在光刻机领域进行了强力的技术封锁，这导致中国无法在光刻机领域吸收国外的经验和技术，由于缺少国外技术的帮助，中国在光刻机领域逐渐走向了落后。