2030年中国光刻机（2030年中国光刻机技术）

华为搞IDM现实吗？

据说华为当前有这种想法，自己小规模的搞IDM，自己建立一整套生产体系来应对当前的芯片困局，但是这种难度是相当大的，未来能实现的可能性相当小。

首先是资金投入问题： 自己建设一整套的生产线首先就是得投入大量资金。华为每年也就几百亿利润，以2019年为例是627亿净利润，折合下近90亿美元而言，这笔资金看上去挺多，但如果真要砸到IDM的建设上，就非常杯水车薪了。

芯片制造端各种设备，掌握代工技术，包括芯片设计使用的EDA软件，这投资没上千亿是搞不定，即便是小规模的IDM也得几百亿的资金，这对华为来说就是一种负担了。

华为自身还有其他业务线，尤其是通信领域是自己 的根基，不可能将所有资金都投入到IDM建设上，否则就可能影响自己的主业。但如果没有大量资金的投入，IDM的建设又将是一件漫长又遥遥无期的事情，短期也是出来成果的。

其次是人才问题： IDM建设光有钱还不行，还得有人，国内这块总的人并不算多，有传言华为正在接触了解国内这块的人员储备情况。

目前我国半导体产业的人员其实还是挺欠缺的，这几年互联网高速发展引发了很多人才流向互联网，导致其他一些领域的人员流失很严重，实体制造业由于薪资相对偏低都引发“劝退”潮流，半导体相关不少人也都跑向了互联网。

所以，大家别看我国互联网很发达，但其实这并非好事情，一是这种发达很虚幻，只是应用层面上的发达，核心技术一旦被掐断立马嗝屁，二是导致了不少其他领域人才的流失，影响长远发展。

整个行业发展不足的问题： 现有我国整体IDM建设也是很欠缺，很多核心领域技术都没有或者落后。28nm节点光刻机按规划是今年下线，如真能实现到量产还得1~2年，而EVU光刻机的研究规划节点是到2030年；代工技术中芯也只掌握了14nm，真正的7nm制程要等到N+2技术，这至少又得2-3年时间实现。

如果让华为自己建设IDM，光刻机这块最多也就等国产28nm节点的设备，不可能自己去研发，目前这设备差不多就是在以举国之力研发，单靠华为自身的力量是不行的。代工这块华为倒是可以自己搞，我觉得会比中芯的进展更快。

剩下还有EDA这类芯片设计软件，这又是另一个维度的问题了，你要让华为这样一个硬件为主的厂商建设怕是悬。

Lscssh 科技 官观点： 综合来说，华为真要自己建设IDM难度是相当大，本身国内基础薄弱，再让华为自己从零开始建设，这困难绝不是我们外人能想象的。当然，现有小道消息也的确传出华为要自建IDM，至少目前是在了解这块。我想华为是真有类似的想法，但是否真要建设实施怕是还很难说。

这个愿望其实并不美好，华为也不会这样做。

要说透这个问题，首先基本概念还是要讲一讲的。

芯片企业的两种模式

所以，要想IDM，真的没有那么容易。 但仅仅因为困难，就让华为放弃IDM吗？远远不是，再看第二个原因：

砸钱、砸人、砸时间，看运气，芯片制造就是这么费

费钱。

先说芯片设计，没个几亿美元打底，咱就别说在设计芯片。拿小米2017年澎湃的例子，澎湃S1的表示并不尽如人意，S2更是至今仍未亮相。碰壁之后，雷布斯感慨道：“ 芯片行业10亿起步，10年结果 ”。小米在开发澎湃1芯片时，用的也是高薪挖人，甚至有些技术数据也可以用钱来买，但10亿元花出去后，而得到的却是28纳米落后的芯片制程。

这还只是芯片设计行业。而芯片制造行业，更是恐怖。你看看台积电每年的研发投入，2019年研发投入30亿美元，占当年营收的18%，这仅仅是芯片制造工艺改进上的费用投入。英特尔更是恐怖，达到了134亿美元，超过了华为2019年所有研发投入的总和。即便这样，英特尔也没能使自己的10nm制程改进到7nm，因为芯片的制造，不光要砸钱，要有高精尖人才，还要消耗时间，最让人恼火的还要看人品、拼运气……

简单的说，芯片制造就是砸钱、砸人、砸时间，看运气。但这并不是让华为放弃IDM的根本原因。

前方惊现国家队，民族芯片产业链崛起在即

其实我理解题主的意思，真正渴望解决的是美国“卡脖子”的问题，而不是把“建立我国完全自主的芯片产业链”这一重任完全交给华为。事实上，再有几个华为，它也承担不起这个重担。事实上，在芯片产业链的建立和完善上，国家早已有了布局：

说到这里，大家一定很有兴趣看看“02专项”的到底是什么，擦亮眼睛（看不清自己百度啊^-^）：

有没有热泪盈眶的感脚，是不是突然发现，我们的国家，还是很有战略眼光的，早在十多年前的2006年，就已经为民族芯片产业链的构建而精心布局了。

有些人不服气，专项是建立了，那成果呢？

虽然多数还与全球最先进水平存在一定的差距，但我们一直在努力，特别是2018年“中兴事件”之后，上至国家、下至产业资本，纷纷清醒的认识到芯片产业链自主化已经是大势所趋，“泊来主义”销声匿迹，短短三年时间里，我国芯片产业相关企业简直可以说卯足了干劲，天天新气象。

大家一定都注意到了A股市场上刚刚崛起的芯片巨头：中芯国际。两个月前，中芯国际的市值还在千亿徘徊，而今天，2020年7月16日，中芯国际市值直接突破了6000亿。Why?

简单来说，中芯国际是上面的“02专项”的最终成果（不确切，因为中芯国际目前的产品线，用的是包含美国技术在内的国际技术）。更确切的说法是：中芯国际是国家“02专项”最权威、高效的验收机构，对中国集成电路产业链的闭环完整起着非常重要的战略作用。“02专项”的任何最新成果，都可以直接或间接的提升中芯国际芯片制造能力，也就意味着我国的芯片制造水平的提升。目前中芯国际与全球最先进的芯片制造厂商台积电的差距，大致在3-4年的水平。

而中芯国际背后的这条众多企业、高校构建起来的民族芯片产业链，正在为自已、为华为、为祖国、为我们所有人负重前行。在当前这种大环境下，我相信，用不了多久，我国芯片制造定能追上国际最先进水平。

总的来说，华为已经足够出色了，我们不该把过重的担子压在它一个企业肩上。在芯片领域，应该并且已经有越来越多的民族企业冲向了最前线。

加油，中国！加油，中国芯！

一切没有不可能的事情，现在 科技 技术那么发达，搞这类研发的肯定会有考虑到今天的那样局面。华为有研发能力，再加上国内的 科技 公司很多，如果愿意一起合作共渡难关搞出来不是不可能，只是路会很长。他们那些国家的设备研发不也是白手起家吗。遇到事情要相信自己才有能力去克服困难。

IDM是指Integrated Device Manufacturing，整合设备生产模式，是芯片领域的一种设计生产模式，这种模式白话说就是啥都自己做，从芯片设计、制造、封装到测试，一家公司覆盖整个产业链的模式。这样的模式对公司实力的要求非常高，全球也只有有数的几家公司有这样的实力，如英特尔、三星，德州仪器等超大型公司。

业内知名人士爆出华为打造IDM模式，正在与华虹半导体和中芯国际合作，随后华为招聘光刻工艺工程师的消息传开，再是华为在16年的光刻技术的专利被挖出来，现在，上海微电子又在倒苦水，认为华为最近挖人频繁，华为搞到了上海几家半导体设备商的员工通讯录，除了总经理级别，基本都接到了电话，有些人甚至是直接放下手头的工作就走了，上海微电的02项目都没法完成，老总为此还闹到了工信部。

芯片设计EDA软件美国三家公司占了大部分份额，ASML公司的光刻机比上海微电子先进了两代，台积电已经研发5纳米，中芯国际才14纳米。这种情况下，华为搞IDM现实吗？

我的回答是：现实，虽然挑战性很大，但成功的可能性非常高！

在EDA软件包领域，不管是和国内华大九天等软件公司合作还是自己弄，以华为的软件研发实力，一年就搞的出来，经过2-3年的应用迭代，软件将非常成熟。

在光刻机领域，虽然光刻机有40万零件，但国内技术或工艺精度上还没突破的零件估计也就几百个，核心的光学镜头、极紫外激光源、双工件台，技术攻关可以突破，而且，光刻机的原理早已突破，瓶颈在于零部件的工艺精度，解决工艺问题是华为强项。现在上海微电子已突破了28纳米光刻机，华为挖了很多光刻机方面的工程师，即直接可以28纳米起步。

1、资金方面：华为有1400亿现金储备，如果这两年暂不分红，华为现金储备可轻易达到2000～3000亿，投入1000亿，资金方面不是问题。

2、人才方面：华为的软件实力非常强，材料专家是世界级的，光学领域可以挖德国日本专家，光刻机方面已经挖了上海微电子很多人，加上华为强大的IPD研发流程，所以工艺上快速突破是有可能的。

3、市场方面：根本不用愁。

华为有强大的IPD研发流程，有CMM软件成熟度评估体系，所以一旦正式立项，一年内应该可以开发出28纳米光刻机，两年内可以达到7-14纳米，3年内可以达到5纳米水平，5年内可以追平ASML，和中芯国际一起追平台积电。

一旦华为在EDA软件、光刻机、芯片上追平美国、ASML、台积电，则中国的芯片产业将碾压美国，中国将从芯片进口国变成出口国，美国的EDA软件公司走下坡路，高通英特尔会倒闭，台积电也很快顶不住。。

美国对我国的软件、芯片封杀彻底失败，华为IDM对于中国 科技 界的意义就像当年的两弹一星。

华为也从此将成为一个全能型选手：

1、通信设备pk爱立信诺基亚

2、企业业务pk思科

3、手机平板电脑可穿戴设备pk苹果三星惠普戴尔

4、鸿蒙系统pk谷歌

5、 汽车 自动驾驶系统pk谷歌

6、EDA软件光刻机芯片pk美国三家EDA软件公司高通英特尔ASML台积电

基本上是一人单挑美国几大高手。

如果5年后，华为在EDA光刻机芯片上追平了，以后外国就没什么能够封杀华为了，华为在10-20年后，产值将达到5000亿美元以上，将超过苹果丰田三星，成为世界第一 科技 制造企业。

光刻机成功的可能性有80%以上，华为搞IDM非常正确！非常支持，希望华为成功！

院士称2030年前我国将送人上月球，对此你有哪些期待？

作为一个天文爱好者，很是期待我国的这次登月行动。虽然人类早在六七十年代就对月球进行了探索，并成功进行了登陆，带回了月壤。但是中国人自己登月还是一件很让人期待的事情。中国人需要用自己的眼睛去看一看月球上到底有没有广寒宫，有没有一个叫吴刚的再砍伐桂树。中国的航天科学家也需要用自己的经验来告诉中国的小朋友们应该如何登陆月球，种种这些都让人期待。其实我一直坚信我国迟早有一天也会登陆月球，只是让我没有想到的是，居然这么快就能实现，不到十年的时间，将在月球上看到五星红旗在飘扬。下面就来说一说我对登上月球都有哪些期待：

一、航空技术发展

中国在2030年如果登陆月球的话，说明了我国航空技术的发展取得了足够的技术积累，这也为我国日后继续探索太空奠定了基础，也从侧面印证了我国航空技术的发展足以在世界上名列前茅，试想一下美国登月是我国的航空技术是啥样，短短五十年我国几乎就要追赶上这些差距。多亏了我国的航天技术人员夜以继日的努力。

二、耀我国威

众所周知，航天技术需要强大的国力作为保障，我国登陆月球不仅是航天事业的成功，更是我国强大国力的体现。

三、激励一代人

当年美国登月成功后，激发了无数美国年轻人对太空的热情，推动了美国太空事业的发展，相信中国这次登月成功后，也能起到类似的作用，将会在社会上掀起一股太空热，也会有无数怀揣太空梦的少年进入航空领域的研究。为我国航空事业的发展注入新的动力。

你对我国2030年前将人送往月球有哪些期待呢？欢迎留言讨论。

中国国产的光刻机最小制程能达到多少？

90纳米。

封装光刻机在国内市场已占据不小的份额，这是国产光刻机取得的进步。然而在代表着光刻机技术水平的晶圆制造光刻机方面，上海微装可生产加工90nm工艺制程的光刻机，这是国产光刻机最高水平，而ASML如今已量产7nm工艺制程EUV光刻机，两者差距不得不说非常大。

光刻机的最小分辨率、生产效率、良率均在不断发展。 光刻机的最小分辨率由公示 R=kλ/NA，其中 R 代表可分辨的最小尺寸，对于光刻技术来说R 越小越好，k 是工艺常数，λ 是光刻机所用光源的波长。

NA 代表物镜数值孔径，与光传播介质的折射率相关，折射率越大，NA 越大。光刻机制程工艺水平的发展均遵循以上公式。此外光刻机的内部构造和工作模式也在发展，不断提升芯片的生产效率和良率。

扩展资料：

注意事项：

进入机仓检查或维修必须切断电源，挂上警示牌并与中控，检修或检查时必须使用36V以下照明。

必须经常监视机器运转情况，如听任何不正常声音，应立即停机检查，查明原因并处理完故障后，方可重新起动。

正常运转中，应特别注意电机和转子的温度变化，保证充足的油润滑、水冷却，超过规定值立即停机检查。

运行时不准打开观察孔，以防物料飞出伤人，每周应检查一次转子卡箍螺栓的松紧情况。

参考资料来源：百度百科-光刻机

参考资料来源：人民网-世界首台分辨力最高的国产SP光刻机到底牛在哪？

到2030年中国的光刻机水平如何

2030年实现1.5nm光刻。

随着芯片制程越来越小，技术难度越来越高，摩尔定律放缓，台积电表示2024年可能实现量产2nm，1nm目前未知，而ASML的第二代EUV系统预期2024年问世，2030年实现1.5nm光刻。这对于中国而言是一个非常好的机会，我们国家目前想要在2030年的时候实现EUV光刻机国产化。

忧虑于中半导体进步，阿斯麦不顾美国禁令，表态可向中出口光刻机

摩尔定律指的是：处理器的性能每隔两年翻一倍。突出反映了信息技术更新隔代的速度。阿斯麦尔

光刻机领域执牛耳的巨头，在光刻机领域占的份额为89%，剩下的被尼康、佳能日本的两家企业占据。

光刻机目前分为DUV（深紫外） 、EUV（极紫外）两种。光刻机顾名思义就是用光进行雕刻，而光的波长越短，光刻的刀锋越锋利，刻蚀出的芯片精度就越高。DUV光刻机用的是193nm深紫外光，一般可用来雕刻130nm到22nm的芯片，而中国在这方面有黑 科技 ，理论上能将其极致推到7nm，而EUV使用的是13,5nm的极紫外光，可以雕刻22nm到2nm的芯片，EUV只有阿斯麦尔能造。

不久前，阿斯麦尔首席财务官表态：可以向中国出口DUV，无需美国许可。

至于更先进的EUV，没有说，那就是不行！但这也是一件好事，毕竟目前DUV中国也很需要。

对于中国的 科技 ，西方一直都在警惕提防，这方面最集中的表现就是瓦森纳协议。

瓦森纳协议又称瓦森纳安排机制，目前共有包括美国、日本、英国、俄罗斯等40个成员国。实质是集团性出口控制机制，进行出口限制包括两类：一为军民两用商品和技术清单，主要包括了先进材料、电子器件、计算机、传感与激光、导航与航空电子仪器、推进系统等9大类；另一类为军品清单，涵盖了各类武器弹药、设备及作战平台等共22类。

美国操控下的瓦森纳协议一向宣称没有针对中国，可如果翻出G20成员图一对照就会发现，不是针对中国，难道是针对墨西哥、印尼和巴西。

美国针对中国已不经不算新闻了，阿斯麦现在才表其实是担忧于中国的进步。美国在 科技 领域打压中国，中国也不可能立正挨打，必然要寻求独立自主的科研创新，如果说一开始看到华为等公司在光刻机领域的投入，阿斯麦还能从容淡定的话，那么随着国家队中科院的入场，阿斯麦就再也坐不住了，能与中科院竞争可以是欧盟或者是美国，但绝不可能是荷兰的一家企业。在这个关头，阿斯麦它又能卖了，无非是又想制造一些“造不如买”的杂音罢了，不过， 科技 之争你喊了开始，何时结束就不是你说了算的。

普遍认为中国的半导体落后国际水平为10年左右，但这不等同于中国追上需要10年，因为后发者是有优势的，开创者披荆斩棘步履踉跄的向前走，因为他不知道路在哪里，而追赶着就没有方向上忧虑。目前半导体的发展已经在2nm处停下了，差距远没有想象那么大，也许只需要三五年就可以赶上先进水平。

国家的力量是很庞大的，1961年4月12日，苏联宇航员加加林进入太空，这一壮举大大地刺激了美国，美国随即在当年5月份启动了阿波罗计划，在八年后，美国宇航员在月球登录。中国在03载人进入太空，而载人登月计划是在2030年。与之对比美国从无法载人到载人登月只需要8年，反映出举国之力在攀 科技 树时的恐怖，这两年中美对抗是多方面的，贸易战跟你对打，针对围堵我们一带一路、军舰巡航南海中国更关心的是你别在撞了……唯有芯片是把国人憋屈的够呛。

面对西方，你跪在地上他们不会怜悯你只会再踩一脚，90年代的俄罗斯就是最好的例子，他们真正尊重的只有旗鼓相当的对手。诚然，在 科技 创新这条路上还有很长的路要走，但在经历了卡脖子的困境后，所有的中国人已经意识到识到自主研发的重要性，只要意识到了，什么时候都不晚。

光刻机的极限在哪里？

2020年3月28日，中国计算机学会做了一个 CCF YOCSEF 技术论坛：量子计算机离我们还有多远？的主题，主题上 张辉（合肥本源量子计算 科技 有限责任公司副总裁，中国科学技术大学博士）做主题演讲时候有提到，3nm是经典计算机的工艺极限，就是因为量子的问题。本源量子是国内中科院旗下的做量子计算机方面的公司。

之前中芯国际副总曾经在喜马拉雅的音频节目中回答过这一提问，他说1nm的光刻机工艺并不是技术上难以逾越的门槛。只是目前采用投影或浸入式的技术还难以做到1nm工艺，但其实世界上已有直写技术可以做到1nm了，只是采用直写技术的硅片没有商用价值，只能制作掩膜版用，所以说3nm更不是极限了，那么光刻机的极限在哪里呢？接着往下看。

光刻机的极限

其实光刻机极限已经快到了，因为硅这种材料的极限在1纳米左右，如果想要超越1nm,那就得换材料了，但是目前地球上已经发现的材料中，没有比硅更适合的了，所以末来十年都很难超越1nm工艺，除非科学家能发现一种新材料，当然，这种可能很小。

超越1nm很难，那么达到1nm呢？目前要想达到1nm，目前当芯片内部线宽窄到3nm，电路中用于导电的铜线之间的间距太小，就会发生短路，所以说达到1nm都很难，只能寄希望于量子技术的突破了。

荷兰ASML（阿斯麦）公司的现状

在EUV光刻机方面，荷兰ASML（阿斯麦）公司垄断了目前的EUV光刻机，去年出货26台，创造了新纪录。据报道，ASML公司正在研发新一代EUV光刻机，预计在2022年开始出货。

根据ASML之前的报告，预计2020年将会交付35台EUV光刻机，到2021年则会达到45台到50台的交付量，是2019年的两倍左右。目前ASML出货的光刻机主要是NXE:3400B及改进型的NXE:3400C，两者基本结构相同，但NXE:3400C采用模块化设计，维护更加便捷，平均维修时间将从48小时缩短到8-10小时，支持7nm、5nm。

荷兰ASML（阿斯麦）公司的极限

与之前的光刻机相比，ASML新一代光刻机的分辨率将会提升70%左右，可以进一步提升光刻机的精度，毕竟ASML之前的目标是瞄准了2nm甚至极限的1nm工艺的。不过新一代EUV光刻机还有点早，至少到2022年才能出货，大规模出货要到2024年甚至2025年，届时台积电、三星等公司就可以考虑3nm以下的制程工艺了，所以说到2022年光刻机的精度有望达到3nm,要想达到1nm，估计要到2030年了。

总结

总结来说1nm应该是光刻机精度的极限，预计要10年左右才能达到这一目标，我是小熵，你有什么看法？快到下方评论区留言吧！欢迎关注，持续为您答疑解惑。

在紫外光谱。不同的材料有区别。