中国光刻机攻关（中国攻克光刻机）

国产光刻机真实现状

中国的光刻机现在达到22纳米。在上海微电子技术突破之前，我国国产光刻机还停留在只制造90nm芯片的阶段。这一次中国从90nm突破到22nm，意味着光刻机制造的一些关键核心领域实现了国产化。掌握核心技术的重要性不言而喻。突破关键区域后，高阶光刻机的RD速度只会越来越快。国产光刻机突破封锁，成功研发22nm光刻机。中国芯逐渐崛起。随着信息社会的快速发展，手机、电脑、电视等电子设备变得越来越“迷你”。从以前的“手机”到现在只有几个硬币厚的时尚手机，从老式的矮胖电视到现在的轻薄液晶电视，无一不离开集成电路的发展，也就是我们通常所说的“芯片”。自从1958年世界上第一块集成电路问世以来，体积越来越小，性能却越来越强。光刻机是半导体芯片制造行业的核心设备。以光刻机为代表的高端半导体设备支撑着集成电路产业的发展，芯片越来越小，集成电路越来越多，可以把终端做得小而精致。2002年，光刻机被列入国家863重大科技攻关计划，由科技部和上海市共同推动成立上海微电子设备有限公司(以下简称“SMEE”)。2008年，国家启动了“02”重大科技项目，持续攻关。经过十余年的研发，我国基本掌握了高端光刻机的集成技术，部分掌握了核心部件的制造技术，成为集光学、机械、电子等多学科前沿技术于一体的“智能制造行业的珠穆朗玛峰”。

光刻机的技术国内短时间能攻克吗？

实话实说， 几乎没有可能短期内攻克光刻机。

现在荷兰ASML公司已经通过参股和出让股权的方式，把光刻机产业链的上下游全部变成了利益相关的团体。此时，光刻机行业实际上已经变成了一个寡头垄断的形式，就连光刻机行业的老二和老三，也就是日本的佳能和尼康都已经差不多出局不带玩了。作为还没有资格入局的国产光刻机厂商，想短时间追上去，那就是在说神话故事了。

目前，ASML公司通过积极参股的办法，变成了全球光刻机关键零组件提供商的大股东， 比如德国光学元件巨头蔡司就已经被ASML参股。这样以来，关键零组件提供商就已经和ASML站在一个战壕当中了。此时，任何一家光刻机厂商想要获得高质量的光刻机零组件，只怕都要过ASML这一关。在关键零组件上技不如人的结果，就是拖累整个光刻机的性能。ASML的这个计策不能不说很高明，直接“断别人根”的那种高明！

其次，所有最先进的芯片代工厂，也就是光刻机的用户，都已经变成了ASML的大股东，台积电、三星电子和英特尔都是ASML的关键大股东。 此时，ASML也就拥有了光刻机最大的市场，给自己建起来了最厚的护城河。因为光刻机本来就属于投资巨大，但市场规模有局限的一个市场。整个市场可能也就能养活一个高端的光刻机厂商，现在ASML基本上已经完成了市场垄断，后进的光刻机公司，基本上就不可能养活自己，这就是ASML的策略，把大客户变成了自己的大股东，非常成功的策略。

就不用说什么技术了，只从市场的角度就能看出，在光刻机行业上，其他厂商基本上已经没有太大希望入局了。因为投进去就是赔钱的行为，技术提高得越快，越能生产高水平的光刻机，这个后进的厂商就会越赔钱！这种明显是赔钱的行业，我想不出来哪个公司会勇敢地一直赔下去，哪怕是可以长期拿政府补贴，也是要看到成绩的，但很明显，在光刻机领域内将是长期看不到成绩。

另外，光刻机是几千个零组件组成的复杂设备。任何一个零组件水平不够，都会直接影响光刻机性能。 但现在关键零组件已经被ASML参股，使得中国获得这些关键零组件的机会锐减。因此，光刻机突破就要下沉到零组件层面的突破了。这就更需要花费时间了，甚至是无法想象的花费时间，但就这一个单点的障碍就卡住了整个光刻机的进度。此时，光刻机的进度就完全不可控了。而且，有时候，这种卡壳是用钱无法解决的。

至此，也就解释了光刻机的突破，从时间上来看，根本就是个无法预测的事情了！

高端光刻机技术中国已经攻克了。

攻克了技术离量产还需要时间。

光刻机技术不算是前沿技术但很麻烦周期长。

技术是周期短的带动周期长的。

中国光刻机技术较其他技术进步慢些是正常的。

搞 科技 不能急于求成要稳中求进。

中国不要学荷兰阿斯麦将不成熟的技术拿出来急功近利。

中国人做事情做就要做好。

中国人做光刻机是要做好整体生态打通产业链。

很难，至少需要十年

中国光刻机

中国光刻机历程

1964年中国科学院研制出65型接触式光刻机；1970年代，中国科学院开始研制计算机辅助光刻掩膜工艺；清华大学研制第四代分部式投影光刻机，并在1980年获得成功，光刻精度达到3微米，接近国际主流水平。而那时，光刻机巨头ASML还没诞生。

然而，中国在1980年代放弃电子工业，导致20年技术积累全部付诸东流。1994年武汉无线电元件三厂破产改制，卖副食品去了。

1965年中国科学院研制出65型接触式光刻机。

1970年代，中国科学院开始研制计算机辅助光刻掩模工艺。

1972年，武汉无线电元件三厂编写《光刻掩模版的制造》。

1977年，我国最早的光刻机GK-3型半自动光刻机诞生，这是一台接触式光刻机。

1978年，1445所在GK-3的基础上开发了GK-4，但还是没有摆脱接触式光刻机。

1980年，清华大学研制第四代分步式投影光刻机获得成功，光刻精度达到3微米，接近国际主流水平。

1981年，中国科学院半导体所研制成功JK-1型半自动接近式光刻机。

1982年，科学院109厂的KHA-75-1光刻机，这些光刻机在当时的水平均不低，最保守估计跟当时最先进的canon相比最多也就不到4年。

1985年，机电部45所研制出了分步光刻机样机，通过电子部技术鉴定，认为达到美国4800DSW的水平。这应当是中国第一台分步投影式光刻机，中国在分步光刻机上与国外的差距不超过7年。

但是很可惜，光刻机研发至此为止，中国开始大规模引进外资，有了＂造不如买”科技无国界的思想。光刻技术和产业化，停滞不前。放弃电子工业的自主攻关，诸如光刻机等科技计划被迫取消。

九十年代以来，光刻光源已被卡在193纳米无法进步长达20年，这个技术非常关键，这直接导致ASML如此强势的关键。直到二十一世纪，中国才刚刚开始启动193纳米ArF光刻机项目，足足落后ASML20多年。