光刻机最小纳米是多少(光刻机最多多少纳米)

2022-12-01 6:25:36 证券 xialuotejs

如果用日本尼康光刻机制造芯片最小能到几纳米?

15纳米。

在上世纪九十年代,尼康和佳能才是全球光刻机霸主,当时根本就没有ASML什么事,只是后来包括尼康和佳能都陷入了157纳米光刻机技术困境当中。

而他们又不转变思路,结果荷兰ASML通过采取台积电建议的浸入式技术,实现了技术上的突破,然后开始把尼康和佳能远远甩在身后,从2011年之后,ASML就几乎垄断了全球所有的高端光刻机市场。

我国光刻机研发

我国也有不少企业和科研院所在研发光刻机,而且我国在2007年就实现了90纳米光刻机的技术突破,但直到现在我国真正量产的光刻机也一直停留在90nm,虽然前段时间上海微电子宣布已经成功研发出28纳米光刻机,但要真正量产也需要等到2021年底或者2022年。

但是从28纳米到7纳米还有很长的路要走,在这过程当中,首先要突破14nm才可以,因此我国什么时候能够研发出7纳米光刻机还是一个未知数。

光刻机最小纳米是多少(光刻机最多多少纳米) 第1张

光刻机最先进的是多少纳米

是90纳米。

查询官网可以知道,如今最先进的光刻机是600系列,光刻机最高的制作工艺可以达到90纳米。但是相比于荷兰ASML公司旗下的EUV光刻机,最高可以达到5纳米的工艺制作。

而且即将推出3纳米工艺制作的芯片。但是据相关信息透露,预计我国第一台28纳米工艺的国产沉浸式光刻机即将交付。尽管国产光刻机仍与ASML的EUV光刻机还有很大的距离,虽然起步晚,但是国人的不断努力,仍会弯道超车。

相关介绍:

光刻机目前一直处于垄断地位,在光刻机领域,最有名的就要提到ASML公司了,它是一家荷兰的公司。最初光刻机领域比较厉害的两个国家是荷兰和日本,而在2017年之后,ASML联合台积电推出了光源浸没式系统开始,将日本企业甩开距离,从此稳坐头把交椅的宝座。技术一直处于垄断地位。

一台顶级的光刻机需要各种顶级的零件支持,而这些零件大部分都来自西方的国家。而这些基本上都是禁止对我们国家出口,因此我国光刻机技术受到限制。前段事件美国制裁华为,不允许世界上任何一个国家给华为提供技术,华为虽然可以设计芯片,但是设计芯片的高端软件还主要依赖于海外。

第一代光刻机是多少纳米的

笫一代光刻机是436纳米。一切光刻机的核心零件是围绕光源来的,根据光源的改进,光刻机一共可以分为5代,分别是最早的436纳米光刻机,然后第二代是365纳米波长,第三代是248纳米,第四代是193纳米波长,第五代是13.5纳米波长的EUV光刻机。

中国的光刻机最小能做到96纳米,如果用国产的光刻机做骁龙865处理器,做出来的产品体积有多大?

做不出来。发热问题无法解决。要想做出来,必须重新设计。这也是为什么台积电不代工华为7纳米芯片后,无法找中芯国际换成14纳米的道理,必须重新设计。

佳能光刻机多少纳米?

佳能光刻机22纳米,光刻机是制造微机电、光电、二极体大规模集成电路的关键设备。光刻机可以分钟两种,分别是模板和图样大小一致的contact aligner,曝光时模板紧贴芯片;第二是类似投影机原理的stepper,获得比模板更小的曝光图样。

国内目前做光刻机的主要有上海微电子装备有限公司、中子科技集团公司第四十五研究所国电、合肥芯硕半导体有限公司、先腾光电科技、无锡影速半导体科技。其中,上海微电子装备有限公司已经量产的是90纳米,这是在中国最领先的技术。其国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备与成套工艺专项“的65nm光刻机研制,目前正在进行整机考核。对于光刻机技术来说,90纳米是一个技术台阶;45纳米是一个技术台阶;22纳米是一个技术台阶……90 纳米的技术升级到65纳米不难,但是45纳米要比65纳米难多了。路要一步一步走,中国16个重大专项中的02专项提出光刻机到2020年出22纳米的。目前主流的是45纳米,而32纳米和28纳米的都需要深紫外光刻机上面改进升级。