国产最新光刻机生产成功案例（中国首台光刻机研制成功）

国产最新光刻机多少纳米（中国首台28nm光刻机问世）

;     国产芯中国“芯”!如果没有华为在通信科技领域的异军突起直接威胁到西方发达国家的核心利益，美国也不会如此丧心病狂的用一个国家的力量对付一个企业，当然我们老百姓也不会去关注芯片这个原本属于科技领域的事情。如今在中国的大街小巷和餐馆排挡，要说什么话题最火，那莫过于“华为5G”和“芯片”这两个话题了。

      人们除了惊讶于我国的科技水平居然已经达到了这种地步的时候，也在为我国什么时候才能突破高端芯片的技术封锁而着急。毕竟我们很多人都知道，我国在错过了第一次、第二次工业革命之后，就落后挨打了两百多年的时间，所以每人都都很清楚下一波工业革命的重要性。恰好华为5G的全球领先让我们看到了中国不仅能够赶上第四次工业革命，甚至很大程度上还有引领第四次工业革命的可能，每个人都兴奋不已。

      但是目前，我们不得不认识到我国在半导体集成电路方面还和西方发达国家及企业有着不小的差距。在这个节骨眼上，偏偏美国又开始歇斯底里的打击中国科技企业，企图拖慢整个中国的半导体领域发展进程，因此我们很着急，我国何时才能突破芯片的技术封锁呢?

      当然，着急是不解决任何问题的，如果着急有用的话，还要那些科研工作者和科学家干什么呢?我们一方面在着急的同时，也得清楚的认识到，即便在西方国家合力封锁我国芯片技术的背景下，我国自己的科技企业，还是取得了突破性的研究结果。

      比如我国现有享誉世界的北斗全球定位导航卫星，其中所用的三号芯片现在已经成功的打破了22nm的上限，上海微电子也在当前大背景下加班加点的研制出了能够生产22nm的光刻机。这个消息让全国的科技圈都十分的振奋。

      国产光刻机突破22纳米，差距还很大，为啥科研人员如此兴奋?

      有不明所以的网友会比较好奇，现在全球最顶尖的芯片是5nm制程技术，甚至连3nm制程的也已经在研发设计中，为什么我们才刚刚到22nm就让国内科研人员异常兴奋呢?原因其实很简单，打个比方在你极度饥饿的时候，别说给你一桌山珍海味了，就是给你一个平淡无奇的白面馒头你都能吃的津津有味!

      在上海微电子技术取得突破之前，我国国产的光刻机一直停留在只能制造90nm制程的芯片。这次我国直接从90nm突破到了22nm也就意味着我国在光刻机制造的一些关键核心领域上已经实现了国产化。而自己掌握核心技术有多重要自然不言而喻，在突破关键领域以后，更高阶的光刻机的研发速度只会越来越快。国产光刻机突破封锁，成功研制22nm光刻机，中国芯正在逐渐崛起。

      与此同时，西方发达国家的硅基芯片的制造已经接近了物理极限，“摩尔定律”正在逐渐的失效，我国的芯片技术又在不断的突围。此消彼长之下，我国芯片制造能力追平世界领先水平也只是时间问题而已，更何况我国也在同步研究更加具有竞争力的“碳基芯片”，如果一旦研制成功，我们甚至都不需要再依赖光刻机，那么西方国家的封锁手段也会随之土崩瓦解。

      所以，我们不能只是干着急，对于我国的芯片领域发展，还是要充满信心的。

国产光刻机迎来转机，ASML坐不住了！加速与国内企业合作

此前，M国先是不允许高通等美企业与华为合作，紧接着又对使用M国芯片技术的企业加以限制，禁止任何使用本国技术的企业自有出货，受此政策影响，联发科、台积电等众多企业纷纷与华为分道扬镳。

要知道近些年随着我国 科技 的不断发展，手机等智能产品生产制造日益高涨，对芯片的使用与日俱增，M国这一做法，意在致众多企业于死地，迫于无奈，国内也开始了对芯片技术的重视，同时国家层面也开始出台了政策给与一定的支持！比如印发指导性文件、成立集成电路学院、提供税收优惠政策等。

不过，芯片的制造有一定的技术要求，也要具备一定的高端设备，比如光刻机。在M国限制风波过后，国产企业就纷纷投入光刻机的研发，好消息一个接一个。

据媒体报道，2021年上海微电子将会下线一批新的光刻机，据了解，其曝光精度已经从90nm大幅缩减到28nm，完全可以满足28nm制程的芯片生产。此外再加以多次曝光之后，该款光刻机还将应用于7nm制程的芯片生产。此外张召忠还曾表示过国内目前可能已经有了全新一代的光刻机。

这样的发展势头不容小视，似乎一切都应了张召忠的那句话，三年之后中国就不用外国进口芯片了，中国的芯片将满大街都是。

除了上海微电子之外，华为、清华大学、中科院方面也都有关于光刻机的消息传出。

据有关人士透露，华为已经开始广纳半导体技术人才，与国内该领域先进企业合作，加速对光刻机技术的研究，拟建立一条纯国产技术的生产线。

国内知名高校清华大学也有所进展，清华大学研究团队的研究论文表明，清华已经在光源研究方面有了巨大的突破。论文中还着重介绍了“稳态微聚束”原理的实验，该项技术是对新型粒子加速光源的首个实验，而光源技术则是光刻机生产的主要技术之一。

其次中科院也对光刻机的生产有所研究，据悉下一步中科院将会与国内供应链企业展开全面合作，力争早日实现技术新突破。

随着国产光刻技术的不断发展、突破技术瓶颈，生产先进的光刻机已经不再是镜花水月，这一天可能很快就到来了。

国产光刻接的好消息不断，尤其是随着纯国产的芯片生产线的建立，那么将来的ASML将彻底面临失去中国市场的危机。

迫于如此尴尬处境，ASML开始三番五次地表态，表示要向中国出售光刻机了。

比如就在M国2020修改芯片规则之后，ASML就曾表示，要稳住中国的芯片市场，倾其所有向中企给予技术支持。而且也急切地说明，向国内市场出售DUV光刻机可以不经过许可。

没过多久，ASML再次表示，如果自由贸易始终被限制，那么15年之后包含自己在内的其他芯片企业将彻底退出中国市场，或将面临被淘汰的风险。

从ASML接二连三的陈词不难看出，面对限制政策的影响，ASML已经坐不住了，这一切已经影响到了自己的企业生存问题。

种种迹象都表明，面对国产光刻机的消息传出，ASML已经如坐针毡，开始积极向国内市场靠拢了，要不然就真的与中国的巨大市场失之交臂了，毕竟企业是要生存，要吃饭的！

对于ASML，你们怎么看，有什么想说的吗？

国产光刻机真实现状

中国的光刻机现在达到22纳米。在上海微电子技术突破之前，我国国产光刻机还停留在只制造90nm芯片的阶段。这一次中国从90nm突破到22nm，意味着光刻机制造的一些关键核心领域实现了国产化。掌握核心技术的重要性不言而喻。突破关键区域后，高阶光刻机的RD速度只会越来越快。国产光刻机突破封锁，成功研发22nm光刻机。中国芯逐渐崛起。随着信息社会的快速发展，手机、电脑、电视等电子设备变得越来越“迷你”。从以前的“手机”到现在只有几个硬币厚的时尚手机，从老式的矮胖电视到现在的轻薄液晶电视，无一不离开集成电路的发展，也就是我们通常所说的“芯片”。自从1958年世界上第一块集成电路问世以来，体积越来越小，性能却越来越强。光刻机是半导体芯片制造行业的核心设备。以光刻机为代表的高端半导体设备支撑着集成电路产业的发展，芯片越来越小，集成电路越来越多，可以把终端做得小而精致。2002年，光刻机被列入国家863重大科技攻关计划，由科技部和上海市共同推动成立上海微电子设备有限公司(以下简称“SMEE”)。2008年，国家启动了“02”重大科技项目，持续攻关。经过十余年的研发，我国基本掌握了高端光刻机的集成技术，部分掌握了核心部件的制造技术，成为集光学、机械、电子等多学科前沿技术于一体的“智能制造行业的珠穆朗玛峰”。

国产光刻机新突破！美国发放2614亿补贴，理性分析：赶超才刚开始

值得说明的是，这已经是继六月份CHIPS法案（为五角大楼和其它政府运行机构的芯片制造项目提供最少120亿美元的资金）以来第二项针对半导体行业的资助，如果通过，将会像为美国芯片制造行业带来370亿美金（合计2614亿人民币）的补贴。

国产28纳米光刻机将量产，美国慌了

众所周知，美国在高 科技 行业有着几乎垄断的地位，此次针对芯片制造行业的巨额补贴一方面展现了美国政府对于高 科技 行业的重视，但更重要的一点是面对我国在芯片领域的不断进步有点慌张了，据悉，上海微电子于六月透露，将在明年或后年交付首台国产的28纳米工艺浸没式光刻机，此前国内的光刻机制造工艺还停留在90纳米。

光刻机的制造并非是一夕而成的，和国外相比，国内的光刻机技术起步较晚，又受到了西方国家相关技术的封锁，在研发的道路上只能摸着石头过河，甚至是芯片制造行业的权威人士，台积电创始人张忠谋也曾表示不看好大陆的芯片制造行业，此次上海微电子在光刻机制造上的重大突破，无疑是国内 科技 产业对于西方技术封锁的一次有力回击。

尖端技术的突破，离不开国家的帮助

作为目前最为精密的设备，光刻机的制造无疑是非常困难的，即便是在该领域内技术最为先进ASML公司，在制作光刻机的时候也需要德国的机械工艺、日本的复合材料、瑞典的工业机床技术以及美国提供的光源，在西方技术的封锁之下，国产光刻机更是寸步难行，面对如此困境，我国在2014年就以成立了国家集成电路产业投资基金，投资了多家半导体公司，在2018以及2019两年，我国对芯片业的投资金额也高达220亿元。

在国家的大力支持下，我国在芯片制造行业也有着许多新的进展，中微半导体的5纳米蚀刻机已经通过了台积电的验证，并将正式运用于今年5纳米芯片的发展，处于世界领先地位；还有制造芯片中的关键设备离子注入机也达到了国际先进水平，除此之外，还有南大光电的光刻胶打破了日本企业的垄断地位，都展现出了国产半导体技术蒸蒸日上的势头。

差距不容忽视，光刻机技术仍然落后

虽然上海微电子在国产光刻机制造商得到了突破，但是回归理性，我们还是不得不承认，28纳米的光刻机和荷兰ASML公司的5纳米光刻机仍然存在着巨大的差距，而且这种差距并非是一朝一夕就能够赶上的，以美国为首的西方国家对于我国的技术进步也必将采用更加严苛的技术封锁手段。

不只是光刻机，国内还有许多技术在不断的追赶着西方国家的脚步，我相信只要有足够的时间，技术的反超并非是完全没有可能的，那么你怎么看待国产光刻机的突破呢？一起来聊一下吧！

中企打破日企垄断，芯片材料突破封锁，成功拿下首个订单

众所周知，光刻机在芯片的生产过程中起着举足轻重的作用。只要拥有一台EUV光刻机，芯片制造企业就可以研制出更加先进的芯片工艺。除了光刻机之外，光刻胶等半导体材料对于芯片的光刻环节发挥了重要作用。南大光电公司自主研发的ArF光刻胶产品已经通过认证，打破了日本企业的垄断局面，成功获得第一个国产光刻胶订单。

被日德占据的光刻胶市场，南大光电正在打破垄断局面。或许大部分人都不知道光刻胶是什么，就好比版画刻印过程需要使用的油墨。由此不难看出，光刻胶的质量与芯片的良品率息息相关。

然而，全球的光刻胶市场被日本、德国等国家企业占据了80%以上的份额，特别是日本的“化学三大巨头”，包括JSR、TOK、信越，而且三大巨头还是世界上唯一可以供应EUV光刻胶的企业。在国外企业的垄断之下，国产半导体企业只能通过进口光刻胶实现生产。因此，南大光电公司实现国产光刻胶的强势崛起，可以推动光刻胶产业的发展。

国产光刻胶打破日本企业的垄断，面临的两个难点。在高端光刻胶市场上，日本企业更是出于高度垄断的地位。由于我国高度依赖进口的光刻胶，无论是研发技术还是市场规模，国产企业与国际巨头都存在明显的差距。在重重限制之下，国产光刻胶打破日本企业的垄断局面主要有两个难点。

其一：光刻胶产业的门槛越来越高，不仅需要投入大量的资金和技术，而且需要一批专业人才。值得一提的是，光刻胶对一致性和稳定性的要求十分严格。只要光刻胶的质量出现问题，就会带来严重的损失。除此之外，光刻胶必须符合差异化应用需求，按照不同客户和应用场景等需求进行调节。由此可见，光刻胶的细分种类复杂多样，根本无法实现标准化、模块化。

其二：由于光刻胶的验证周期较长，所以下游客户不会随意更换光刻胶制造厂商。在这种情况下，国产光刻胶难以打破当下的发展格局。

当然，这种情况不能说明国产光刻机无望打破传统。随着技术的积累，如今的南大光电公司已经发布了两条光刻胶生产线，ArF光刻胶正在广泛展开客户的验证任务，进一步扩大商用规模。在此期间，南大光电不仅发布了许多被国外企业垄断的中间体材料，而且发现了许多决定光刻胶性能的重要数据，推动了国产光刻胶的生产、制造等环节。为了研制出更加完美的光刻胶，南大光电投入了大量资金和人力。在我国半导体材料行业上，南大光电的研发支出增速与营收总额的占比已经处于前列。

国产光刻胶不会“被卡脖子”，日企垄断局面被打破。令人意想不到的是，南大光电仅仅用了一年时间，193nm ArF光刻胶研发项目就通过了使用认证，并且得到了第一份光刻胶订单，目前正在小批量销售。

由此可见，我国已经在光刻胶行业上打破了日本企业的垄断，并且开启了一条全新的发展道路。根据当前的测试结果进行分析，南大光电旗下的ArF光刻胶性能与日本企业研制的光刻胶产品基本处于同等水平，已经实现了ArF光刻胶的本土化和国产化，并且成为我国最先进的光刻胶产品，成功打破了长期被日本企业垄断的局面。

在南大光电举行的业绩说明大会上，南大光电对外披露：公司自主研制的ArF光刻胶产品与产业化项目建设了25吨光刻胶生产线。与此同时，南大光电已经在光刻机、原材料和生产设备方面进行布局。由于光刻胶的主要原材料是我国自主研发的，并且联合我国企业共同研制了生产设备，所以不会出现“被卡脖子”的风险。

光刻胶是芯片生产环节的重要材料，主要应用于光刻工艺。如果没有光刻胶，那么光刻机只是一堆价格昂贵的废铜烂铁。

因此，实现光刻胶的国产替代迫在眉睫。成功打破日本企业的垄断，南大光电自主研制的光刻胶产品目前正在验证，在未来发展有望得到更多的光刻胶订单。当下的南大光电公司已经成为国产光刻胶替代的企业巨头，在南大光电等国产企业的积极奋斗之下，相信我国能够在高端光刻胶市场上取得重大突破。对此，你有什么独到的见解呢？

央视正式宣布，国产EUV技术大获突破，ASML总裁预言成真

任正非曾表示，我国拥有世界顶级的芯片设计能力，掌握着世界上最先进、成熟的芯片制程工艺，由于光刻机和化学材料被卡了脖子，国内企业无法独自制造出高端芯片。

然而，让所有人没想到的是，不久前，央视正式宣布，国产EUV光刻机取得重大技术突破，且0.1nm的光源设备已投入使用！

随着 科技 的发展，智能电子产品的普及，很多领域的发展都已离不开芯片的支撑，掌握芯片已上升为世界各国的战略层次。

众所周知，我国进入半导体领域较晚，西方国家为了防止我国 科技 的崛起，早在几十年前签订了《瓦森堡协定》，禁止向我国出口高尖端技术，且国内企业过于追求轻资产的发展，而忽视了对重资产投资的重要性，以至于国内所消耗的芯片，70％以上都要依赖进口。

上文也提到了我国为何无法独自制造出高端芯片的原因，光刻机被卡了脖子！或许有的人会问，我们原子弹都能造出来，为何造不出EUV光刻机？

EUV光刻机的制造是一个项目工程，不仅需要大量的高尖端技术，还需要海量的高精密元器件。如ASML公司制造的EUV光刻机， 所需的元器件高达10万件，来自世界上35个国家的1500多个企业，且每一件都代表着业内的最高水准。 值得一提的是， ASML公司制造EUV光刻机所需的核心元器件，没有一件是来自我国企业，可以预见，我国要制造EUV光刻机的难度有多大。

随着美国不断对我国企业进行芯片制裁，让我们意识到： 在当今这个时代，要想摆脱被人鱼肉的命运，就必须实现技术独立，制造出EUV光刻机，实现高端芯片的国产化。

2020年9月16日，中科院正式宣布，已根据“卡脖子清单”成立了对应的科研攻关小组，且光刻机技术攻关团队的每一位科研人员立下了军令状，争取在短时间内攻克技术难关，制造出国产EUV光刻机。

随着国内“造芯”浪潮的掀起，ASML公司总裁在不久前发出警告： 如果不将光刻机卖给中国，三五年之后，中国就会拥有自己的光刻机，凭借着强大的成本优势，很可能在15年之内将ASML公司逼出光刻机市场。

如今，随着央视一则关于国产EUV光刻机的发布，终于进一步验证了ASML总裁的预言。

近日，央视正式宣布： 我国已经在EUV光源和双工件台技术上取得重大突破！

据央视公开的消息来看，中科院自研的国内首台高能光源设备已经开始使用，且安装完成度已超过70％。中科科美也掌握了透镜镀膜技术，制造出了光学零件0.1nm的镀膜设备。

了解EUV光刻机的朋友都知道，EUV光刻机是由3个核心部分构成的： EUV光源、双工件台和EUV光学镜头。如今，我们已经突破了EUV光源和双工件台技术，这也就意味着，我们只要实现了EUV光学镜头的制造，即可制造出国产EUV光刻机。

在这个经济全球化的时代，各国企业之间的联系越来越紧密，分工越来越清晰，已经形成了“你中有我，我中有你”的现象，如果一家企业受到非正常的“攻击”，整个产业链都会受到严重的影响， 美国制裁华为，加剧世界“芯荒”就是一个很好的证明。

国内半导体行业不断传出的好消息，向世界传递了一个重要信息： 任何要想奴役我们 科技 的国家，必将会在我国企业、科研人员和14亿国人用血肉筑成的铜墙铁壁面前，碰得头破血流！