这个光刻机（什么光刻机）

光刻机是干什么用的？一台价值30亿

光刻机是制造芯片的必备设备。芯片是干什么用的？可能有人会嘲笑这个问题，说它太初级，太简单；是的，有些人可能不知道芯片的用途，但世界上几乎每个人都在使用芯片。这不是夸张，是事实！

芯片的用途：手机、高铁、汽车、电网、家用电器、医疗设备、各种自动化设备等。

芯片的功能：执行运算，处理各种任务，输出数据和指令。芯片这么厉害，怎么做出来的？使用的设备是本文介绍的重要机器——光刻机。

现在很多人说，当年造光刻机比造原子弹还难。是的，这绝对是真的。

现在信息发达；科技进步；先进的设备；有很多专业人士有高深的知识，却做不出光刻机。难度显而易见。

这里有个问题要说明一下：中国也能做芯片，但是质量和规格跟不上当今尖端技术的需求。

今天我们国家能生产16纳米规格的芯片，和国际先进水平差距很大。（有消息说中国已经能做出7 nm光刻机，但没有得到证实。）

荷兰ASML公司据说开发了1纳米芯片掩模对准器；台湾的TSMC和韩国的三星集团争相购买。

谁拥有了设备，谁就能生产出最先进的产品，谁就能占领世界高端芯片市场，就会有大把的钱可赚，都要抢着买。

据说这样一台光刻机设备要花30亿人民币。

世界上生产光刻机最权威、最领先、最有实力的企业是荷兰的ASLM公司。

这个公司不是一兵一卒，有美国和欧盟的大力支持。

光刻机的生产组件来自多个国家，有一万多个组件。

还有另外两家日本公司也生产它们：佳能和尼康。正如你所看到的，这两家公司是世界知名的公司，曾经生产照相机和录像机。但是技术落后于荷兰公司。

国产最先进光刻机

第一，目前全球最先进的光刻机，已经实现5nm的目标。这是荷兰ASML实现的。

而ASML也不是自己一家就能够完成，而是国际合作才能实现的。其中，制造光源的设备来自美国公司；镜片，则是来源于德国的蔡司公司等。这也是全球技术的综合作用。

第二，中国进口最先进的光刻机，是7nm。

2018年，中芯国际向荷兰ASML公司定制了一台7nm工艺的EUV光刻机，当时预交了1.2亿美元的定金。请注意，当时这台机器还没有交付，而是下订单。

但国内市场上，其实已经有7nm光刻机。在2018年12月，SK海力士无锡工厂进口了中国首台7nm光刻机。海力士也是ASML的股东之一。

第三，目前国产最先进的光刻机，应该是22nm。

根据媒体报道，在2018年11月29日，国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收。该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制，光刻分辨力达到22纳米。

请注意该报道的标题：“重大突破，国产22纳米光刻机通过验收。”

也就是22nm的光刻机，已经是重大突破。

22nm的光刻机，关键部件已经基本上实现了国产化。“中科院光电所此次通过验收的表面等离子体超分辨光刻装备，打破了传统路线格局，形成一条全新的纳米光学光刻技术路线，具有完全自主知识产权。”

有关报道中的“全新的技术”，也就是中国科研工作者在关键部件完全国产化情况下，实现的这一次技术突破

中国和世界顶尖光刻机制造还有很大差距。

华为麒麟受制于人，中芯国际不堪大用，澎湃芯片久不见进展，虎愤芯片勉强能用。

实用更是有很远的路要走。

大家放平心态。

光刻机是不是就是我们平时电脑上用的光盘刻录机呀，刻CD用的？

当然不是，现在常说的光刻机主要用在芯片制造，这个名字只是俗称，学名是掩膜曝光机，原理类似照片冲洗，把掩膜上的电路图形通过光线曝光印制在硅片上，形成微电路。

光刻机的生产集合了全世界最尖端的黑科技，其中很大一部分技术我国跟世界前列的国家或企业是存在代差的，这个代差甚至在10年以上，所以跟光盘刻录机不是一个类型的东西。

光刻机原理

光刻机原理是通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到晶圆上，最后形成芯片。

就好像原本一个空空如也的大脑，通过光刻技术把指令放进去，那这个大脑才可以运作，而电路图和其他电子元件就是芯片设计人员设计的指令。

光刻机就是把芯片制作所需要的线路与功能区做出来。简单来说芯片设计人员设计的线路与功能区“印进”晶圆之中，类似照相机照相。照相机拍摄的照片是印在底片上，而光刻刻的不是照片，而是电路图和其他电子元件。

中国光刻机

中国光刻机历程

1964年中国科学院研制出65型接触式光刻机；1970年代，中国科学院开始研制计算机辅助光刻掩膜工艺；清华大学研制第四代分部式投影光刻机，并在1980年获得成功，光刻精度达到3微米，接近国际主流水平。而那时，光刻机巨头ASML还没诞生。

然而，中国在1980年代放弃电子工业，导致20年技术积累全部付诸东流。1994年武汉无线电元件三厂破产改制，卖副食品去了。

1965年中国科学院研制出65型接触式光刻机。

1970年代，中国科学院开始研制计算机辅助光刻掩模工艺。

1972年，武汉无线电元件三厂编写《光刻掩模版的制造》。

1977年，我国最早的光刻机GK-3型半自动光刻机诞生，这是一台接触式光刻机。

1978年，1445所在GK-3的基础上开发了GK-4，但还是没有摆脱接触式光刻机。

1980年，清华大学研制第四代分步式投影光刻机获得成功，光刻精度达到3微米，接近国际主流水平。

1981年，中国科学院半导体所研制成功JK-1型半自动接近式光刻机。

1982年，科学院109厂的KHA-75-1光刻机，这些光刻机在当时的水平均不低，最保守估计跟当时最先进的canon相比最多也就不到4年。

1985年，机电部45所研制出了分步光刻机样机，通过电子部技术鉴定，认为达到美国4800DSW的水平。这应当是中国第一台分步投影式光刻机，中国在分步光刻机上与国外的差距不超过7年。

但是很可惜，光刻机研发至此为止，中国开始大规模引进外资，有了＂造不如买”科技无国界的思想。光刻技术和产业化，停滞不前。放弃电子工业的自主攻关，诸如光刻机等科技计划被迫取消。

九十年代以来，光刻光源已被卡在193纳米无法进步长达20年，这个技术非常关键，这直接导致ASML如此强势的关键。直到二十一世纪，中国才刚刚开始启动193纳米ArF光刻机项目，足足落后ASML20多年。