目前国际纳米光刻机最小是几纳米（国外光刻机可以达到多少纳米）

第一代光刻机是多少纳米的

笫一代光刻机是436纳米。一切光刻机的核心零件是围绕光源来的，根据光源的改进，光刻机一共可以分为5代，分别是最早的436纳米光刻机，然后第二代是365纳米波长，第三代是248纳米，第四代是193纳米波长，第五代是13.5纳米波长的EUV光刻机。

国产芯片最低多少纳米 世界上的最小芯片已经到5nm了

众所周知，全球制造芯片最厉害的当属台积电，目前已经是5nm，使用台积电5nm工艺术的苹果A14就已经发布了。但是对于我国来说，5nm显然是很遥远的存在。

报道指出，目前我国在相关技术上的掌握其实还远远不够，芯片制造本身需要脚踏实地的试验和研究，虽然理论上不存在问题，但技术和经验往往是决定成功与否的最重要标准。此前中科院发布的相关技术完全可以说是5nm芯片的相关技术，但距离掌握芯片制造的全工业流程还远远不足。必须清楚的是，由于起步较晚，我国在芯片领域虽然紧赶慢赶，但目前还只有180nm工艺的水平。

从全球半导体的工艺制程来看，28nm以上算是成熟工艺，而14nm及以下都算是先进工艺，而7nm或以下工艺的芯片产能占了全球总产能的90%以上，目前基本上也就只有几款手机芯片才使用5nm工艺。而我们知道芯片制造需要几十上百种设备，几百道工序，非常复杂，同时芯片制造遵循短板理论，那就是最高工艺，取决于最落后的那一款，也就是最短的那一块“板子”。

虽然理由很多，但其实说白了还是时间的问题，Intel从起家都干了多少年了？当时1968年我们在干啥；三星（1978年）和台积电（1987年）入行也相对较早，而当时我们才刚刚从传统产业中挣脱出来，还在艰难地摸索适合中国发展的模式。

从目前的垄断情况看，没有个数年甚至十年以上可能都是做不到的，但中国的科研团队向来耐得住寂寞。在当前国家越发重视科研的大背景下，资金和人员的投入不断加大，对普通人来说可能无法忍受，但对年轻或者年长的科学家们而言，距离研究出结果不过是又一个“十年”而已。

我们在追赶，ASML的EUV 4nm制程曝光机设备据说已被允许卖给中国，标志着设备方面我们不再成为关键的研发瓶颈。但长远来看，如果国内现在最先进都是14nm，买了曝光机直接进入4nm制程，随着摩尔定律的突破，可能跳级的结果是带来严重的不适症状，也就是项目难产。所以第一条提到的技术时间积累储备、有长期的学习曲线方面，这将是一条很坚硬很坚难的山路，可能我们要好长时间才能实现真正赶超。

等到我国不依赖国外的设备、材料，尤其是光刻机，能制造出10nm以内的芯片出来，才是算是真正的崛起，这时候再进行赶超就没那困难了。

2022中芯国际14nm光刻机哪里来的

来源是荷兰阿斯麦尔公司的光刻机。

中芯国际14nm光刻机的来源是荷兰阿斯麦尔公司。准确点说并不是14纳米，而是28纳米光刻机，14纳米是中芯国际的量产芯片制程，而不是光刻机的精度。作为duv光刻机最高也就是28/22纳米精度。荷兰阿斯麦尔光刻机目前几乎处于全球垄断地位，市场占有率高于90%，中芯国际的光刻机也是荷兰阿斯麦尔公司的。

90纳米光刻机芯片多大

90纳米光刻机芯片到底有多大？台积电在大概在04年和05年时它的90纳米制程工艺技术才完全成熟，纳米是比头发丝还小的概念，90纳米并不是说芯片的整体外观大小，而是指在芯片上光刻布置的元器件的间距。其实90纳米光刻机芯片整体外观大小与现在7纳米，14纳米光刻机芯片整体外观差不多是一样的，只是芯片上面布置的元器件多少的问题，比如90纳米光刻机芯片上可以光刻上10亿个元器件，而7纳米光刻机芯片就可以光刻上50亿个元器件。显然，7纳米光刻机芯片功能要强大的多，因为7纳米光刻机芯片上元器件要多得多，设计更完善，更合理，功能越强大。