中国光刻机现在达到了22纳米。在上海微电子技术取得突破之前,我国国产的光刻机一直停留在只能制造90nm制程的芯片。
这次我国直接从90nm突破到了22nm也就意味着我国在光刻机制造的一些关键核心领域上已经实现了国产化。而自己掌握核心技术有多重要自然不言而喻,在突破关键领域以后,更高阶的光刻机的研发速度只会越来越快。国产光刻机突破封锁,成功研制22nm光刻机,中国芯正在逐渐崛起。
高端的投影式光刻机可分为步进投影和扫描投影光刻机两种,分辨率通常七纳米至几微米之间,高端光刻机号称世界上最精密的仪器,世界上已有1.2亿美金一台的光刻机。高端光刻机堪称现代光学工业之花,其制造难度之大,全世界只有少数几家公司能够制造。
前些年华为缺芯事件闹得沸沸扬扬。如今华为自主研发芯片让国人为之自豪,但是又有一个问题难道不可以自己制造芯片吗?我们要知道制造芯片需要使用光刻机。但是纵观全球芯片公司,有这个技术和设备的只有三星公司了。它既可以自主研发又可以制造芯片,基本上垄断了行业芯片。但是反观中国目前的光刻机仍不能达到制作高端芯片的要求,技术还很落后。
一、如今国内光刻机能达到多少纳米的工艺制作?
查询官网可以知道,如今最先进的光刻机是600系列,光刻机最高的制作工艺可以达到90纳米。但是相比于荷兰ASML公司旗下的EUV光刻机,最高可以达到5纳米的工艺制作。而且即将推出3纳米工艺制作的芯片。但是据相关信息透露,预计我国第一台28纳米工艺的国产沉浸式光刻机即将交付。尽管国产光刻机仍与ASML的EUV光刻机还有很大的距离,虽然起步晚,但是国人的不断努力,仍会弯道超车。
二、国内公司可以自主购买EUV光刻机来解决这一现状吗?
答案是否定的。要知道华为缺芯事件就是美国从中作梗,更不可能让国内公司轻易购买到高端光刻机来自主造芯。尽管ASML公司也是通过在全球各地采购相应精良的零部件来组成最终的光刻机,但是任何零部件都无法避开美国的核心技术,所以美国为了达到控制中国发展,不会让中国轻而易举买到光刻机。
要制作出一台精良的光刻机,要做很多的攻坚,不仅要达到美国光源、德国镜头的高层面,还有许许多多的精密仪器。中国光刻机任重道远!在这些精密仪器的背后,同样也需要更多的人才、研究技术、时间投入、技术的积累同样也需要大量的资金。相信中国也会克服这一困难,从此不再受他国制约。
众所周知,全球制造芯片最厉害的当属台积电,目前已经是5nm,使用台积电5nm工艺术的苹果A14就已经发布了。但是对于我国来说,5nm显然是很遥远的存在。
报道指出,目前我国在相关技术上的掌握其实还远远不够,芯片制造本身需要脚踏实地的试验和研究,虽然理论上不存在问题,但技术和经验往往是决定成功与否的最重要标准。此前中科院发布的相关技术完全可以说是5nm芯片的相关技术,但距离掌握芯片制造的全工业流程还远远不足。必须清楚的是,由于起步较晚,我国在芯片领域虽然紧赶慢赶,但目前还只有180nm工艺的水平。
从全球半导体的工艺制程来看,28nm以上算是成熟工艺,而14nm及以下都算是先进工艺,而7nm或以下工艺的芯片产能占了全球总产能的90%以上,目前基本上也就只有几款手机芯片才使用5nm工艺。而我们知道芯片制造需要几十上百种设备,几百道工序,非常复杂,同时芯片制造遵循短板理论,那就是最高工艺,取决于最落后的那一款,也就是最短的那一块“板子”。
虽然理由很多,但其实说白了还是时间的问题,Intel从起家都干了多少年了?当时1968年我们在干啥;三星(1978年)和台积电(1987年)入行也相对较早,而当时我们才刚刚从传统产业中挣脱出来,还在艰难地摸索适合中国发展的模式。
从目前的垄断情况看,没有个数年甚至十年以上可能都是做不到的,但中国的科研团队向来耐得住寂寞。在当前国家越发重视科研的大背景下,资金和人员的投入不断加大,对普通人来说可能无法忍受,但对年轻或者年长的科学家们而言,距离研究出结果不过是又一个“十年”而已。
我们在追赶,ASML的EUV 4nm制程曝光机设备据说已被允许卖给中国,标志着设备方面我们不再成为关键的研发瓶颈。但长远来看,如果国内现在最先进都是14nm,买了曝光机直接进入4nm制程,随着摩尔定律的突破,可能跳级的结果是带来严重的不适症状,也就是项目难产。所以第一条提到的技术时间积累储备、有长期的学习曲线方面,这将是一条很坚硬很坚难的山路,可能我们要好长时间才能实现真正赶超。
等到我国不依赖国外的设备、材料,尤其是光刻机,能制造出10nm以内的芯片出来,才是算是真正的崛起,这时候再进行赶超就没那困难了。
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美国政府以一国之力打压华为公司的消息,经媒体报道之后,相信大家都非常了解华为目前面临的处境了,但最近中科院率先牵头,将要强势入局芯片领域的消息,也让大家都松了一口气,甚至有媒体报道说,目前中科院已经突破了5毫米的激光光刻机技术,那这是真的吗?对于中科院的 科技 实力,大家还是比较相信和认同的,但是在这么短的时间里就突破这么尖端的高 科技 技术,显然是有些媒体哗众取宠,有些不切实际的报道。以我国现有的科研水平,若想完全突破5毫米光刻机技术,恐怕都还有很长一段路要走,更别说突破5毫米激光光刻机技术了,任何一项科研项目都需要时间的积累,实践的反复研究,经过不懈的努力,才能够最终达成。
就目前而言,中国虽然有最聪明勤奋的科学研究工作者,也还没有攻克5毫米的光刻机技术。世界上目前能够生产和制造最为先进的EUV光刻机,是荷兰的ASML.公司,原本中国几年前就打算从该公司购入光刻机,但是因为美国方面的种种阻挠,这件事情最终变得不了了之。而美国这种“强盗“行径,也让许多中国人看清了美国的真正丑恶面目,也激起了许多国人的愤慨和爱国情绪。
不过好消息是,中科院的科学家目前正准备“换条赛道”,开始研究“碳基芯片”,相比于传统的硅材料芯片,碳基芯片的好处就在于不需要光刻机,采用的是石墨烯材料,其各方面性能都比硅材料要领先许多,但是否可以行得通还是一个未知数,但是作为科学道路上的先行者,相信中国科学家们也深深知道开拓和创新才是他们前行的动力,虽然道路异常艰难,他们也一定会想办法克服的。
因此,对于那些报道不实消息的新闻媒体,大家千万不要相信,尤其是那些妄言激光光刻机横空出世,从此告别荷兰制造的报道,要坚决给予抵制。但同时也要相信我国科学家的科研实力,虽然目前距离突破5毫米的芯片技术,以及与其他国家的 科技 水平还有很大的差距,但随着国家层面的重视,在众多科研工作人员的共同努力下,一定会有质的飞跃和提升。对此,大家怎么认为呢?
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