光刻技术的发展趋势有哪些（光刻技术的发展趋势有哪些特点）

中科院光刻技术又获新突破，国产芯片距离先进水平还差多远？

自媒体经常以“光刻机或者芯片各种新突破”为标题夺人眼球，结果呢？不了了了之罢了！作为世界最尖端的技术之一，哪有那么容易突破？虽然我们期待我们的科学家、企业、国家能够早日取得突破，但是我们也要正视艰难，我们只能一步一步向前迈进，脚踏实地研究创造！

作为平凡的我们，想要为国家做点贡献的话，请支持国货！请给 科技 人员、企业和国家多一点时间和经济力量！

国内好像做到7毫米5毫米，向3毫米进入？这已经很快了。大有后来者居上的趋势。也有绕过心片的路径。

我们都希望在核心技术上面自主掌握，不被掐脖子限制，但是半导体领域上面，最关键的一些环节，我们仍然没有实现自主，还需要用过进口来满足，其中光刻机，光刻胶，硅片平磨设备等等这些都还要靠买，自己的确还没有这方面实现自主，有国内的权威说过，我们想要达到世界现在的水平，按照现在的投入还需要15年左右的时间。

怎么说呢我们现在真正国产化的只有90纳米技术的光刻机，上海微电正在研制的28纳米光刻机，一直都有报道说会在年底推出来，但是现实却是已经这样说了好几个年头了，而且内部的人接受采访说，短时间内很难实现市场运用，现在还在进行各项功能的调试，这个过程需要很长的时间。

也就是说现在还在实验室里面，距离产能化运用还有很长时间，而且据说生产的速度也是不够快每小时只有75片，这样的速度远达不到厂商的要求，更重要的是一个大家一直兴奋的消息，那就是研究获得了光刻机的修正技术，这个是最近发布出来的让很多人振奋的消息。

这的确是一大发现突破，只是这个要运用到现实生产当中，短时间根本不可能，因为这个技术现在只是理论论证阶段，也就是说还只是在纸面上，还需要发表论文，而远没有真正的进行实验，就更谈不上说短时间运用出来了，所以这个技术在长远来看对我们是一大突破，但是在短时间来看对我们没有任何帮助。

也就是说我们在未来的十年之内，仍然无法真正的摆脱现在的情况，现在我们运用的90纳米以内的生产工艺都是国外的，我们自己的只是达到90纳米的级别，所以在理论技术领域论证得到突破是好事，但是现实中还需要认清现实，现在的我们在这上面仍然差距巨大。

以现在的情况来看，我们距离世界先进技术，至少在15年以上，这个数字属于最保守的估计，毕竟我们在进步别人也并没有停下脚步，所以我们现在需要的付出会更多，现阶段不得不接受的现实就是，在半导体领域上面，我们跟外国的差距仍然非常的巨大，这不是说理论上面的突破就能短时间改变的。

如果说我们国产28纳米技术的光刻机，能在五年之内投入市场，那就是值得让我们欣喜若狂了，虽然说28纳米技术，但是可以生产出来七纳米工艺的芯片，而且良品率还是比较高的，这个投入市场才是最真实的稍微改变现实，而光刻修正技术，现在只是理论阶段，离现实太远，理论上的突破可喜可贺，但是短时间没办法帮助我们改变眼前的现实。

近了，中国科学家只要团结一致，国产蕊片不出一年，最多二年面世。

举国之力，芯片指日可待

这点可以肯定，中国 科技 只要突破了，玩的都是先进，超越！只要是公开了，就离量产不远了。

科学技术是不能搞大跃进的！它是若干科学家技术人员长年累月辛勤付出，逐渐集累的成果！来不得半点虚假！要承认我们起步晚，和发达国家比差距还不小！

现在我们党和国家十分重视 科技 兴国，顷全国 科技 人员之力，赶追或超越世界先进水平。我们现在可以量产28，那么，不需很多年，中国会把芯片变成白菜价！

中国人会创造奇迹的？弯道超车，后来居上，后发先至。到时芯片白菜价。让制裁我们的后悔去，我相信我们的科学家，他们不会让国人失望。

其实，在芯片领域中国并非一事无成，芯片千万种，军用芯片，工业芯片，民用芯片，专用芯片，其中民用芯片又分千千万万，民用芯片以手机芯片最难，而最难的是设备，

残酷的现实再一次告诉我们：生于忧患，死于安乐！在美国这个强大的对手面前，中国要始终保持强烈的忧患意识，坚定不移地发展自已，久久为功，方能善作善成，丝毫都不能懈怠。芯片领域如此，其他领域亦如此！

光刻技术

一种将掩膜版的图形转移到衬底表面的图形复制技术，光刻得到的图形一般作为后续工艺的掩膜。

（光致刻蚀剂）是由高分子聚合物、增感剂、溶剂以及其他添加剂组成的混合物，在一定波长的光照射下，高分子聚合物的结构会发生改变。

正胶显影液：碱金属水溶液，如NaOH/NH4OH/TMAH

负胶显影液：有机溶剂，如二甲苯等

氧化层上的正胶：硫酸：双氧水=3:1

金属上的正胶：有机溶剂，如丙酮

氧化层上的负胶：硫酸：双氧水=3:1

金属上的负胶：氯化物溶剂

变性的光刻胶（如作为注入或刻蚀掩膜的光刻胶层）：氧等离子体

0.粘附性处理：硅片暴露在六甲基二硅胺烷HMDS蒸汽中，增加光刻胶与硅片的粘附强度

1.匀胶：硅片真空吸附在离心式匀胶机上高速旋转，把滴在硅片表面的光刻胶涂覆均匀

2.前烘：加热蒸发光刻胶部分溶剂，使光刻胶层初步固化

3.对准和曝光：转移图形

4.显影：把硅片放在显影液中溶解去掉正胶光照部分或者负胶非光照部分

5.后烘：加热硅片使光刻胶中的溶剂进一步蒸发，提高掩膜效果

5nm激光光刻技术，是否预示着我们即将能取代ASML？

5nm激光光刻技术，预示着我们即将能取代ASML，但是5nm激光光刻技术还未安全成熟，因此还是要用ASML技术！

光刻机的发展历史

光刻技术的发展

1947年,贝尔实验室发明第一只点接触晶体管。从此光刻技术开始了发展。

1959年,世界上第一架晶体管计算机诞生,提出光刻工艺,仙童半导体研制世界第一个适用单结构硅晶片。

1960年代,仙童提出CMs|C制造工艺,第一台C计算机BM360,并且建立了世界上第一台2英寸集成电路生产线,美国GCA公司开发出光学图形发生器和分布重复精缩机。

1970年代,GCA开发出第一台分布重复投影曝光机,集成电路图形线宽从15μm缩小到0.5um节点。

1980年代,美国SVGL公司开发出第一代步进扫描投影曝光机,集成电路图形线宽从0.5m缩小到035m节点。

1990年代,n1995年,Cano着手300mm晶圆曝光机,推出EX3L和5步机;ASMLFPA2500,193nm波长步进扫描曝光机、光学光刻分辨率到达70nm的“极限。

2000年以来,在光学光刻技术努力突破分辨率“极限”的同时,NGL正在研究,包括极紫外线光刻技术,电子束光刻技术,X射线光刻技术,纳米压印技术等。

什么是光刻技术？

光刻技术主要应用在微电子中。它一般是对半导体进行加工，需要一个有部分透光部分不透光的掩模板，通过曝光、显影、刻蚀等技术获得和掩模板一样的图形。先在处理过后的半导体上涂上光刻胶，然后盖上掩模板进行曝光；其中透光部分光刻胶的化学成分在曝光过程中发生了变化；之后进行显影，将发生化学变化的光刻胶腐蚀掉，裸露出半导体；之后对裸露出的半导体进行刻蚀，最后把光刻胶去掉就得到了想要的图形。光刻技术在微电子中占有很大的比重，比如微电子技术的进步是通过线宽来评价的，而线宽的获得跟光刻技术有很大的关系。

光刻技术就是在需要刻蚀的表面涂抹光刻胶，干燥后把图形底片覆盖其上，有光源照射，受光部分即可用药水洗掉胶膜，没有胶膜的部分即可用浓酸浓碱腐蚀表面。腐蚀好以后再洗掉其余的光刻胶。现在为了得到细微的光刻线条使用紫外线甚至X射线作为光源。