中国最先进光刻机可以生产多少纳米的颗粒芯片（一台光刻机的芯片产量）

中国现在能做几nm芯片

中国现在能做14nm芯片。

14nm并不是停在实验室里面的研发，也不是投产，而是规模量产。此外90nm光刻机、5nm刻蚀机、12英寸大硅片、国产CPU、5G芯片等也实现突破。此次14nm虽然量产，但其实与国际水平还有着较大的差距，尤其是光刻机，我们还依旧依赖着国外的技术，光刻机大概率还是用ASML的。

光刻机的技术我们目前还难掌握，制程也没有国外3nm,5nm先进，但3nm虽先进，但3nm的成本过高，市场需求量也没那么大，所以就留给了我们弯道超车的机会，在我们不断加大研发和人才培养的现状下，相信未来我们定可以实现芯片自主。

手机芯片行业

在手机芯片行业，尤其是高性能芯片领域，依旧处于高通、联发科、海思、三星以及苹果五家争霸的局面，但同时具有手机终端制造能力和芯片研发能力的只有海思和三星，而高通和联发科则只提供解决方案，没有终端。

比较特殊的是苹果，其芯片自主设计但委托生产，同时完全自用。其中三星的Exynos芯片除用于自家高端手机外，只有魅族采用；而多年来，海思处理器一般都应用在华为的明星机型上面。

中22纳米光刻机能制9纳米芯片吗

可以生产9nm的芯片。

22nm光刻机最高能生产7nm的芯片。22nm光刻机也就是duv光刻机，通过技术手段比如多次曝光可以制造出7nm芯片。最先利用duv光刻机制造出7nm芯片的是台积电和三星公司，也是目前全球可以做到7nm量产的两家公司。像英特尔和中芯国际也可以用22nm光刻机制造7nm芯片，不过良品率有待提高。

国产芯片能生产多少纳米

国产芯片水平只能实现90纳米。

从芯片制造环节看，光刻机、蚀刻机、晶圆、光刻胶等设备和材料占比很大。其中光刻机设备，目前上海微电子是90纳米。高端的KrF和ArF光刻胶更是几乎依赖进口，其中ArF光刻胶几乎为零国产。因此，我国要生产高度国产化的芯片，目前90纳米是一个分界点。

这其中还不包含芯片设计使用的EDA设计软件和其它的电子化学气体材料。EDA软件被誉为“芯片设计上的明珠”，国产率不到2%。

90纳米芯片！相当于2004年的半导体工艺。2007年，苹果上市的第一代手机就是使用了90纳米的处理器。可以说，90纳米芯片瞬间让大家回到了15年前的科技生活。

当然，这样的结果只是一种极端的假设。我国半导体产业链，并不是这么差。有些环节、技术、设备已经达到国际水平。譬如芯片设计、人工智能、大数据、5G、蚀刻机。换言之，半导体基础把我国半导体的综合能力拉低了。

国产最先进光刻机

第一，目前全球最先进的光刻机，已经实现5nm的目标。这是荷兰ASML实现的。

而ASML也不是自己一家就能够完成，而是国际合作才能实现的。其中，制造光源的设备来自美国公司；镜片，则是来源于德国的蔡司公司等。这也是全球技术的综合作用。

第二，中国进口最先进的光刻机，是7nm。

2018年，中芯国际向荷兰ASML公司定制了一台7nm工艺的EUV光刻机，当时预交了1.2亿美元的定金。请注意，当时这台机器还没有交付，而是下订单。

但国内市场上，其实已经有7nm光刻机。在2018年12月，SK海力士无锡工厂进口了中国首台7nm光刻机。海力士也是ASML的股东之一。

第三，目前国产最先进的光刻机，应该是22nm。

根据媒体报道，在2018年11月29日，国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收。该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制，光刻分辨力达到22纳米。

请注意该报道的标题：“重大突破，国产22纳米光刻机通过验收。”

也就是22nm的光刻机，已经是重大突破。

22nm的光刻机，关键部件已经基本上实现了国产化。“中科院光电所此次通过验收的表面等离子体超分辨光刻装备，打破了传统路线格局，形成一条全新的纳米光学光刻技术路线，具有完全自主知识产权。”

有关报道中的“全新的技术”，也就是中国科研工作者在关键部件完全国产化情况下，实现的这一次技术突破

中国和世界顶尖光刻机制造还有很大差距。

华为麒麟受制于人，中芯国际不堪大用，澎湃芯片久不见进展，虎愤芯片勉强能用。

实用更是有很远的路要走。

大家放平心态。