中国加快光刻机攻关进度（中国光刻机制造最新进展）

如果中国举全国力量研发芯片和研制光刻机需要多长时间？

如果中国举全国力量研发芯片和研制光刻机，也需要10-20年左右。

在中国芯片制造被漂亮国“卡脖子”的时候，ASML总裁Peter Wennink曾经在一次科技会议上明确表示，“高端的EUV光刻机永远不可能（被中国）模仿。”虽然说，皮特老板的话听起来不太顺耳，甚至有些打击我们的积极性和自信心，但是不得不说，人家能说出这一番话来，肯定是有人家的底气的。

ASML的皮特老板还说：“因为我们是系统集成商，我们将数百家公司的技术整合在一起，为客户服务。这种机器有80000个零件，其中许多零件非常复杂。”据他介绍，许多企业专门为光刻机生产诸如镜头、反光镜和其他光学部件，目前为止，世界上的任何公司都不可能轻易地模仿制造。

实际上，许多网友对此言论是有些不屑一顾的，他们似乎觉得生产光刻机其实并不难，只要中国拿出当年自力更生地研发制造“两弹一星”的精神和意志来，那么，哪怕四处碰壁、困难重重，也一定能得偿所愿地制造出中国自主知识产权的光刻机来。

但是这样的说法，显然太过主观臆断。

无论如何，想要造出高精度、高可靠和高品质的光刻机，都不是一件容易的事。

就拿ASML公司来说，虽然是荷兰公司，但是背后却是美国资本的掌控。在全部数万个零部件中，有许多关键部件，都是来自美国和日本的高科技公司。而美国科技的领先，一方面是在大量资本投入下设计研发的先进，另一方面更是世界各国科技人才的趋之若鹜。

有财富、有资本，又有人才，点满了“科技树”的美国科技，自然在光刻机和芯片领域一往无前。

纵观短短几十年的芯片技术发展史，荷兰的ASML公司坚持技术整合，迎合客户需求，抓住了电脑、手机和数码产品水涨船高、突飞猛进的历史机遇，堪称是美日两国在半导体科技领域相互竞争的“幸运儿”。

就咱们国内的半导体行业来说，上海微电子的光刻机在2019年以前保持在90纳米左右，已经是国产光刻机的最高水平，但是在“卡脖子”事件之后，国产芯片制造产业显然得到了迅猛发展。据悉，上海微电子在两年内已经率先研发出28nm光刻机的先进技术，并有望尽快向企业交付。而中科院光电所已经研发出光刻分辨率达22nm的技术，但是研究归研究，想要量产出来，成千上万零部件的设计研发、制造整合，都会是层出不穷的大问题。

不管怎么说，上海微电子和中科院光电所能够研发出成熟可行的光刻机技术，值得我们每一个中国人庆贺，但是我们也要看到，国内光刻机和荷兰ASML光刻机，仍然有设计研发、零部件整合与制造工艺方面的巨大差距，而西方国家深耕细作几十年的技术壁垒和鸿沟，我们想要在两三年内寻求突破，无疑是比较困难的。

虽然说，研发国产芯片和研制国产光刻机是摆在华为“打工人”和我们每个中国人面前的“当务之急”，但是正所谓“欲速则不达”，在当前的形势下，我们既需要快马加鞭地加速追赶速度，也需要统筹兼顾国内半导体行业的发展现状。

或许等到某一天，咱们中国人就是“专治各种不服”，成功地凭借着顽强不屈的精气神和举国之力的众志成城，研发出了高精度光刻机，到那时候我们也必须牢记：再先进的光刻机，也是用来脚踏实地生产芯片，完善和改进我国的半导体产业链的，而不是摆出来“论功行赏”，给脸上“贴金”的。

因此，正常来说，就算是中国举全国力量研发芯片和研制光刻机，也需要10-20年左右。

如果心急火燎，抡圆了胳膊，一窝蜂地“大干快上”，很容易忽略科技发展的正常规律，反而会造成各种意想不到的问题。

但是就我个人来说，我当然希望光刻机的研发制造越快越好！

芯片被美国卡脖子，中国奋起直追，现在半导体光刻设备研究达到了什么水平？

时间来到现今的2022年，“研究”水平已经比产品水平高了，“研发”更高水平光刻设备的技术积累这个底子增厚了一些。

中国光刻机产品研究已经达到了“中端水平”。国产DUV光刻机产品很快就能成批推出、规模采用，据报道上海微电子研发出的28纳米国产光刻机整机已经安排生产，再过一两年一定能用于国产芯片的生产，而且，按中芯国际梁孟松在2020年就说到的，一定能用于规模量产7纳米芯片，而且良品率还能达到业界标准吧，梁孟松当时说的是只有制造5、3纳米的芯片才“只待”、也就是只需EUV光刻机，梁孟松的话自然是可信的。

现有的EUV光刻机是7纳米的吧，不是已经让台积电以及三星制造出5纳米的芯片了吗。近日，有报道说梁孟松已经“宣布进军7纳米芯片”了，这也可信，按时间节点，肯定是要规模量产7纳米芯片，肯定是采用荷兰ASML卖给的DUV 光刻机。这样一来，中国光刻机产品的水平现在就已经不再是低端的了，在全球，和日本等同了，在同一个端上，当然仍旧显著低于美日韩欧合在一起达到的高端水平，目前的全球顶级水平；

但是在国内，与其他工艺设备的水平等同，还低于中芯国际芯片制造和长电科技芯片封装的高端水平，显著低于华为芯片设计的顶级水平，与苹果、高通以及联发科同样达到了5纳米，不过呢，国产中端光刻机却能分别直接支持中芯国际制造出、长电科技封装出7纳米的国产高端芯片，间接支持华为做出重新搭载高端麒麟芯片的手机，虽然只是、也只能达到7纳米，但肯定够用了。

为什么光刻机不需要大学和研究机构操心？中国突破需要几年？

近年来，随着我国科技的高速发展，美国为了保住自己第一科技大国的地位，便开始对我国高新技术企业进行打压，而且手段不断在升级。而在美国所有的制裁手段中，芯片断供成为了他打压我国企业最常用、最有效的手段。

任正非曾表示，我国拥有世界上最顶尖的芯片设计企业，但由于EUV光刻机被卡了脖子，在美国实行芯片断供的政策后，我国无法独自制造出企业发展所需的高端芯片。

众所周知，世界上EUV光刻机做得最好的是荷兰ASML公司，垄断着全球100％的EUV光刻机市场。然而，由于ASML公司的EUV光刻机使用了大量美国的元器件和技术，就不得不遵守美国的商业法律，不能将EUV光刻机卖给我国企业。但是，EUV光刻机又是制造高端芯片的核心设备，高端“中国芯”该如何突破重围呢？

芯片禁令落地之后，中科院发出中国最强音，宣布成立EUV光刻机科研攻关小组，争取在短时间内研制出国产EUV光刻机，为我国企业的发展保驾护航。除此之外，国内也有很多高校开始将研发重心转移到EUV光刻机的研发之中。甚至有的人高呼，我们要集全国之力将EUV光刻机搞出来。

然而，让人想不到的是，任正非却在接待9大高校校长时表示，研发EUV光刻机无需大学和研究机构插手，这是为什么呢？笔者认为，任正非之所以会这样讲，主要还是与科学技术的发展规律有着很大的关系！

众所周知，科技发展有两种情况，一种是科研式研究，做的是基础理论、材料、技术的研发工作；第二种是商业性研究，主要是技术、设备、产品的研发，存在着一定的功利性。

高校和研究机构的强项在于基础研究，在具体产品研究方面存在着很大的短板。因为在取得基础理论的突破后，他们并不知道该如何将这些产品商业化。而企业与高校和研究机构恰恰相反，企业就是在基础理论取得突破后，投入大量资金，将具体产品做出来，然后不断提升他的质量、稳定性、良品率等，最后将它的成本降下来。这些能力都是研究机构和高校所不具备的。所以，如果高校和研究机构都去搞具体的东西，很有可能会失掉自己赖以存活的根本。

台积电创始人张忠谋曾表示，即便是中国集全国之力也造不出EUV光刻机，这让很大一部分人觉得EUV光刻机很神秘、很强大，是世界上最顶尖的东西。其实，光刻机并没有大家想象中的那么难造！

我们之所以会觉得EUV光刻机很难造，一方面是受了张忠谋的影响，另一方面是由于光刻机的市场很小，国内没有大规模制造EUV光刻机的企业，这才让大家觉得ASML公司很牛，能卡住我国芯片制造环节的脖子。

随着智能时代的到来，越来越多的智能电子产品需要芯片的支撑，芯片的消耗量也会越来越大，再者就是以美国为首的西方国家不断对我们进行芯片卡脖子，国内企业光刻机的需求量不断增加，所以我们研发自己的EUV光刻机已迫在眉睫。

其实，我国不是没有光刻机，只不过是没有做成高端而已。但是，随着国内光刻机市场的扩大，美国不断对我们进行封锁，国内企业已经开始在光刻机方面不断投入大量资金，进行技术的研发和更新，尤其是国内已经发现了可用于EUV光刻机的光源，笔者坚信，两三年之后，国产光刻机必定能取得重大突破。

中科院正式签军令状，如今我国光刻机的研发遇到哪些困难？

9月16日，国新办举行新闻发布会，介绍中国科学院“率先行动”计划第一阶段实施进展有关情况。

在这个发布会上，中科院主要领导强调，要把美国卡脖子的清单变成我们科研任务清单进行布局，比如航空轮胎、轴承钢、光刻机；一些关键核心技术攻关成立领导小组，要求每个承担重大任务的人要签署责任状；在一些最关注的重大的领域，集中全院的力量来做。这就是中科院签订“军令状”的来由，其中光刻机受到了广泛的关注。

众所周知的原因，现在在芯片行业我们受到了美国等西方国家的封锁，造成了我国一些制造企业的困难局面，比如华为。

制造芯片最重要的设备就是光刻机。其实我国也能生产制造光刻机，也在很早的时候就开始研究，在这方面当时也和世界水平比较接近，但是光刻机的前期研究需要投入大量的资金，而且在“造不如买，买不如租”思维影响下，逐渐对于科研不太重视，光刻机研制近乎于停滞，就像当年的“运10”飞机的研制过程一样。

而当我们开始重视芯片产业，国家也投入巨资准备大力支持研发，却出现了“汉芯”造假事件，2003年上海交大微电子学院院长陈进从美国买回芯片，作为自主研发成果，消耗大量社会资源，影响之恶劣可谓空前！以至于很长一段时间，科研圈谈芯色变，严重干扰了芯片行业的正常发展。

目前上海微电子装备有限公司能量产的光刻机是65nm制程。2019年，由中国科学院光电技术研究所承担的超分辨光刻装备项目在成都通过验收，完成国际上首台分辨力最高的紫外超分辨光刻装备研制，最高线宽分辨力达到22nm。

这22nm制程的光刻机技术，应该很快就会能够量产，但是与世界主流的先进技术还是相差甚远，而且22nm的芯片，只能应用到一些不太复杂的科技产品上，比如老年手机等等。所以现在我国在光刻机这块是落后于世界先进水平好几代的。

当前光刻机技术最好的是荷兰的ASML公司，已经能够量产5nm制程的光刻机，甚至都拥有了3nm的技术。

可是因为美国的阻挠，我们根本就买不到ASML的产品，中芯国际在去年前曾经抢购到一台7nm的光刻机，钱都已经付了好多个亿，到现在都还没有收到货，可能以后也就收不到了。

硅原料、芯片设计、晶圆加工、封测，以及相关的半导体设备，绝大部分领域我国还是处于“任重而道远”的状态。

但我感觉这次不一样了，制造芯片的设备光刻机已经提升到国家层面，相关部门还立下了“军令状”，这与当年研究原子弹的情形何其相似。

我不相信先进光刻机的难度要大于原子弹，我们当初是一穷二白，完全是从零开始，不也以飞快的速度制造出来了？何况对于光刻机生产我国还是有一些基础的，只是现在还没有达到国际先进水平而已，这比当初制造原子弹的情况要好很多。

1nm就是一些原子了，现有的光刻机技术原理是有天花板的，我相信在我们的科研单位在现有理论下，应该能够很快追上世界水平，但不应仅仅局限在已有的理论中，还要展开新的理论研究，争取尽快生产出更先进的光刻机，使我们的芯片不再受到制约。