*进的光刻胶（国内*的光刻胶生产商）
*进的光刻胶（国内*的光刻胶生产商）
一、晶瑞电材：
公司是一家专业从事微电子化学品的产品研发、生产和销售的高新技术企业，主导产品包括超净高纯试剂、光刻胶、功能性材料、锂电池材料和基础化工材料等。
公司主要的优质客户资源包括有研半导体、晶澳科技、三安光电、宸鸿光电、信利、华润上华等。半导体客户是对超净高纯试剂要求*的领域，公司拳头产品双氧水已进入国内知名半导体厂商的供应链考察体系，其中华虹宏力已进入上线评估，武汉新芯已进入验厂审核，中芯国际正在进行技术确认。
二、芯源微：
产品包括光刻工序涂胶显影设备（涂胶／显影机、喷胶机）和单片式湿法设备（清洗机、去胶机、湿法刻蚀机）。
下游客户覆盖国内主要LED芯片制造企业和集成电路制造后道先进封装企业，与包括台积电、长电科技、华天科技、通富微电、晶方科技、华灿光电等在内的多家优质客户保持着长期稳定的合作关系。
三、华懋科技：
公司通过投资的方式参股徐州博康，该公司是国内主要的产业化生产中高端光刻胶单体的企业，是国际上先进的EUV光刻胶单体发明者、生产者，单体产品覆盖全球90%以上客户群，下游客户包括Intel、JSR等。
公司的主要生产设备均来自日本、德国、瑞士、法国等先进机械制造国家，在OPW一次成型气囊产品和切割生产工序实现了智能化，在国内同行业处于先进水平，为提高生产效率、保持产品的质量稳定性提供了保障。
四、彤程新材：
公司全资子公司彤程电子受让科华微电子33.70%的股权，北京科华微电子成立于2004年8月，是国内*拥有荷兰ASML曝光机的光刻胶公司，是集光刻胶研发、生产、检测、销售于一体的中外合资企业，也是国内*一家拥有*光刻胶自主研发及生产实力的*高新技术企业。
公司成功研发出使用多聚甲醛生产功能树脂技术，替代了传统的液醛工艺，使得含酚、含醛工艺废水减少70%，解决了橡胶用酚醛树脂生产过程中产生难以处理的含酚、含醛污水的问题。
目前来说，中国在芯片材料和芯片制造设备上都取得了一定的成果，其中光刻胶，刻胶用于微小图形的加工，生产工艺复杂，技术壁垒较高。我们要知道电路设计图首先通过激光写在光掩模版上，然后光源通过掩模版照射到附有光刻胶的硅片表面，引起曝光区域的光刻胶发生化学效应，再通过显影技术溶解去除曝光区域或未曝光区域，使掩模版上的电路图转移到光刻胶上，最后利用刻蚀技术将图形转移到硅片上。
南大光电研发的ArF光刻胶是目前仅次于EUV光刻胶以外难度*，制程*进的光刻胶，也是集成电路22nm、14nm乃至10nm制程的关键。
电子特气国产化也在加速，衬底（硅片、砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等、光罩（光掩模板）、溅射靶材、湿电子化学品、化学机械抛光（CMP）材料（抛光液、抛光垫）、引线框架、封装基板、电镀液、键合丝、塑封材料、聚酰亚胺、锡球，国家也已经开始大力扶持，个别厂商国产的技术水平已经接近国际先进水平。
芯片制造六大设备扩散炉、刻蚀机、离子注入设备、薄膜沉积设备、抛光机和清洗剂已经达到了世界主流水平，其中部分刻蚀机种类更是达到了5nm，处于世界第一梯队，最头疼的就要属光刻机了，中国光刻机的主要攻坚工作在上海微电子，它们明年才能交付28nm的光刻机。
而在EDA上，EDA就是设计芯片的工具，EDA技术就是以计算机为工具，设计者在EDA软件平台上，用硬件描述语言VerilogHDL完成设计文件，然后由计算机自动地完成逻辑编译、化简、分割、综合、优化、布局、布线和仿真，直至对于特定目标芯片的适配编译、逻辑映射和编程下载等工作。经过近20年的发展，中国形成了华大九天、广立微、芯禾科技三大EDA巨头，目前，国内的EDA厂商EDA产品并不齐全，尤其在数字电路方面，我们整个国内EDA产业在这个领域短板明显。
最麻烦的就是IC设计了，也叫做集成电路设计，是指以集成电路、超大规模集成电路为目标的设计流程，如果IC设计厂商不先设计好芯片，晶圆代工厂是无法量产的。IC设计是芯片产业的核心，也是难度*的一个环节，芯片设计分为前端设计和后端设计，前端设计（也称逻辑设计）和后端设计（也称物理设计），IC 设计厂十分依赖工程师的智慧，基本上每个步骤都有其专门的知识，皆可独立成多门专业的课。
因为芯片种类太过于繁多，不可能一个IC设计公司就能够知道设计所有的芯片，按照集成电路规模分，有超大规模，大规模，和古老的中规模、小规模。而具体到了类型，又有CPU、SoC、专用集成电路、可编程逻辑器件、MCU、MPU、ADC、DAC、DSP等等，其中可编程逻辑器件又有PLA、PAL、EPLD、CPLD、FPGA等。
简单来说，中国基本具备所有芯片的设计能力，这在全世界是比较罕见的，但是很多只能做低端，比如FPGA，射频芯片等难度系数非常高的芯片类型上，中国暂时还无法涉及高端。
接下来就是晶圆代工，晶圆要经过金属溅镀、涂布光阻、蚀刻技术、光阻去除等过程将微型电路覆盖到表面上，这样一块晶圆上就会形成很多的集成电路芯片。我们所说的制程其实就是栅极的大小，也可以称为栅长，在晶体管结构中，电流从Source流入Drain，栅极（Gate）相当于闸门，主要负责控制两端源极和漏级的通断。电流会损耗，而栅极的宽度则决定了电流通过时的损耗，表现出来就是手机常见的发热和功耗，宽度越窄，功耗越低。而栅极的最小宽度（栅长），也就是制程。缩小纳米制程的用意，就是可以在更小的芯片中塞入更多的电晶体，让芯片不会因技术提升而变得更大。
但是我们如果将栅极变更小，源极和漏极之间流过的电流就会越快，工艺难度会更大。
中芯的14nm已经非常成熟，年底就要试产7nm，和台积电基本上是2年左右的差距，接下来很尴尬的一点就是，中国目前没有EUV极紫外光刻机，无法量产5nm芯片。
最后就是芯片封装，形成了集成电路芯片之后，最后还要通过严格的测试、切割，然后进行封装，因为一颗芯片相当小且薄，如果不在外施加保护，会被轻易的刮伤损坏。此外，因为芯片的尺寸微小，如果不用一个较大尺寸的外壳，将不易以人工安置在电路板上。
完成封装后，便要进入测试的阶段，在这个阶段便要确认封装完的 IC 是否有正常的运作，正确无误之后便可出货给组装厂，这个时候才形成了一枚最终可用的逻辑芯片。
中国目前的芯片封装测试能力是全球前三，在半导体产业链这么多环节上，也就在这是属于佼佼者的，中国芯片封装龙头长电科技的目标是要在2022年成为全球第一。
简单总结一下，半导体产业链，从最上游的芯片材料、芯片制造设备，到中游的IC设计，再到晶圆代工，最后到下游的封装。中国基本上已经形成了一个完整的产业链，美国虽然有世界上最成熟的半导体产业链，但是很多东西都是依赖于和其他国家的合作，这是它们身为世界第一大国的优势。
但中国罕见地可以实现全自产自研，尽管目前来说，仅能覆盖中低端领域，如果美国对他们进行全方位的芯片封锁，中国有能力在最短时间量产7nm的芯片，再往下，受限于设备（极紫外光刻机）无法实现。
目前，中国正在加大半导体领域的投资，并明确将集成电路放在发展新一代信息技术产业的首位。2014年，国家集成电路产业投资基金成立，首期募集资金规模达1387亿元，再加上社会撬动比，共6532亿，目前已经全部投资完毕，共70个项目。
基金二期募资于2019年完成，募资2000亿，社会撬动比，共8000亿。也就是目前中国合计投入14532亿，对设备制造、芯片设计和材料领域加大投资。
中国也立下了宏伟目标，明确提出在2020年之前，90-32nm设备国产化率达到50%，2025年之前，20-14nm设备国产化率达到30%，而国产芯片自给率要在2020年达到40%，2025年达到70%。
观察者网·大橘 财经 讯（文/吕栋 编辑/尹哲）在集成电路制造领域，光刻机被称为是推动制程技术进步的“引擎”，而光刻胶就是“燃料”。
未来几年，随着中芯国际、长江存储、长鑫存储等晶圆厂进入产能扩张期，高端光刻胶的国产化替代迎来重要窗口。
12月17日晚间，南大光电公告披露，其控股子公司宁波南大光电材料有限公司（下称：宁波南大光电）自主研发的ArF光刻胶产品近日成功通过客户使用认证，可用于90nm-14nm甚至7nm技术节点。
“本次产品的认证通过，标志着‘ArF光刻胶产品开发和产业化’项目取得关键性的突破，成为国内通过产品验证的第一只国产ArF光刻胶，为全面完成项目目标奠定坚实的基础。”公告中写道。
南大光电内部人士今天在接受观察者网采访时透露，ArF光刻胶生产线已建成，可根据客户需要量产。
受上述消息影响，创业板上市的南大光电今天高开近14%，最终收涨8%。
不过，需要注意的是，截至今年上半年，光刻胶业务还未给南大光电贡献营收。该公司坦言，ArF光刻胶存在稳定量产周期长、风险大等特点，后续是否能取得下游客户订单存在较多不确定性。
最近三年，南大光电净利润增速骤降，2019年扣非净利润仅为上市前的五分之一。
公告截图
量产阶段仍存诸多风险
观察者网梳理相关资料发现，光刻胶是一种对光敏感的混合液体，可以通过光化学反应，经曝光、显影等光刻工序将所需要的微细图形从光罩（掩模版）转移到待加工基片上。
依据使用场景，待加工基片可以是集成电路材料、显示面板材料或者印刷电路板（PCB）。
因此，按应用领域分类，光刻胶又可分为PCB光刻胶、显示面板光刻胶、半导体光刻胶及其他光刻胶。目前，国产光刻胶以PCB用光刻胶为主，显示面板、半导体用光刻胶供应量占比极低。
浙商证券2020年4月研报截图
作为技术难度*的光刻胶品种，半导体光刻胶也是国产与国际先进水平差距*的一类。
长时间以来，为满足集成电路对密度和集成度水平的更高要求，光刻机不断通过缩短曝光波长的方式，提高极限分辨率。
目前，光刻机光源波长由紫外宽谱逐步缩短至g线（436nm）、i线（*nm）、KrF（248nm）、 ArF（193nm）、F2（157nm），以及*进的EUV(
本次南大光电通过客户认证的光刻胶，就是ArF光刻胶。
国元证券2019年1月研报截图
南大光电表示，ArF光刻胶材料可以用于90nm-14nm甚至7nm技术节点的集成电路制造工艺，广泛应用于高端芯片制造（如逻辑芯片、 AI芯片、5G芯片、大容量存储器和云计算芯片等）。
认证评估报告显示，“本次认证选择客户50nm闪存产品中的控制栅进行验证，宁波南大光电的ArF光刻胶产品测试各项性能满足工艺规格要求，良率结果达标。”
南大光电认为，本次通过客户认证的产业化意义大。
“本次验证使用的50nm闪存技术平台，在特征尺寸上，线制程工艺可以满足45nm-90nm光刻需求，孔制程工艺可满足65nm-90nm光刻需求，该工艺平台的光刻胶在业界有代表性。”公告中称。
至于为何选在50nm闪存产线验证， 南大光电内部人士向观察者网表示 ，该公司产品分别在不同客户处验证，有逻辑有存储的。因为存储的先通过，就先公告，其他的还在努力中。
不过，该人士并未向观察者网透露，公告中的客户是国内或者国外厂商。
IC光刻流程图
目前，全球光刻胶市场基本被美日大型企业垄断，中国大陆内资企业所占市场份额不足10%。
2019年，日韩贸易争端中，日本就曾通过禁运光刻胶对整个韩国半导体行业造成打击。
为支持国内企业加大光刻胶开发力度，2000年以来，我国出台多项政策支持半导体行业发展。
2006年，国务院在《国家中长期科学和技术发展规划纲要(2006-2020年)》中提出《极大规模集成电路制造技术及成套工艺》项目，因次序排在所列16个重大专项第二位，在业内被称为“02专项”。
公告显示，“ArF光刻胶产品开发和产业化”就是南大光电承接国家“02 专项”的一个重点攻关项目。
券商统计的信息显示，南大光电2017年承接的ArF光刻胶项目总投资额为6.6亿元，其中国拨资金1.9亿元，地方配套资金1.97亿元，使用上市时的超募资金1.5亿元及其他自筹资金。
该项目拟通过3年达到年产25吨ArF干式和浸没式光刻胶产品的生产规模，预计达产后年销售收入平均为1.48亿元，实现净利润0.6亿元，投资回收期6.8年（包含3年建设期），内部报酬率为18%。
截至今年上半年，光刻胶业务尚未给南大光电贡献营收。
该公司在公告中表示，ArF光刻胶产品与客户的产品销售与服务协议尚在协商之中。
“尤其是ArF光刻胶的复杂性决定其在稳定量产阶段仍然存在工艺上的诸多风险，不仅需要技术攻关，还需要在应用中进行工艺的改进、完善，这些都会决定ArF光刻胶的量产规模和经济效益。”
深交所互动易截图
最近三年净利润增速骤降
在ArF光刻胶贡献收入前，南大光电营收来源主要包括MO源产品和特气产品。
2020年半年报介绍，MO源系列产品是制备LED、新一代太阳能电池、相变存储器、半导体激光器、射频集成电路芯片等的核心原材料，在半导体照明、信息通讯、航空航天等领域有极其重要的作用。
而电子特气是“集成电路、平面显示器件、化合物半导体器件、LED、太阳能电池、光纤等电子工业生产中必不可少的基础和支撑性材料”。
今年5月，南大光电董事长兼总经理冯剑松在业绩说明会上称，该公司将力争实现“MO源全球第一，电子特气国内*，193nm光刻胶成功产业化”。
上半年，南大光电特种气体业务营收1.88亿元，同比增长274.15%；MO源产品实现营收0.68亿元，同比下滑23.55%；两项业务占比分别为 71.73% 、25.82%。
事实上，最近几年，南大光电特种气体业务持续增长。2017-2019年分别贡献0.36亿、0.78亿、1.64亿元的收入，营收占比也从20.16%增长至51.82%。
与此同时，该公司的MO源业务并不太稳定，2018年产量和销量均创 历史 *水平后，2019年该业务销售收入下滑2.87%。
2017年以来，南大光电整体营收呈增长态势，从1.77亿元增长至2019年的3.21亿元，净利润从3384万元增长至5501万元，但净利润增速从348%骤降至7.36%。
“i问财”截图
扣除非经常性损益后，南大光电2017年-2019年的净利润分别为0.2亿元、0.37亿元、0.368亿元。而登陆创业板之前的2011年，该公司还实现扣非净利润1.76亿元，是去年扣非净利的近5倍。
同期，南大光电研发投入分别为3844万元、3735万元、6585万元，占营收的比重分别为21.69%、16.37%、20.49%，占净利润比重分别为114%、73%、120%。
今年前三季度，南大光电营收大幅增长96.15%，归母净利润增长97%，但主要是出售北京科华股权等带来的非经常性损益大幅增加。
当季，该公司扣非后净利润下滑84.84%，该公司称主要是摊销股权激励成本、研发费用投入及奖金计提增加所致；经营活动产生的现金流量净额同比下滑189.52%，主要是政府补助款较上年减少及本期拨付前期收到的项目经费给联合单位所致。
三季度财报截图
本文系观察者网*稿件，未经授权，不得转载。
作为一个投资者，一定要有强大的学习能力，来接受各种知识，最近在A股市场上光刻胶概念火了，那么光刻胶到底是什么呢？这篇文章就跟大家聊聊这个话题。
光刻胶又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。在光刻工艺过程中，用作抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时，若采用适当的有选择性的光刻胶，可在表面上得到所需的图像。光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。
1954年由明斯克等人首先研究成功的聚乙烯醇肉桂酸脂就是用于印刷工业的，以后才用于电子工业。光刻胶是一种有机化合物，它被紫外光曝光后，在显影溶液中的溶解度会发生变化。硅片制造中所用的光刻胶以液态涂在硅片表面，而后被干燥成胶膜。
光刻胶可分为半导体用光刻胶、LCD用光刻胶、PCB用光刻胶等，其技术壁垒依次降低。相应地，PCB光刻胶是目前国产替代进度最快的，LCD光刻胶替代进度相对较快，半导体光刻胶目前国产技术较国外先进技术差距*。
PCB光刻胶，技术含量较低。全球PCB光刻胶市场规模在20亿美元左右，中国市场规模占比达50%以上。随着PCB光刻胶外企东移和内资企业的不断发展，中国已成为全球*的PCB光刻胶生产基地。
LCD光刻胶的全球供应集中在日本、韩国、中国台湾等地区，海外企业市占率超过90%。彩色滤光片所需的高分子颜料和颜料的分散技术主要集中在Ciba等日本颜料厂商手中，因此彩色光刻胶和黑色光刻胶的核心技术基本被日本和韩国企业垄断。
综合以上信息，其实光刻胶是一个造芯片绕不过去的产品，希望这篇文章能给大家带来帮助，感兴趣的投资者们一定要多多的了解学习！
作为一个对于芯片产业来说非常重要的配套产品，光刻胶最近几天又引起了大家的讨论，这篇文章就跟大家介绍几家和光刻胶相关度非常高的上市公司。
宝通科技：博砚电子为宝通辰韬投资，该公司是一家研发、生产光阻的厂家，主要产品为彩色滤光片用光阻黑色矩阵光阻、感光间隙材料，产品广泛适用于液晶显示屏、印刷电路和集成电路以及印刷制版等。该公司持续技术创新战略，凭借自身雄厚的科研实力，突破本土制造的长期技术瓶颈，已经成功开发出系列光刻胶产品。
彤程新材：公司全资子公司彤程电子受让科华微电子33.70%的股权，已于2020年7月2日完成了相关工商变更登记。北京科华微电子成立于2004年8月，是国内*拥有荷兰ASML曝光机的光刻胶公司，是集光刻胶研发、生产、检测、销售于一体的中外合资企业，也是国内*一家拥有*光刻胶自主研发及生产实力的*高新技术企业。
南大光电：公司自主研发的ArF光刻胶产品成功通过客户的使用认证，成为通过产品验证的第一只国产ArF光刻胶。近日拿到首个订单，拟进行小批量生产，目前尚未签署大批量订单。
华懋科技：公司以东阳凯阳为投资主体，拟以不高于27亿元整体估值对徐州博康行使5.5亿元转股权和2.2亿元追加投资权，行使完成后将持有徐州博康不低于29.704%的股权。徐州博康是国内主要的产业化生产中高端光刻胶单体的企业，是国际上先进的EUV光刻胶单体发明者、生产者，单体产品覆盖全球90%以上客户群，下游客户包括Intel、JSR等。
综合以上，就是几家涉及光刻胶业务的上市公司，希望这篇文章能给投资者们一点启发，感兴趣的投资者可以多多的研究了解！不可盲目跟风！
